tingkat 9F, Bangunan A Dongshengmingdu Plaza, No.21 Jalan Chaoyang Timur, Lianyungang Jiangsu, China +86-13951255589 [email protected]
pembungkusan elektronik dan semikonduktor: bahan ideal seramik AlN yang memimpin inovasi teknologi pembuangan haba berprestasi tinggi dan teknologi pembungkusan
Nitrida aluminium (AlN) bukan sahaja merupakan bahan anorganik, tetapi juga dianggap sebagai bahan utama dalam pembungkusan elektronik dan aplikasi semikonduktor. Struktur kristalnya yang didominasi oleh ikatan kovalen menjadikannya nitrida berbentuk heksagonal seperti intan dan mempamerkan celah tenaga lebar (6.2 eV) serta tenaga pengikatan eksiton yang ketara, menjadikannya semikonduktor celah tenaga langsung. Ketelusan termal nitrida aluminium adalah setinggi kira-kira 320 W/m ·K, setara dengan BeO dan SiC, dan lebih daripada 5 kali ganda daripada Al2O3. Pada masa yang sama, pekali pengembangan termanya sesuai dengan silikon dan galium arsenida, seterusnya meningkatkan potensi aplikasinya dalam bidang pembungkusan elektronik. Selain itu, nitrida aluminium menunjukkan sifat penebatan elektrik, mekanikal dan optik yang sangat baik, serta tidak toksik dan tahan kakisan suhu tinggi, membawa harapan baharu kepada industri semikonduktor
Komponen seramik nitrida aluminium (AlN) merupakan komponen maju yang diperbuat daripada serbuk AlN melalui pencetakan tepat dan pensinteran suhu tinggi (1700–1900°C ) dengan bahan bantu pensinteran seperti Y₂O₃ . Komponen ini banyak digunakan dalam elektronik, semikonduktor dan aerospace kerana sifat termanya, elektriknya dan mekanikalnya yang luar biasa.
Pemanas seramik Nitrida Aluminium mempunyai sifat ketelusan haba yang tinggi, penyeimbangan haba yang sangat baik dan penebatan elektrik. Pemanas seramik AlN digunakan secara meluas dalam peranti pembuatan semikonduktor, dan boleh digunakan dalam sistem pengewapan vakum, mesin percikan (sputtering) dan peranti CVD.
Ciri-Ciri Utama
Aplikasi Utama
Fabrikasi & Penyesuaian
Proses lazim: Pencampuran serbuk → pembentukan (penekanan kering, tuangan pita, percetakan suntikan) → pensinteran (1700–1900°C dengan Y₂O₃) → pemesinan tepat (pengisaran, penggilapan, pemotongan laser). Komponen boleh disesuaikan dari segi saiz, ketebalan, siap permukaan, dan metalisasi (contohnya, ikatan tembaga langsung) untuk memenuhi keperluan rekabentuk tertentu.
Kelebihan berbanding Alternatif
Cabaran
Komponen seramik AlN adalah kritikal bagi elektronik generasi seterusnya dan sistem berteknologi tinggi, membolehkan pengurusan haba yang cekap serta prestasi yang boleh dipercayai dalam keadaan ekstrem.
Shunt haba seramik AlN adalah komponen pengurusan haba premium
yang digunakan dalam elektronik berprestasi tinggi dan kebolehpercayaan tinggi, di mana keperluan serentak untuk pemindahan haba maksimum dan penebatan elektrik adalah kritikal. Ia menyelesaikan masalah klasik antara muka yang bersifat penebat tetapi tahan haba dengan menyediakan suatu
laluan yang bersifat sangat konduktif sekaligus penebat.
Bahan: Nitrida Aluminium (AlN) adalah seramik teknikal lanjutan.
Sifat Utama: Ia mempunyai kekonduksian haba yang luar biasa tinggi bagi suatu
penebat elektrik. AlN berkualiti tinggi boleh mempunyai kekonduksian haba yang setanding
dengan logam seperti aluminium ( ≈ 170-220 W/mK ).
Ciri lain: Ia adalah penebat elektrik yang sangat baik, mempunyai pekali
perpanjangan terma (CTE) yang sangat sesuai dengan silikon dan lain-lain
semikonduktor, dan mempunyai kekuatan mekanikal dan kestabilan kimia yang tinggi.
Aplikasi Utama:

Reka bentuk & kegunaan biasa:
Sebuah pengalir haba AlN biasanya datang dalam bentuk plat, penyekat, atau substrat yang dimesin dengan tepat,
ia mungkin mempunyai:
Spesifikasi Teknikal
