ဆီမီးကွန်ဒပ်တာအတွက် စိတ်ကြိုက်ထုတ်လုပ်ထားသော အပူချိန်မြင့်မားမှုကို ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး ပြားချပ်ပြားကွန်ကရစ်ဖလားဂျက်ဘီး

ကွတ်ဇ်ဖလန်ချ်များ၏ ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ် -

• ကုန်ကြမ်းရွေးချယ်ခြင်း - သန့်စင်မှုအမြင့်ဆုံးရှိသော သဘာဝကွတ်ဇ်ကျောက်ဖြစ်ပြီး သို့မဟုတ် စစ်ထုတ်ထားသော ကွဲလှယ်ကို ကုန်ကြမ်းအဖြစ် ရွေးချယ်ပါသည်။ ကွတ်ဇ်ပါဝင်မှုသည် ပိုမိုကောင်းမွန်သော ဂုဏ်သတ္တိများရရှိစေရန် 99.9% ထက် ပိုမိုများပြားပါသည်။
• မီးရှို့ခြင်း - ကုန်ကြမ်းကို အလွန်မြင့်မားသော အပူချိန် (1700 °C) တွင် ဗကူးချ်မ် သို့မဟုတ် ဓာတ်မတည့်သော ပတ်ဝန်းကျင်ဖurnace (လျှပ်စစ်ဓာတ်အားဖြင့် အပူပေးသော သို့မဟုတ် လှိုင်းမှုန့်ဖြင့် အပူပေးသော furnace) တွင် အရည်ပျော်စေပြီး အာလုံးအတွက် မှုန်မဲ့ ကွတ်ဇ်အရည်ဖြစ်အောင် ပြုလုပ်ပါသည်။
• ပုံသွင်းခြင်း - အရည်ပျော်နေသော ကွတ်ဇ်ကို နောက်တစ်ဆင့်တွင် နည်းလမ်းများဖြင့် ဖလန်ချ်ပုံသွင်းပါသည်-

• မော်လ်ဒင်း - တိကျသော ဂရပ်ဖိုက် သို့မဟုတ် ကျောက်မီးသွေးမော်လ်တွင် ဖိုးပါသည်။
• စင်တြီဖျူဂယ်ကပ်စ်တင်း - အလယ်တွင် ဟောင်းပြွတ်နေသော စီလင်ဒါပုံစံများကို ဖြစ်ပေါ်စေရန် မော်လ်ကို လှည့်ပေးပြီးနောက် စက်ဖြင့် ဖြတ်ညှပ်ပါသည်။
• ပူအားပေးခြင်း/နိဂုံးချုပ်ခြင်း- သိပ်သည်းမှုရရှိစေရန်နှင့် ပုံသဏ္ဍာန်နီးပါးဖြစ်အောင် ဖိအားဖြင့် တိုက်ရိုက်ပုံဖော်ခြင်းအတွက် ကွာဇ်အစိုင်အခဲကို အပူပေး၍ ဖိအားပေးခြင်း။

• အပူဖြင့်ဖြေရှင်းပြီး ဖြည်းဖြည်းချင်းအေးစေခြင်း။ ပုံသွင်းထားသော ဖလိန်ဂျ်များကို အပူဖြင့်ဖြေရှင်းပေးသည့် ဖurnace တွင် ထိန်းချုပ်၍ ဖြည်းဖြည်းချင်းအေးစေသည်။ ဤသို့ပြုလုပ်ခြင်းဖြင့် အတွင်းပိုင်း အပူစိုက်စွဲမှုကို ဖယ်ရှားနိုင်ပြီး ကွဲအက်ခြင်းကို ကာကွယ်ကာ ဖွဲ့စည်းပိုင်း တည်ငြိမ်မှုကို သေချာစေသည်။
• တိကျသော စက်ဖြင့် ပြုလုပ်ခြင်း။ အပူဖြင့်ဖြေရှင်းပြီး တုံးများကို diamond-coated ကိရိယာများဖြင့် အထူးဂရုစိုက်၍ စက်ဖြင့် ပြုလုပ်သည်။ ၎င်းတွင် တိုင်းတာရန်၊ ဖြတ်တောက်ရန်၊ အပေါက်ဖောက်ရန်နှင့် ဆေးခြင်းတို့ ပါဝင်ပြီး နောက်ဆုံး အရွယ်အစား၊ မျက်နှာပြင်အဆင့်အတန်း (အများအားဖြင့် အလင်းရောင်ဆိုင်ရာ အဆင့်)၊ ပြားခြင်းနှင့် တိကျသော ပိတ်ဆို့မှု မျက်နှာပြင်များ (ဥပမာ Ra < 0.4 μ မီလီမီတာ)။
• သန့်ရှင်းရေးနှင့် အရည်အသွေးစစ်ဆေးခြင်း။ ညစ်ညမ်းမှုများကို ဖယ်ရှားရန် သန့်ရှင်းရေး (ဥပမာ - ultrasonic, အက်ဆစ်ဖြင့် သန့်ရှင်းရေး) ကို တင်းကျပ်စွာ ပြုလုပ်သည်။ ဖလိန်ဂျ်တစ်ခုချင်းစီကို အရွယ်အစား၊ အမြင်အာရုံ ချို့ယွင်းချက်များ (လေအိတ်များ၊ ပါဝင်မှုများ) နှင့် အလင်းရောင်ဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများအတွက် စစ်ဆေးသည်။ Laser interferometry ကဲ့သို့ အဆင့်မြင့်နည်းလမ်းများသည် ပြားခြင်းနှင့် အပြိုင်ဖြစ်ခြင်းကို စစ်ဆေးပေးသည်။

စပျံကျောက် ဖလိန်ဂျ်များ၏ အားသာချက်များ-

• ထူးခြားသော အပူတည်ငြိမ်မှု။ အပူချိန် ပြောင်းလဲမှုအတွက် ပြဲ့ထွက်မှု အချိုးကို အလွန်နည်းပါးသည် (~5.5 x 10 ⁻⁷ /K) က အပူဒဏ်ကို အလွန်ခံနိုင်ရည်ရှိစေပါတယ်။ ၎င်းတို့ဟာ အပူချိန်နှုန်း ၁၀၀၀ မှ ၁၀၀၀ အထိကို မြန်မြန်ဆန်ဆန် အပူပေးပြီး အအေးပေးမှုကို ခံနိုင်စွမ်းရှိပါတယ်။ °C ကို အခန်းအပူချိန်ထိ ပြတ်တောက်မှုမရှိဘဲ
• အပူချိန်မြင့်ခံနိုင်ရည်: ၁၁၀၀ အထိ အပူချိန်မှာ ဆက်တိုက် အလုပ်လုပ်နိုင်တယ် °C နဲ့ ၁၃၀၀ အထိ ခဏလေး °C၊ သတ္တုတွေ ပျော့သွားတဲ့ နေရာမှာ တည်ဆောက်မှု မပျက်စီးအောင် ထိန်းသိမ်းပေးတယ်။
• ပိုမြင့်တဲ့ ဓာတုသန့်ရှင်းမှုနှင့် အမာခံမှု: မြင့်မားသောသန့်ရှင်းမှုရှိ SiO မှထုတ်လုပ်ထားသည် ၂ ၎င်းတို့ဟာ အဆီများ၊ halogens များနဲ့ ပြင်းထန်တဲ့ ဓာတုပစ္စည်းများ (hydrofluoric acid နဲ့ ပူပြင်းတဲ့ phosphoric acid တို့မှလွဲရင်) ကွဲပြားမှုကို ခံနိုင်ရည်မြင့်မားပြီး အပေါက်မပါကြပါ။ ဒါက ထိခိုက်လွယ်တဲ့ လုပ်ငန်းစဉ်တွေမှာ ညစ်ညမ်းမှုကို တားဆီးပါတယ်။
• အလွန်ကောင်းမွန်သော အလင်းပိုင်း ဂုဏ်သတ္တိများ: UV မှ အနီအောက်အနီးသို့ ကျယ်ပြန့်သော ရောင်စဉ်တစ်ခုလုံးတွင် အလွန်ပွင့်လင်းမြင်သာမှု။ ဒါက အမြင်ပိုင်းဖြစ်စဉ် စောင့်ကြည့်မှု၊ UV လွှဲပြောင်းမှုနဲ့ လေဆာ အသုံးများအတွက် အသုံးပြုခွင့်ပေးတယ်။
• ထူးခြားသော လျှပ်စစ်အကာအကွယ်: မြင့်မားသော dielectric ခိုင်မာမှုနှင့် လျှပ်စစ်ကူးစက်မှုနိမ့်သည် မြင့်မားသောအပူချိန်များတွင်ပင် ၎င်းတို့ကို semiconductor နှင့် vacuum applications များအတွက်အံဝင်ခွင်ကျဖြစ်စေသည်။
• မက်ကနစ်ကြံ့ခိုင်မှုနှင့် တင်းမာမှုမြင့်မားခြင်း- ဖျော့ညောင်းမှုရှိသော်လည်း၊ ပေါင်းစပ်ကွာတဇ်သည် ဖိအားဒဏ်ကိုကောင်းစွာခံနိုင်ပြီး အပူချိန်မြင့်မားသောအခါတွင်ပါ ပုံသဏ္ဍာန်ကိုထိန်းသိမ်းထားနိုင်ပါသည်။ ပေါလီမာအများအပြားကဲ့သို့မဟုတ်ပါ  ပေါင်းစပ်ကွာတဇ်သည် ဖိအားဒဏ်ကိုကောင်းစွာခံနိုင်ပြီး အပူချိန်မြင့်မားသောအခါတွင်ပါ ပုံသဏ္ဍာန်ကိုထိန်းသိမ်းထားနိုင်ပါသည်။ ပေါလီမာအများအပြားကဲ့သို့မဟုတ်ပါ  အပူချိန်မြင့်မားသောအခါတွင်ပါ ပုံသဏ္ဍာန်ကိုထိန်းသိမ်းထားနိုင်ပါသည်။ ပေါလီမာအများအပြားကဲ့သို့မဟုတ်ပါ
• ယူလ်ထရာအဆင့်မြင့် ဗကူးခ်ယမ် အသုံးပြုနိုင်မှု- ဓာတ်ငွေ့စိမ့်ဝင်မှုနှင့် ဓာတ်ငွေ့ထွက်ရှိမှုနှုန်းများသည် အလွန်နိမ့်ပါးပါသည်။ သင့်တော်စွာ ကင်းထားပါက UHV ပတ်ဝန်းကျင်ကို ရရှိရန်နှင့် ထိန်းသိမ်းရန် အထောက်အကူပြုပါသည်။
• အသုံးပြုသက်တမ်းရှည်လျားခြင်းနှင့် အရွယ်အစားတည်ငြိမ်မှု- ရာသီဥတုဒဏ်ကိုခံနိုင်ပြီး ပုံမှန်အခြေအနေများအောက်တွင် အရည်အသွေးမကျဆင်းဘဲ အချိန်ကြာလျှင်ပါ တိကျသော အရွယ်အစားများကို ထိန်းသိမ်းထားနိုင်ပါသည်။
• Primary  အသုံးပြုမှုများ- ဆီမီကွန်ဒပ်က်တာ ထုတ်လုပ်ခြင်း (ချေးခြင်း၊ ပျံ့နှံ့ခြင်း၊ CVD/LPCVD ကွန်ရာများ)၊ ဖိုင်ဘာအော့ပ်တစ်၊ တိကျသော အော့ပ်တစ်၊ လေဆာစနစ်များ၊ ဓာတ်ခွဲခန်းနှင့် ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှုကိရိယာများ၊ အပူချိန်မြင့် မြင်ကွင်းများ၊ အထူးမီးအမှုန်းများ (မီးလောင်ခြင်းကို အမြင့်ဆုံးဖြစ်စေသော မီးသီးများ)

ကွာတဇ် ဖလေ့န်ဂျ်များ၏ အဓိက အသုံးပြုမှုနယ်ပယ်များနှင့် အသုံးပြုမှုများ

ကွာတဇ်ဖလန်ဂျ်များသည် ၎င်းတို့၏ ထူးခြားသော ဂုဏ်သတ္တိများပေါင်းစပ်မှုကြောင့် စိန်ခေါ်မှုများရှိသည့် စက်မှုလုပ်ငန်းများတွင် အရေးပါသော အစိတ်အပိုင်းများဖြစ်ပါသည်။ ၎င်းတို့၏ အဓိက အသုံးပြုမှုများနှင့် သီးခြားအသုံးပြုမှုများမှာ အောက်ပါအတိုင်းဖြစ်သည်-

• ဆီမီးကွန်ဒပ်က်တာနှင့် မိုက်ခရိုးအီလက်ထရွန်နစ် ထုတ်လုပ်မှု

• အသုံးပြုမှု - ဝိဖြစ်ပစ္စည်း ကိရိယာများတွင် ကြည့်ရှုနိုင်သော တံခါးပေါက်များ၊ ကိုယ်ထည်အတွင်းနံရံများ၊ ဓာတ်ငွေ့ဝင်ပေါက်များနှင့် စစ်ဆေးရေး တံခါးပေါက်များအဖြစ် အသုံးပြုသည်။
• အဓိကကိရိယာများ - Plasma Etchers, Chemical Vapor Deposition (CVD) နှင့် Low-Pressure CVD (LPCVD) reactors, diffusion furnaces နှင့် ion implanters တို့ဖြစ်သည်။
• အကြောင်းရင်း - သန့်စင်မှုမြင့်မားခြင်းက ဆီလီကွန်ဝိဖြစ်ပေါ်မှုကို ညစ်ညမ်းစေခြင်းကို ကာကွယ်ပေးပြီး ပြောင်းပြန်မှုကို ခွင့်ပြုသည်။

• အော့ပ်တီကယ်နှင့် ဖိုတြိုနစ်စက်မှုလုပ်ငန်းများ

• အသုံးပြုမှု - အဆုံးတွင်ရှိသော ပြတင်းပေါက်များ၊ လေဆာပြွန်အိမ်ယာများနှင့် တပ်ဆင်မှုအစိတ်အပိုင်းများအဖြစ် အသုံးပြုသည်။
• အဓိကအသုံးပြုမှုများ - အမြင့်ဆုံးစွမ်းအားရှိသော လေဆာစနစ်များ၊ UV နှင့် IR အော့ပ်တီကယ်စနစ်များ၊ spectrophotometer cells နှင့် နက္ခတ္တဗေဒ တယ်လီစကုပ်များ (အပူချိန်နိမ့်ပါးမှုရှိသော အုတ်မြစ်များအတွက်)။
• အကြောင်းရင်း - UV မှ IR အထိ ထူးခြားသော ဖြတ်သန်းမှုနှင့် အလင်းအင်တင်ဆီတီမြင့်မားချိန်တွင် အပူပိုင်းပုံပျက်မှု အနည်းငယ်သာ ဖြစ်ပေါ်စေခြင်း။

• သန့်စင်မှုမြင့် / ဖိအားနိမ့် ဓာတုလုပ်ငန်းစဉ်များ

• အသုံးပြုမှု။ ဓာတ်ပေါင်းချိတ်ဆက်မှုများ၊ ချေရည်များအတွက် မြင်ကွင်းပြတင်းများနှင့် စမ်းသပ်ထုတ်လုပ်ရေးစက်ရုံများတွင် ချိတ်ဆက်မှုအစိတ်အပိုင်းများအဖြစ်။
• အဓိကလုပ်ငန်းစဉ်များ။ အထူးသန့်စင်သော အက်စစ်များ၊ ဟာလိုဂျင်ဓာတ်ငွေ့များနှင့် အပူချိန်မြင့်မားသော အထူးဓာတုပစ္စည်းများကို ကိုင်တွယ်ခြင်း။
• အကြောင်းရင်း- ဓာတုပစ္စည်းအနေဖြင့် ပိုမိုတည်ငြိမ်မှုရှိခြင်းက ထုတ်ကုန်၏ သန့်ရှင်းမှုကို သေချာစေပြီး ဟိုက်ဒရိုဖလူအိုရစ်နှင့် ပူနေသော ဖော့စဖ်ဖြစ်တစ်ခြား အက်ဆစ်အားလုံးမှ ခံနိုင်ရည်ရှိပါသည်။

• အဆင့်မြင့်မီးအောက်ခြေ

• အသုံးပြုမှု။ အလင်းပေါင်းထုတ်လုပ်မှုမီးများ (high-intensity discharge lamps) အတွက် အပြင်ဘက်အမှုန်အဖြစ်။
• အဓိကထုတ်ကုန်များ။ ပါကင်းမီးများ၊ ဇီနွန်ဓာတ်မီးများနှင့် UV သန့်စင်မီးများ။
• အကြောင်းရင်း။ အလွန်မြင့်မားသော အပူချိန်များ (>1000 °C) ကို ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး UV အလင်းကို ထိရောက်စွာ ဖြတ်သန်းစေပါသည်။

• သိပ္ပံနှင့် ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှုကိရိယာများ

• အသုံးပြုမှု။ ဗကူးခ်ခန်းများအတွက် ပြတင်းများ၊ မီးဖိုများတွင် နမူနာထားရှိမှုများနှင့် မားစ်စပက်ထရိုမီတာများတွင် အစိတ်အပိုင်းများအဖြစ်။
• အဓိကပတ်ဝန်းကျင်များ - အလွန်မြင့်မားသော စက္ကူဖိအား (UHV) စနစ်များ၊ အီလက်ထရွန် မိုက်ခရိုစကုပ်များနှင့် အာကာသအတုစမ်းသပ်မှု ကွန်ရက်များ။
• အကြောင်းရင်း - စက္ကူဖိအားနှင့် အပူချိန်ပြောင်းလဲမှုအောက်တွင် အလွန်နည်းပါးသော ဓာတ်ငွေ့ထုတ်လွှတ်မှုနှင့် အတိုင်းအဆ တည်ငြိမ်မှုမြင့်မားခြင်း။

• အထူးစက်မှုလုပ်ငန်း လုပ်ငန်းစဉ်များ

• အသုံးပြုပုံ - အပူချိန်မြင့် မီးဖိုများ (ဥပမာ Czochralski pullers ကဲ့သို့သော ကရစ်စတယ် ကြီးထွားမှု မီးဖိုများ) နှင့် ဖိုင်ဘာအော့ပတစ် preform ထုတ်လုပ်မှုတွင် စီးဆင်းမှု အစိတ်အပိုင်းများတွင် ကာကွယ်ပေးသော မျက်နှာပြင်များအဖြစ်။
• အကြောင်းရင်း - အပူချိန်မြင့်မားစွာ အလုပ်လုပ်နေစဉ်အတွင်း ပုံသဏ္ဍာန်နှင့် ရှင်းလင်းမှုကို ထိန်းသိမ်းထားပေးပြီး လုပ်ငန်းစဉ်ကို မျက်စိဖြင့် ထိန်းချုပ်နိုင်စေသည်။

  နည်းပညာဆိုင်ရာ သတ်မှတ်ချက်များ

  ဂုဏ်သတ္တိများအကြောင်းအရာ	ဂုဏ်သတ္တိညွှန်းကိန်း
  သိပ်သည်းမှု	၂.၂×၁၀၃ကီလိုဂရမ်/စင်တီမီတာ³
  အား	၅၈၀KHN၁၀၀
  ဆွဲဆန့်မှုအား	4.9×107Pa(N/ ㎡)
  နိမ့်ချထားမှုအင်တင်စွမ်း	>၁.၁×၁၀⁹Pa
  အပူချိန် တိုးချဲ့မှု အချိုး	၅.၅×၁၀-၇စင်တီမီတာ/စင်တီမီတာ°C
  အိုင်တာမီယန် ဆိုင်ရာ လှုပ်ရှားမှု	1.4W/မီတာ℃
  အပူချိန်တစ် ယူနစ်လျှင် အားလုံး	670J/ကီလိုဂရမ်℃
  Softening Point	1680℃
  Annealing Point	1215℃