9F,Bldg.A Dongshengmingdu Plaza,No.21 Chaoyang East Road,Lianyungang Jiangsu,Çin +86-13951255589 [email protected]
Kısaca
Kabartma kaynağı (nokta kaynağı) için kullanılan yüksek hassasiyetli Si3N4 seramik pozisyon pimleri. Yüksek mukavemet, düşük yoğunluk ve yüksek sıcaklık direncine sahiptir. İzole edici silisyum nitrür yerleştirme pimi, gereksiz akım geçişini tamamen önler ve pim ile iş parçası arasındaki kıvılcımı engeller.
Silisyum Nitrür (Si₃N₄) yerleştirme pimleri, parçaların, aparatların ve sabitleyicilerin doğru konumlandırılması ve hizalanması amacıyla endüstriyel makine ve imalat süreçlerinde kullanılan yüksek hassasiyetli gelişmiş seramik bileşenlerdir. Yüksek aşınma, sıcaklık ve korozyonun etkili olduğu zorlu ortamlarda geleneksel çelik pimlerin dayanıklı ve güvenilir bir alternatifi olarak kullanılırlar.
Detaylar
Silisyum nitrür seramik, sinterlendiğinde büzülmemesi özelliği olan inorganik bir malzeme seramiktir. Silisyum nitrür özellikle sıcak preslenmiş haliyle çok güçlüdür ve bu madde en sert maddelerden biridir. Yüksek mukavemeti, düşük yoğunluğu ve yüksek sıcaklık direnci vardır. Silisyum nitrürün yüksek direnci, iş parçasının uzun süre boyunca hassas bir şekilde konumlandırılmasını sağlar.
Silisyum nitrür seramik kaynak pozisyonlama pimlerinin avantajları:
Kılavuz Pimlerin Çapı: M4, M5, M6, M8, M10, M12 … ayrıca özel üretim kabul edilir
Uygulama alanı:
Kaynak doğruluğunu ve kalitesini sağlamak amacıyla otomatik kaynak makinelerinde pozisyonlama elemanı olarak kullanılır.
Termal yüklerden etkilenen ortamlarda özellikle hassas montaj gerektiren mekanik veya elektronik ekipman üretiminde kullanılır.
Uzay ve otomotiv endüstrisi gibi korozyon direnci ve yüksek sıcaklık kararlılığı gerektiren karmaşık mekanik sistemlerde.
Parametre
Silis Nitridi
| Ürün | gaz basınçlı sinterleme | isı basıncı ile sinterleme | reaktif sinterleme | basınçsız sinterleme |
| Rockwell sertliği (HRA) | ≥75 | - | > 80 | 91-92 |
| hacim yoğunluğu(g/cm3) | 3.25 | > 3,25 | 1.8-2.7 | 3.0-3.2 |
| Dielektrik sabiti (εr20℃, 1MHz) | - | 8.0(1MHz) | - | - |
| elektriksel hacim direnci(Ω.cm) | 10¹⁴ | 10⁸ | - | - |
| kırılma tokluğu (MPa m1/2) | 6-9 | 6-8 | 2.8 | 5-6 |
| Elastisite modülü (GPa) | 300-320 | 300-320 | 160-200 | 290-320 |
| isıl genleşme katsayısı (m/K *10⁻⁶/℃) | 3.1-3.3 | 3.4 | 2.53 | 600 |
| termal Iletkenlik (W/mK) | 15-20 | 34 | 15 | - |
| weibull modülü (m) | 12-15 | 15-20 | 15-20 | 10-18 |