Creuset en AlN – Haute conductivité thermique et résistance chimique pour le traitement des semiconducteurs

Caractéristiques du produit

1. Performance thermique exceptionnelle
Haute conductivité thermique : Sa conductivité thermique est beaucoup plus élevée que celle des creusets céramiques traditionnels tels que l'alumine et la zircone. Il assure une conduction uniforme de la chaleur, un transfert rapide de la chaleur, réduit les surchauffes locales et protège les échantillons des dommages dus aux chocs thermiques.
Une conductivité thermique pouvant atteindre 320 W/m·K garantit une dissipation rapide de la chaleur.
Faible dilatation thermique (4,5×10⁻⁶/°C), compatible avec le silicium et l'arséniure de gallium.

2. Résistance mécanique supérieure
Excellente isolation électrique : elle maintient une résistivité élevée à haute température, ce qui la rend adaptée aux expériences de chauffage électrique dans des environnements tels que le vide et les gaz inertes, sans provoquer de fuite électrique ni d'interférences électromagnétiques. Haute résistance à la flexion (350 MPa) pour une durabilité en conditions extrêmes.

3. Excellente stabilité chimique
Sa grande résistance mécanique et sa résistance à la flexion lui confèrent un avantage dans certaines applications nécessitant une haute résistance et rigidité ; cela lui assure également des performances excellentes dans les domaines de la découpe résistante à l'usure et de la résistance à l'abrasion. Faible coefficient de dilatation thermique et bonne compatibilité : son coefficient de dilatation thermique est proche de celui de matériaux semiconducteurs tels que le silicium et l'arséniure de gallium. Elle subit peu de déformation lors des cycles de chauffage et de refroidissement, et ne se fissure pas facilement sous l'effet des contraintes thermiques.

4. Excellente isolation électrique
Résistivité électrique élevée et faibles pertes diélectriques pour les applications sensibles. Haute stabilité chimique : à haute température, il ne réagit pas avec la plupart des métaux (tels que Al, Fe, Cu), semi-conducteurs, verre, céramiques, etc., n'entraîne pas de contamination des échantillons et est stable vis-à-vis des acides (sauf l'acide fluorhydrique). Les céramiques de nitrure d'aluminium sont d'excellents matériaux isolants électriques, adaptés aux dispositifs électroniques et autres applications nécessitant une isolation électrique.

5. Bonne résistance aux hautes températures : Il présente de bonnes performances dans des environnements à haute température et conserve sa structure et ses propriétés. Il convient donc à des applications industrielles à haute température telles que fours, équipements de traitement thermique, etc. La température de service peut dépasser 1800 °C (en vide ou en atmosphère inerte), ce qui permet de répondre aux besoins de frittage, de fusion, de synthèse et d'autres expériences à haute température.

les céramiques à base de nitrure d'aluminium présentent une bonne stabilité chimique et aux solvants, ce qui les rend largement utilisées dans l'industrie chimique et les environnements de laboratoire. Les céramiques à base de nitrure d'aluminium possèdent d'excellentes caractéristiques non magnétiques et anti-corrosion, et ne sont pas affectées par les champs magnétiques.



Spécifications techniques

Applications

1. Domaine des semiconducteurs : utilisé pour la fusion à haute température, la croissance épitaxiale et le traitement de recuit après implantation ionique de matériaux semiconducteurs (silicium, arséniure de gallium, carbure de silicium, etc.) afin de garantir la pureté des échantillons.
2. Domaine des céramiques électroniques : utilisé pour le frittage à haute température de composants électroniques tels que les condensateurs céramiques multicouches (MLCC) et les inductances de puces, afin d'améliorer la conductivité thermique et les performances d'isolation des composants.
3. Expériences à haute température et synthèse de matériaux : Dans les universités et instituts de recherche, il est utilisé pour les réactions solides à haute température, la fusion sous vide de métaux ou d'alliages, et la préparation à haute température de nanomatériaux.
4. Domaine des LED et de l'électronique de puissance : Utilisé pour le traitement à haute température des matériaux de substrat de puces LED et le frittage-formage des substrats céramiques pour l'emballage des modules semiconducteurs de puissance.

Service et support

Dimensionnement et usinage sur mesure selon besoins spécifiques.
Contrôle qualité rigoureux avec certification des matériaux.
Support technique dédié et service après-vente.

Perspectives de développement du nitrure d'aluminium (AlN)

La tendance implacable vers la miniaturisation, une densité de puissance plus élevée et des performances accrues dans les dispositifs électroniques entraîne un besoin urgent de matériaux avancés capables de gérer efficacement la chaleur tout en assurant une isolation électrique fiable. Le nitrure d'aluminium (AlN), grâce à sa combinaison exceptionnelle de conductivité thermique élevée et d'isolation électrique supérieure, est idéalement positionné pour relever ces défis, garantissant ainsi une croissance expansive dans les industries de pointe.

Dans le domaine de l'électronique de puissance, le nitrure d'aluminium (AlN) devient indispensable. Il sert de matériau clé pour les substrats et les dissipateurs thermiques dans les modules semiconducteurs haute puissance et les LED, où sa capacité à dissiper la chaleur dépasse largement celle de l'alumine traditionnelle, améliorant ainsi la durée de vie et les performances des dispositifs. Les secteurs aérospatial et de la défense exploitent l'AlN pour sa stabilité dans des environnements extrêmes, l'utilisant dans des composants RF/micro-ondes et des systèmes avioniques. Par ailleurs, l'essor des nouvelles technologies énergétiques, notamment les véhicules électriques (VE) et les systèmes photovoltaïques, crée une demande massive de substrats céramiques en AlN et de creusets pour la conversion d'énergie et le traitement de matériaux à haute pureté.

Alors que la 5G, l'Internet des objets (IdO) et les semi-conducteurs à large bande interdite (comme le SiC et le GaN) deviennent mainstream, les fréquences de fonctionnement et la génération de chaleur des dispositifs ne feront qu'augmenter. Le nitrure d'aluminium, grâce à ses capacités éprouvées et aux recherches en cours visant des procédés de fabrication encore plus rentables, constitue un élément clé pour la prochaine génération de systèmes électroniques hautes performances, fiables et compacts. Son avenir n'est pas seulement prometteur ; il est fondamental pour le progrès technologique.