반도체 공정용 고열전도성 및 내화학성 AlN 도가니

제품 특징

1. 뛰어난 열 성능
높은 열전도성: 산화알루미나 또는 지르코니아와 같은 기존 세라믹 크루시블보다 훨씬 높은 열전도성을 가집니다. 균일하게 열을 전달하며, 빠르게 열을 이동시키고 국부적인 과열을 줄여 시료를 열충격 손상으로부터 보호합니다.
최대 320W/m·K에 달하는 열전도성으로 신속한 열 방출이 가능합니다.
낮은 열팽창계수(4.5×10⁻⁶/°C)로 실리콘 및 갈륨비소와 일치합니다.

2. 우수한 기계적 강도
우수한 전기 절연성: 고온에서도 높은 비저항을 유지하여 진공 및 불활성 가스 환경과 같은 조건에서 전기 누설이나 전자기 간섭 없이 전기 가열 실험에 적합합니다. 극한 조건에서도 내구성을 보장하는 높은 휨 강도(350MPa)를 갖추고 있습니다.

3. 뛰어난 화학적 안정성
높은 기계적 강도와 굽힘 저항성으로 인해 높은 강도와 강성이 요구되는 일부 응용 분야에서 우위를 점하며, 마모 저항성 절단 및 내마모성에서도 뛰어난 성능을 발휘합니다. 낮은 열팽창 계수 및 우수한 적합성: 그 열팽창 계수는 실리콘 및 갤륨비소와 같은 반도체 재료에 근접하여 가열 및 냉각 시 변형이 작고 열응력으로 인한 균열이 발생하기 어렵습니다.

4. 우수한 전기 절연성
민감한 응용 분야에 적합한 높은 전기 저항성과 낮은 유전 손실. 높은 화학적 안정성: 고온에서도 대부분의 금속(예: Al, Fe, Cu), 반도체, 유리, 세라믹 등과 반응하지 않으며 시료를 오염시키지 않고 산에는 안정적임(불화수소산 제외). 질화알루미늄 세라믹은 전자 장치 및 기타 전기 절연이 요구되는 응용 분야에 적합한 우수한 전기 절연 재료임.

5. 우수한 내열성: 고온 환경에서 잘 작동하며 구조와 성능을 유지함. 따라서 스토브, 열처리 장비 등의 고온 산업용 응용 분야에 적합함. 사용 온도는 진공 또는 불활성 분위기에서 1800℃ 이상에 도달할 수 있어 고온 소결, 제련, 합성 등의 실험 요구 조건을 충족시킴.

질화알루미늄 세라믹은 화학물질 및 용매에 대해 우수한 안정성을 가지므로 화학 산업 및 실험실 환경에서 널리 사용됩니다. 질화알루미늄 세라믹은 비자성 및 부식 방지 특성이 뛰어나며 자기장의 영향을 받지 않습니다.



기술 사양

응용 분야

1. 반도체 분야: 반도체 소재(실리콘, 갈륨비소, 실리카르바이드 등)의 고온 용융, 에피택셜 성장 및 이온 주입 후 어닐링 처리에 사용되어 시료의 순도를 보장합니다.
2. 전자세라믹 분야: 다층세라믹커패시터(MLCC) 및 칩 인덕터와 같은 전자부품의 고온 소결에 사용되며, 부품의 열전도율과 절연 성능을 향상시킵니다.
3. 고온 실험 및 소재 합성: 대학 및 연구기관에서 고온 고체 반응, 금속 또는 합금의 진공 용융, 나노소재의 고온 제조에 사용됩니다.
4. LED 및 전력전자 분야: LED 칩 기판 소재의 고온 처리 및 전력반도체 모듈 패키징용 세라믹 기판의 소결 성형에 사용됩니다.

서비스 및 지원

특정 요구사항에 맞춘 맞춤형 사이징 및 가공
자재 인증을 포함한 철저한 품질 관리
전문적인 기술 지원 및 애프터서비스

질화알루미늄(AlN)의 발전 전망

전자 기기에서 지속적인 소형화, 높은 전력 밀도 및 향상된 성능을 향한 추세는 열을 효율적으로 관리하고 신뢰성 있는 전기 절연을 제공할 수 있는 첨단 소재에 대한 절실한 필요성을 불러일으키고 있습니다. 뛰어난 열전도성과 우수한 전기 절연 특성을 동시에 갖춘 질화알루미늄(AlN)은 이러한 과제를 해결할 수 있는 최적의 소재로, 차세대 첨단 산업 전반에 걸쳐 광범위하게 성장할 전망입니다.

전력 전자 분야에서 AlN은 점점 없어서는 안 될 존재가 되고 있습니다. AlN은 고출력 반도체 모듈 및 LED의 기판과 히트싱크용 주요 소재로 사용되며, 여기서 열을 방산하는 능력이 기존의 알루미나보다 훨씬 뛰어나 장치의 수명과 성능을 향상시킵니다. 항공우주 및 국방 분야에서는 극한 환경에서도 안정성을 제공하는 AlN을 활용하여 RF/마이크로파 부품과 항공전자 시스템에 적용하고 있습니다. 또한 전기차(EV)와 태양광 발전 시스템과 같은 신에너지 기술의 발전으로 인해 전력 변환 및 고순도 소재 처리를 위한 AlN 세라믹 기판과 도가니에 대한 수요가 크게 증가하고 있습니다.

5G, IoT 및 SiC와 GaN과 같은 광대역 갭 반도체가 주류로 자리 잡음에 따라, 장치들의 동작 주파수와 발열은 더욱 증가할 것입니다. 질화알루미늄(AlN)은 입증된 성능과 더 저렴한 제조 공정을 위한 지속적인 연구를 바탕으로 차세대 고효율, 신뢰성 높고 소형의 전자 시스템을 실현하는 핵심 요소로 자리매김하고 있습니다. 그 미래는 단지 유망할 뿐만 아니라 기술 발전에 있어 근본적인 존재입니다.