စီလီကွန်ကာဘိုင်ဒ် ပန်းကန်ခွက် - အဆင့်မြင့်ဖြစ်စဉ်များတွင် ဝေဖာများနှင့်အတူ အပူချိန်မြင့်မြင့်တွင် အလုပ်လုပ်သည့် "အပူချိန်မြင့်မြင့် ဖော်ပိုမှု"

၁။ လုပ်ငန်းစဉ်၏ အခြေခံအုတ်များ - အောက်ဆီဒေးရှင်းဖုန်းန်းထဲတွင် "ကလိုက်-ပရိုတက်ရှင်း ဂါ့ဒ်"

ချစ်ပ်ထုတ်လုပ်မှု၏ အဆင့်များစွာကြားတွင် အောက်စီဒေးရှင်းဖြစ်စဉ်သည် အရေးကြီးသော ကာကွယ်ရေး "အကာအကွယ်" အဆင့်ဖြစ်သည်။ ဝိဖ်များကို အပူချိန်မြင့်မားသော ဖုန်းန်းပေါက်များထဲသို့ ထည့်သွင်းပြီး အောက်စီဂျင်ကို ၎င်းတို့၏ မျက်နှာပုံပေါ်သို့ ညီညာစွာ စီးဆင်းစေသည်။ ထိုသို့ဖြင့် စီလီကွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်အပါးစားအလွှာကို ဖော်စေသည်။ ဤအလွှာပေါ်တွင် အချက်များစွာ တာဝန်များရှိသည်။ အထူးသဖြင့် အညစ်အကှေးများ ဝင်ရောက်ခြင်းကို ဓာတုဖောက်ပွန်မှုအဖြစ် ကာကွယ်ခြင်း၊ စီးဆင်းမှုများကို ကာကွယ်ရန် အကွာအဝေးဖြစ်စေသော အလွှာဖြစ်ခြင်းနှင့် နောက်ဆက်တွဲအဆင့်များဖြစ်သော အိုင်ယွန်ထည့်သွင်းခြင်းနှင့် အိုင်အိုန်အိုင်ဇ်ဖြစ်စေသော အဆင့်များတွင် အားကောင်းစေရန်နှင့် ကာကွယ်ရန် အထောက်အပံ့ပေးခြင်းတို့ဖြစ်သည်။ ဖုန်းန်းပေါက်စနစ်အတွင်းတွင် အတိအကျထိန်းချုပ်ထားသော မိုက်ခရို-တိုက်သော တုံးများကဲ့သို့ အလုပ်လုပ်သည့် စနစ်တွင် ဝိဖ်ဘုတ်၊ ဖုန်းန်းပေါက်အတွင်းပိုင်းအုပ်နှင့် အပူချိန်ကာကွယ်ရေးအစိတ်အပိုင်းများ စသည့် အစိတ်အပိုင်းများသည် သက်ဆိုင်ရာတာဝန်များကို ထမ်းဆောင်သည်။ အဆိုပါအစိတ်အပိုင်းများအနက် ဝိဖ်ဘုတ်သည် ဝိဖ်များနှင့် တိုက်ရိုက် "နီးကပ်စွာ ထိတွေ့မှု" ရှိပြီး ဝိဖ်များကို ထည့်သွင်းခြင်းနှင့် သယ်ဆောင်ခြင်းတာဝန်ကို ထမ်းဆောင်သည်။ ဖုန်းန်းပေါက်အတွင်းရှိ အပူချိန်များကို ပုံမှန်အားဖြင့် စင်တီဂရီဒီဂရီ ၈၀၀ အထက်တွင် ထိန်းသိမ်းပြီး အချို့သော ဖော်စေသောအဆင့်များတွင် စင်တီဂရီဒီဂရီ ၁၀၀၀ ကို ကျော်လွန်သည်။ ထို့ကြောင့် အဆိုပါအစိတ်အပိုင်းများသည် အပူချိန်မြင့်မှုအောက်တွင် အရွယ်အစားမှန်ကန်စွာ ထိန်းသိမ်းနိုင်ရန်နှင့် မည်သည့်အညစ်အကှေးမျှ မထုတ်လွှတ်နိုင်ရန် လိုအပ်သည်။ ထိုသို့မဟုတ်ပါက ဝိဖ်အုပ်စုတစ်ခုလုံး၏ ထုတ်လုပ်မှုနှုန်းသည် အလွန်အမင်း ကျဆင်းသွားနိုင်သည်။

၂။ တင်းကပ်သောလိုအပ်ချက်များ – ဝိဖ်ဖ်ဘော့တ်၏ စမ်းသပ်မှုများဖြစ်သည့် မှန်ကန်မှု၊ တည်ငြိမ်မှုနှင့် အသုံးပြုနိုင်မှု

အောက်ဆီဒေးရှင်း၏ အပူချိန်မြင့်မားသော စစ်မှန်သော မြေပုံတွင် ဝေဖာ ဘော့ခ်၏ အခန်းကဏ္ဍသည် ရိုးရှင်းသော "ထည့်သွင်းရန် ပလိတ်" အဖြစ်သာ မကောင်းမွန်ပါ။ ၎င်းသည် ဖုန်းန်း တွင် ဝေဖာများအတွက် "ရှယ်ယာ သယ်ယူပေးသော ယာဉ်" အဖြစ်သာမက အပူလေးထောင်တွင် ဝေဖာတစ်ခုချင်းစီသည် မှန်ကန်သော အနေအထားတွင် ရှိနေစေရန် အရေးကြီးသော အစိတ်အပိုင်းဖြစ်သည်။ အနည်းငယ်မျှ စောင်းထောင်ခြင်း (သို့) ရွှေ့ပြောင်းခြင်းသည် ဖလင်အထူမှု မတေးမျှခြင်း (သို့) ဝေဖာကွဲပွဲခြင်းအထိ ဖြစ်စေနိုင်သည်။ ထို့ကြောင့် အရည်အသွေးပေးသော ဝေဖာ ဘော့ခ်တစ်ခုသည် အများအားဖြင့် အများအားဖြင့် အရည်အသွေးမြင့်မားသော စွမ်းဆောင်ရည်များကို ပေးစေရန် လိုအပ်သည်။ ၎င်း၏ ဖွဲ့စည်းပုံသည် ဝေဖာအုပ်စုများကို အလွန်နှိပ်ကွပ်ထားပြီး အကောင်းမွန်စွာ ထောက်ပံ့ပေးရမည်။ ၎င်း၏ မျက်နှာပုံသည် လျှပ်စစ်သဲကြိုးများကို စုပ်ယူခြင်းကို ကာကွယ်ရမည်။ ပစ္စည်းသည် အပူချိန်မြင့်မားခြင်းနှင့် အအေးချခြင်းများကို အကြိမ်ပေါင်းများစွာ ခံနိုင်ရမည်။ ပုံစံပြောင်းလဲခြင်း (သို့) ကွဲပွဲခြင်းများကို ကာကွယ်ရမည်။ သို့သော် အင်ဂျင်နီယာများအတွက် အခက်ခဲဆုံး ပြဿနာမှာ အညစ်အကှေးထိန်းချုပ်ရေးဖြစ်ပြီး ၎င်းသည် "ဖုန်းန်း အတွင်းရှိ အပူချိန် ၁၀၀၀ ဒီဂရီစီလ်ဆီယပ်စ်ထက် ပိုမိုမြင့်မားသော အပူချိန်များကြောင့် ပုံမှန်ပစ္စည်းများတွင် ပါဝင်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးင်းများသည် လှုပ်ရှားနိုင်သည်။ ထိုသေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးငယ်သော သေးင်းများသည် ဝေဖာများ၏ မျက်နှာပုံသို့ စုပ်ယူခြင်း (သို့) ပျံ့နှံ့ခြင်းဖြစ်ပါက ကိရိယာ၏ လျှပ်စစ်စွမ်းဆောင်ရည်ကို တိုက်ရိုက်ထိခိုက်စေနိုင်သည်။ ထို့ကြောင့် ဝေဖာ ဘော့ခ်ပစ္စည်းများသည် အပူချိန်မြင့်မားခြင်းကို ခံနိုင်ရမည်၊ ပွန်းပဲခြင်းကို ခံနိုင်ရမည်၊ အညစ်အကှေးများကို အလွန်အမင်း ထိန်းချုပ်ရမည်။

၃။ ပစ္စည်းများ၏ ဖွံ့ဖော်မှု – ကွာတ်ဇ်သည် ၎င်း၏ အမြင့်ဆုံးအဆင့်သို့ ရောက်သောအခါ

ယခုအချိန်တွင် ကြွေးမော်ပါသည့် ဝိဖ်ဖ်လုပ်ဆောင်မှုများတွင် ကွာတ်ဇ်သည် စံနစ်ကြောင်းအတွင်း အဓိကအားဖော်သည့် ပစ္စည်းဖြစ်နေသည်။ အကြောင်းမှာ ၎င်း၏ အသုံးပြုမှုနည်းပညာ အဆင့်မြင့်မှုနှင့် စုစုပေါင်းစရိတ်အကောင်းဆုံးဖြစ်ခြင်းတို့ကြောင့်ဖြစ်သည်။ သို့သော် ချစ်ပ်ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်များသည် ၇ နမ်မီတာနှင့် ထိုထက်ပိုမိုသေးငယ်သော လိုင်န်ဝိဒ်များသို့ ဆက်လက်တိုးတက်လာသည့်အတွက် လုပ်ငန်းစဉ်အပူခါးန်းများသည် ပိုမိုကျယ်လောင်လာပြီး အောက်စီဒေးရှင်းနှင့် ဒိုင်ဖြူရှင်းအဆင့်များတွင် အသုံးပြုသည့် ကာရီယာများအပေါ် ပိုမိုကြီးမားသော လိုအပ်ချက်များကို ဖန်တီးလေးနက်စေသည်။ အပူခါးန်း ၁၀၀၀ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်ထက် ပုံမှန်အားဖော်သည့် အပူခါးန်းအောက်တွင် အကြိမ်ကြိမ် အပူခါးန်းပြောင်းလဲမှုများကြောင့် ကွာတ်ဇ်လုပ် ဘိုက်များ၏ အားနည်းချက်များသည် ပိုမိုထင်ရှားလာသည်။ အပူခါးန်းမြင့်မှုတွင် ဖော်မော်ပါသည့် ပုံစံပေါ်တွင် ဖော်မော်ပါသည့် အချိန်ကြာမှုသည် ဝိဖ်ဖ်အနေဖော်များကို မှန်ကန်စွာ မတ်တပ်ထားရန် အခက်အခဲဖြစ်စေသည်။ အလွန်သေးငယ်သော အမှုန်များ ကျော်ထွက်ခြင်းသည် ဝိဖ်ဖ်များ၏ မျက်နှာပုံကို ညစ်ပတ်စေသည်။ အသုံးပြုနိုင်သည့် အသက်တာကောင်းမှုသည် ဖုန်းန်းအသုံးပြုမှုကို အကြိမ်ကြိမ် ရပ်ဆို့ပေးရန် လိုအပ်စေသည်။ ဤအခက်အခဲများကို ရင်ဆိုင်ရသည့်အခါ ပိုမိုကောင်းမွန်သည့် ပစ္စည်းဖြစ်သည့် စီလီကွန်ကာဘိုင်ဒ် (SiC) စီရမစ်ဘိုက်သည် အများသိမှုမှ ထွက်ပေါ်လာခဲ့သည်။ ၎င်း၏ အပူခါးန်းခံနိုင်မှု၊ သန့်စင်မှုနှင့် ခံနိုင်ရည်ရှိမှုတို့တွင် အထက်တန်းအားသာချက်များကို အသုံးချ၍ ရှေးဟောင်းကွာတ်ဇ်ဖြေရှင်းနည်းများကို အများအားဖော်သည့် အစားထိုးဖြစ်လာပြီး အဆင့်မြင့် ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်များတွင် မရှိမဖြစ်သည့် "မြင်နိုင်သည့် အုတ်မူလာ" အဖြစ် ဖြစ်လာသည်။

၄။ အားသာချက်များကို ဖော်ထုတ်ခြင်း – SiC ပန်းကန်များ၏ အဓိက အားသာချက်လေးများ

ဆီလီကွန်ကာဘိုင်ဒ် စီရမစ်ပန်းကန်များကို အထူးခြားစေသည့် အကြောင်းရင်းများမှာ အတိအကျ အဘယ်နည်း။ အောက်ပါ အချက်လေးများမှ အားသာချက်များကို စုစုပေါင်း စူးစမ်းလေ့လောက်ကြည့်ပါ။

ပထမအချက်မှာ အပူစွမ်းဆောင်ရည်ဖြစ်သည်။ ကွာ့စ်ပစ္စည်းသည် ၁၂၀၀°C အထက်တွင် အနည်းငယ် ပျော့လာပြီး တဖြည်းဖြည်း ပုံပျက်လာကာ ကွေးလာသည်။ ထို့ပဲင့်မှာ SiC သည် ၁၃၀၀°C အထက်ရှိ အလွန်ပိုမိုပူသည့် အခြေအနေများတွင်ပါ ပုံပျက်မှုမရှိဘဲ မှန်ကန်သည့် ပုံစံနှင့် တိကျမှုကို ထိန်းသိမ်းပေးနိုင်သည်။ ထိုကြောင့် အပူချိန်မြင့်မြင့်ဖြင့် ကြာရှည်စွာ လုပ်ဆောင်ရသည့် ရှုပ်ထွေးသည့် လုပ်ငန်းစဉ်များအတွက် ဝေဖာများ၏ တည်နေရာ တိကျမှုကို အမြဲတမ်း အာမခံပေးနိုင်သည်။

ဒုတိယအချက်မှာ သန့်စင်မှုဖြစ်ပါသည်။ SiC ပစ္စည်းအတွင်းရှိ သေးငယ်သော သံမဏိအစိမ်းအများကို အလွန်နိမ့်သောအဆင့်တွင် ထိန်းညှိထားပါသည်။ ထို့ကြောင့် ဝိဖြူကွဲပြားမှုအသစ်များ ဖြစ်ပေါ်လာခြင်းကို အလွန်အမင်း လျော့နည်းစေပါသည်။ ထို့အပြင် အတိကျသော စက်မှုလုပ်ငန်းစဉ်များဖြင့် အမျှင်များကို အလွန်နှေးကွေးစွာ ဖော်ပေးပါသည်။ ထို့ကြောင့် အလွန်သေးငယ်သော အမှုန်များကို အလွန်နည်းပါးစွာသာ ကောက်ယူနိုင်ပါသည်။ ထိုသို့သော အမျှင်များသည် Class 100 သို့မဟုတ် Class 10 အဆင့်ရှိ သန့်စင်မှုအဆင့်များကို လိုအပ်သော ခေတ်မီထုတ်လုပ်မှုလိုင်းများအတွက် အကောင်းဆုံးဖြစ်ပါသည်။

နောက်တစ်ချက်မှာ လုပ်ငန်းစဉ်အသုံးပြုနိုင်မှုဖြစ်ပါသည်။ အထူသော အလွန်ပူသော အလွန်မြင့်မားသော အပူခါးများ (၁၂၀၀ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်ထက် ပိုမိုမြင့်မားသော အပူခါးများ) တွင် အကောင်းဆုံး အသုံးပြုနိုင်သော အထူသော အလွန်ပူသော အလွန်မြင့်မားသော အပူခါးများ၊ နက်ရှိုင်းသော အမျှင်များဖြည့်ခြင်းနှင့် SiC ပါဝါ ကိရိယာများ ထုတ်လုပ်ရေးလုပ်ငန်းစဉ်များ စသည်တို့ကို အသုံးပြုရန် လိုအပ်ပါသည်။ ထိုအပူခါးများတွင် ကွန်ဇာ ပစ္စည်းများသည် အသုံးပြုနိုင်မှုမရှိတော့သောကြောင့် စီလီကွန်ကာဘိုင်း စီရမစ် ပန်းကန်သည် အသုံးပြုနိုင်သော အကောင်းဆုံး ရွေးချယ်မှုဖြစ်ပါသည်။

နောက်ဆုံးတွင် အထူးသဖြင့် ခံနိုင်ရည်ရှိမှုရှိပါသည်။ SiC ၏ ယန္တရားအားသန်မှုသည် ကွာတ်ဇ်ထက် အလွန်များပါသည်။ SiC ပန်းကန်တစ်ခုသည် ၁၂ လက်မအထိ ဝိုင်ဖာပေါင်း ၁၀၀ ကျော်ကို တစ်ပါတည်း ထောက်ပေးနိုင်ပြီး အနည်းငယ်မျှ မွေးမှုမရှိပါ။ ထို့အပြင် ၎င်း၏ အသုံးပြုနိုင်သည့် ကာလသည် ကွာတ်ဇ်နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက အကြိမ် ၃ ကျော်မှ ၁၀ ကျော်အထိ ပိုမိုရှည်လျားပါသည်။ ထိုကြောင့် ပန်းကန်အသစ်များ အစားထိုးရန်အတွက် စက်ပစ္စည်းများကို ရပ်ဆို့ရသည့် အကြိမ်ရေများ သိသိသာသာ လျော့နည်းသွားပါသည်။ ထို့ကြောင့် ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းများသည် ပိုမိုဆက်လက်၍ လည်ပတ်နိုင်ပါသည်။ ထို့အပြင် စုစုပေါင်း ပိုင်ဆိုင်မှုစုစုပေါင်းစရိတ်သည် ပိုမိုပေးနိုင်စွမ်းရှိလာပါသည်။

၅။ အသုံးပြုမှုနေရာများ

နေရောင်ခြင်းစွမ်းအား လုပ်ငန်းတွင် "မာကျောသော မိတ်ဖက်"

ဖိုတိုဗော်လေးတစ်က် ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းတွင် ဆီလီကွန်ကာဘိုင်ဒ် သံချေးများသည်လည်း အရေးပါသော တန်ဖိုးကို ပြသပါသည်။ TOPCon ဆဲလ်များအတွက် ပျံ့နှံ့မှုလုပ်ငန်းများနှင့် LPCVD နှင့် PECVD အစိုင်အမိုက်များ စသည့် အဆင့်များကို အပူချိန်မြင့်မှုနှင့် ဓာတုပိုမိုပျက်စီးစေသော ပတ်ဝန်းကျင်တွင် အကုန်လုပ်ဆောင်ရပါသည်။ SiC သံချေးဖွဲ့စည်းမှုများဖြင့် ပြုလုပ်ထားသော ဝိုင်ဖာ ပန်းအိုးများ၊ မိုင်နီပန်းအိုးများနှင့် အမျိုးမျိုးသော ပိုက်များသည် အလွန်ကောင်းမွန်သော ယန္တရားအား၊ အပူချိန်အလွန်ပေါက်ကွဲမှုကို ခံနိုင်ရည်ရှိမှုနှင့် ဓာတုဖိုးမှုများကို မှီခိုမှုမရှိမှုတို့ကြောင့် ဤပြင်းထန်သော အခြေအနေများတွင် အလွန်ကောင်းမွန်စွာ အလုပ်လုပ်နိုင်ပါသည်။ ထူးခြားချက်မှာ SiC သံချေးများကို ဝိုင်ဖာပန်းအိုးပုံစံသာမက လုပ်ငန်းစဉ်လိုအပ်ချက်များအရ ဆီလီကွန်ကာဘိုင်ဒ် သံချေးပြားများ၊ ဆီလီကွန်ကာဘိုင်ဒ် သံချေးပိုက်များ၊ ဆီလီကွန်ကာဘိုင်ဒ် သံချေးချောင်းများနှင့် အမျိုးမျိုးသော ပုံစံများဖြင့် ပုံစံဖန်တီးထားသော ဆီလီကွန်ကာဘိုင်ဒ် သံချေးအစိတ်အပိုင်းများအဖြစ် အလွယ်တက် ပုံစံဖန်တီးနိုင်ပါသည်။ ထိုသို့ဖော်ပေးခြင်းဖြင့် မတူညီသော ဖုန်းပိုက်အဆောက်အအိမ်များနှင့် အထုပ်ပို့မှုစနစ်များနှင့် လွယ်ကူစွာ ကိုက်ညီနိုင်ပါသည်။ ထို့ထက် ရှေးရိုးစွဲ ကွားစ်ထုတ်ကုန်များသည် ဤအသုံးချမှုများတွင် အနည်းငယ် "ကွဲပွင့်လွယ်သော" သဘောသုံးချက်ရှိပါသည်။ ၎င်းတို့သည် အပူချိန်မြင့်မှုတွင် ပျော့ပါးလာပြီး ပုံသောင်းပေါက်ကွဲမှုများ ဖြစ်ပေါ်လေ့ရှိပါသည်။ ထို့အပေါ် အမြဲပြောင်းလဲရန် လိုအပ်ခြင်းသည် သုံးစွဲမှုစရိတ်များကို မြင့်တက်စေသည့်အပေါ် ထိရောက်မှုရှိသော လုပ်ငန်းအချိန်များ ဆုံးရှုံးမှုကို ဖြစ်ပေါ်စေပါသည်။ SiC ထုတ်ကုန်များသည် ကွားးစ်ထုတ်ကုန်များထက် အသက်တာ ၅ ဆ ပိုမိုရှည်လေ့ရှိပါသည်။ ထို့အပေါ် အလွန်ကောင်းမွန်သော မှုန်းမှုကြောင့် ဝိုင်ဖာများသည် လုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း ပုံပေါက်မှုနှင့် သန့်ရှင်းမှုကို ထိန်းသိမ်းနိုင်ပါသည်။ ထို့ကြောင့် အကုန်ပိုမိုမှုန်းမှုများ သိသိသိသိ လျော့နည်းလေ့ရှိပါသည်။ စုစုပေါင်းစရိတ် တွက်ချက်မှုကို ကြည့်လျှင်— လွယ်ကူစွာ ရရှိနိုင်သော အစိတ်အပိုင်းများ၊ ပြောင်းလဲရန် ကာလများ ပိုမိုရှည်လေ့ရှိခြင်းနှင့် အနောက်တွင် အချိန်ဆုံးရှုံးမှုများ လျော့နည်းခြင်းတို့ကြောင့် SiC ဖော်ပေးမှုများ၏ စုစုပေါင်းစရိတ် အားသာချက်များ ရှင်းလင်းစွာ ပေါ်လွင်ပါသည်။

အင်တီဂရိတ်စားက်စ်ထဲမှ "ပုံသဏ္ဍာန်ညီညွတ်မှု စောင့်ရှောက်သူ"

SiC ဝက်ဖ်ယာလှေဟာ ပေါင်းစည်းထားတဲ့ ပတ်လမ်း ထုတ်လုပ်မှုရဲ့ အဓိက စစ်မြေပြင်ဆီ အာရုံစိုက်မှုကို ပြောင်းလိုက်ကာ မရှိမဖြစ် လိုအပ်နေဆဲပါ။ အောက်ဆီဒေ့ရှင်း၊ ဖြန့်ဝေမှု၊ ဓာတုဓာတ်ငွေ့ကျဲခြင်းနဲ့ အိုင်ယွန် စိုက်ပျိုးခြင်း အပါအဝင် အရေးပါတဲ့ ဖြစ်စဉ်တစ်သီကြီးအတွင်းမှာ ဝက်ဖ်ဖာတွေဟာ အပူချိန်မြင့်တဲ့ ထိတွေ့မှုကို အကြိမ်ကြိမ် ခံရပြီး အပူချိန်စက်ဝန်းတိုင်းမှာ အပူချိန်ဖိအား စိန်ခေါ် ဒီနေရာမှာ လှေရဲ့ တာဝန်က ဝက်ဖ်တွေကို "ကိုင်ထားခြင်း" အပြင်မှာ ကျယ်ပြန့်ပါတယ်။ ၎င်းဟာ ဝက်ဖ်တိုင်းဟာ မီးဖိုပြွန်အတွင်းမှာ လုံးဝကို တိုက်ညီတဲ့ အနေအထားကို ထိန်းသိမ်းထားဖို့ သေချာအောင်လုပ်ရမယ်၊ အပူပိုင်း ဖိအားက ပြဿနာတွေ ဖြစ်စေဖို့ အခွင့်အလမ်းကို ပယ်ချပေး မိုက်ခရွန်အဆင့် ဝက်ဖ်ဖာအလွှာတောင်မှ ဂရိချိတ်ဆက်မှု မှားယွင်းခြင်း (သို့) ကျွတ်ကျွတ်မှုကို ဖြစ်ပေါ်စေနိုင်ပြီး ကိရိယာ ပျက်စီးမှုဆီ တိုက်ရိုက် ဦးတည်စေပါတယ်။ SiC ပစ္စည်းဟာ ၎င်းရဲ့ အလွန်ကောင်းမွန်တဲ့ အပူချိန်မြင့် တင်းမာမှုနဲ့ အရွယ်အစား တည်ငြိမ်မှုကို အသုံးချကာ ဒီအန္တရာယ်ကို အနည်းဆုံး လျှော့ချပေးပါတယ်။ ထို့အပြင် ၎င်း၏ ညစ်ညမ်းမှုလွတ်မြောက်မှု အလွန်နိမ့်သော လက္ခဏာများကြောင့် နာရီများစွာကြာမြင့်သော အပူချိန်မြင့်ဖြစ်စဉ်များအတွင်းတွင်ပင် ၎င်းသည် အန္တရာယ်များသော သတ္တုအိုင်ယွန်များကို ဝက်ဖ်မျက်နှာပြင်သို့ မသွင်းဘဲ နောက်ဆုံး လျှပ်စစ်အချက်အလက်များနှင့် ချီပ်များ၏ ရေရှည်ယုံကြည်မှုရှိ စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် ချစ် (ပ်) တစ်ခုစီရဲ့ မွေးဖွားမှုနောက်ကွယ်မှာ SiC ဝက်ဖ်ယာလှေဟာ "ကျယ်ပြန့်မှု အစောင့်" နဲ့ "သန့်ရှင်းမှု ကာကွယ်သူ" ဆိုတဲ့ နှစ်မျိုးတွဲ အခန်းကဏ္ဍကို တိတ်ဆိတ်စွာ သရုပ်ဆောင်တယ်လို့ ပြောနိုင်ပါတယ်။

တတိယမျိုးဆက် စမီးကြေးဝိုင်းများအတွက် "မမြင်ရသော အခြေခံအုတ်များ"

တတိယမျော်လင့်ချက် အရွှံ့အမြှုပ်နည်းပညာများ၏ အကြောင်းအရာတွင် SiC ပန်းကန်များ၏ အသုံးချမှုများသည် အသစ်သော အရှုပ်အထောက်များသို့ ချဲ့ထွင်လာသည်။ ဂါလီယမ် နိုက်ထရိုက် (GaN) အပေါ်ယံအလွှာများကို ပြုလုပ်ရန်အတွက် အဓိက စက်ကိရိယာဖြစ်သည့် MOCVD စက်ကိရိယာကို ဥပမောပမာအဖြစ် ယူကြည့်ပါ။ အိုင်းအိုန်းခ် အခန်းတွင် အမိုနီးယားကဲ့သို့သော အလွန် အစားအစာ ဖျက်ဆီးနိုင်သည့် ဓာတ်ငွေများဖြင့် ပြည့်နေပြီး အပူခ်ါမှုများသည် အများအားဖြင့် မြင့်မားသည်။ ဤနေရာတွင် SiC ဝိုင်ဖာပန်းကန်သည် စပါဖိုင်ယာ အခြေခံများကို ထောက်ပံ့ပေးရန် တာဝန်ယူထားပြီး ဒီလောက် ပြင်းထန်သည့် ဓာတုပုံစံအခြေအနေတွင် အေးဆေးစွာ ရပ်တည်နေနိုင်ပါသည်။ ထို့ကြောင့် GaN ပါမ်မ်များ တစ်သောင်းတည်း ပေါ်ထွက်လာရန် အတွက် စိတ်ချရသည့် ထောက်ပံ့မှုကို ပေးစေပါသည်။ ထို့အပြင် LED ချစ်ပ်များ၏ အလင်းထုတ်မှု ထိရောက်မှုနှင့် နောက်ဆုံးအလင်းအားကို တိုက်ရိုက် သက်ရောက်မှုရှိပါသည်။ စီလီကွန် ကာဘိုင်း တစ်ခုတည်းသော ကြေးမှုများကို ပြုလုပ်ရာတွင် ပန်းကန်၏ အခန်းကဏ္ဍသည် ပြောင်းလဲသည်— ၎င်းသည် မှုန်မှုန်အစေးအတွင်း တည်ရှိသည့် မှုန်မှုန်အစေးကို ထောက်ပံ့ပေးသည့် အဖွဲ့အစည်းအဖြစ် ပြောင်းလဲသည်။ အပူခ်ါမှုများ အလွန်မြင့်မားသည့် အစေးအတွင်း အမြဲတမ်း ဖျက်ဆီးမှုများနှင့် တိုက်ခိုက်မှုများကို ခံနိုင်ရည်ရှိပါသည်။ ထို့ကြောင့် SiC တစ်ခုတည်းသော ကြေးမှုများ စနစ်တကျ ပေါ်ထွက်လာရန်အတွက် အခြေခံအုတ်မူကို တည်ဆောက်ပေးပါသည်။ ဤ SiC ပန်းကန်များမှ အေးဆေးစွာ အလုပ်လုပ်ပေးနေခြင်းမရှိပါက တတိယမျော်လင့်ချက် အရွှံ့အမြှုပ်နည်းပညာ ကိရိယာများတွင် စွမ်းဆောင်ရည် အောင်မှုများကို ရရှိနိုင်မည်မဟုတ်ပါ။

၆။ အနာဂတ်အမြင် - နည်းပညာဆိုင်ရာ ချောက်ချားမှုများနှင့် အလွန်အမင်းကျယ်ပေါင်းလာသော အလားအလာများ

SiC ဝက်ဖ်ယာလှေတွေရဲ့ ဆင့်ကဲဖြစ်စဉ်လမ်းကြောင်းကို ရှေ့ဆက်ကြည့်တဲ့အခါ နည်းပညာဖွံ့ဖြိုးမှု ဦးတည်ချက်ဟာ အဓိက အထုံးတွေ အနည်းငယ်ကို ပိုပိုပြီး အာရုံစိုက်နေပါတယ်။ တစ်ဖက်မှာ SiC ပစ္စည်းရဲ့ ကိုယ်တွင်းက ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ လက္ခဏာက ၎င်းရဲ့ အပူချိန်တိုးပွားမှု အချိုးအစားကို အတော်လေး မြင့်မားစေလို့ အပူချိန် ပြင်းထန်စွာ ပြောင်းလဲတဲ့အခါ အတွင်းပိုင်း ဖိအားနဲ့ နောက်ဆက်တွဲ အက်ကြောင်းဖွဲ့စည်းမှု ခံနိုင်ရည်ရှိစေပါတယ်။ ဒီကျပ်တည်းမှုကို ကျော်လွှားဖို့ စက်မှုလုပ်ငန်းဟာ အစုလိုက် ပုံသွင်းမှု လုပ်ငန်းစဉ်တွေကို တက်ကြွစွာ အားပေးနေပါတယ် အမှုန်တွေ လွတ်မြောက်ခြင်းနဲ့ အရင်းအမြစ်မှာ ဖိအားစုစည်းမှု အန္တရာယ်ကို ဖယ်ရှားဖို့ အဆစ်တွေနဲ့ ချည်ချုပ်မှုတွေကို အနည်းဆုံးထိ လျှော့ချပေးပါတယ်။ တစ်ဖက်မှာ လှေရဲ့ slot တွေရဲ့ ဂျီသြမေတြီ ဒီဇိုင်းကိုလည်း အသေးစိတ် ပြုပြင်ပြောင်းလဲနေပါတယ်။ ၅-ဝင်ရိုး CNC စက်နှင့် တိကျသော ကြိုးဖြတ်ခြင်းကဲ့သို့သော အဆင့်မြင့်နည်းပညာများကို အသုံးပြုခြင်းဖြင့် slot များ၏ အရွယ်အစား ကန့်သတ်ချက်များနှင့် မျက်နှာပြင် အရည်အသွေးသည် မကြုံစဖူး အဆင့်များသို့ ရောက်ရှိလာပြီး စက်ရုပ်လက်မောင်းများမှ တောင့်တင်းခြင်း သို့မဟုတ် ခြစ်ခြစ်ခြင်း အန္တရာယ်မရှိဘဲ ချော လုပ်ငန်းစဉ် အရွယ်ရောက်မှု တိုးလာပြီး အတိုင်းအတာ စီးပွားရေးတွေ ဖြစ်လာတာနဲ့အမျှ SiC wafer boat တွေအတွက် ကုန်ကျစရိတ် နယ်နိမိတ်ဟာ တဖြည်းဖြည်းချင်း ကျဆင်းသွားပြီး ၎င်းတို့ရဲ့ အသုံးချမှု နယ်နိမိတ်တွေဟာ အဆင့်မြင့် လုပ်ငန်းစဉ်တွေကနေ ကျယ်ပြန့်တဲ့ စက်မှုနယ်ပယ်တွေဆီ ဆက်လက် ကျယ်