အပူခံနိုင်သော ကိုယ်ပိုင်ဒီဇိုင်းဖော်မ် အချောမွေ့သော အောက်ခြေရှိ ကွတ်စ် ဂလပ်စ် ကရူဆီဘယ်

Silica Quartz Glass Cryolible ကို အသုံးပြုရန်

Transparent Quartz Crucible (TQC) သည် အရည်ပျော်သော silica ဖန်သား (SiO2) မှ ပြုလုပ်ထားသော မြင့်မားသောသန့်ရှင်းမှုရှိသော အိုးဖြစ်သည်။  အသားအရေ ≥99.99%) ရှိပြီး အလင်းလွှဲပြောင်းမှုကောင်းမွန် (မြင်သာသော အလင်းအတွက် ≥93%) ရှိသည်။ ၎င်းကို အဓိကအားဖြင့် စက်မှုစံနှုန်းတွင် သတ်မှတ်ထားသည့် ညစ်ညမ်းမှုပါဝင်မှုနှင့် စွမ်းဆောင်မှုညွှန်ပြချက်များအပေါ် အခြေခံ၍ အဆင့်သုံးဆင့် (QSG1, QSG2, QSG3) အဖြစ်ခွဲခြားထားသည်။

• Quartz crucible ကို PV နှင့် semiconductor နယ်ပယ်တွင် ကျယ်ပြန့်စွာ အသုံးပြုသည်။
• ၎င်းဟာ နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်နဲ့ အပိုင်းပိုင်းသုံးပစ္စည်းတွေကို အပူချိန်မြင့်မားတဲ့ နေရာမှာ ဆက်တိုက် အချိန်ကြာကြာ ဆွဲနိုင်စွမ်းရှိပါတယ်။

ကွာတ်ဇ် ကရူစီဘယ်လ်သည် အခြားသော ပစ္စည်းများတွင် မရှိသော ပေါင်းစပ်မှု စွမ်းရည်များကို ပေးစေသည်။ ဤကရူစီဘယ်လ်သည် အပူဒဏ်ကို ခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း၊ ပုံပေါ်ခြင်းနှင့် ပျော့ခြင်းအပူချိန်များ အလွန်မြင့်မားခြင်း၊ အပူလွှဲပေးနိုင်မှုနှင့် ဒိုင်အီလက်ထရစ် ဆုံးရှုံးမှုနှင့် ပတ်သက်၍ အလွန်နိမ့်ပါးခြင်း၊ UV စွမ်းအားများအတွက် အလွန်ကျယ်ပေါင်းသော အလင်းရောင်ဖြတ်သန်းမှု စွမ်းရည်များ ရှိပါသည်။

အားက် ကွာတ်ဇ် ကရူစီဘယ်လ်များကို စက်မှုလုပ်ငန်းတွင် အသုံးများသည့် ဆီမီကွန်ဒတ်တာ ထုတ်လုပ်မှုတွင် ကျယ်ကျယ်ပြန်းပြန်း အသုံးပြုကြသည်။

ဤကရူစီဘယ်လ်များကို သဘောထားရှိသော ကွာတ်ဇ်များကို အပူပေး၍ အရည်ပေါက်စေပြီး အသေးစိတ် ကြိတ်ခြင်းဖြင့် ထုတ်လုပ်ထားခြင်းဖြစ်သည်။

ဤကရူစီဘယ်လ်များသည် အထူးသော သန့်စင်မှု၊ အပူခံနိုင်ရည်နှင့် ဓာတ်တိုးခံနိုင်ရည်များ ရှိပါသည်။ အပူချိန်ပေါ်တွင် ဖော်ပေးထားသော ဖောင်တော်များ အလွန်နိမ့်ပါသည်။

ဤကရူစီဘယ်လ်များတွင် လေထုအိတ်များ မပါဝင်ပါ။ ပါဝင်မှုပမာဏကို PPM အဆင့်အထိ ထိန်းညှိထားပါသည်။ အပူချိန်မြင့်မားသော အခြေအနေများတွင် ခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း၊ ဓာတ်ပေါ်ရေး တည်ငြိမ်မှု၊ အထူးသော လျှပ်ကူးမှု ကာကွယ်မှုနှင့် အလင်းရောင်ဖြတ်သန်းမှု စွမ်းရည်များ ရှိပါသည်။

အဓိက လက္ခဏာများနှင့် အားသာချက်များ

• အထူးသော သန့်စင်မှု – သံ၊ ပေါတက်စီယမ်၊ သံမဏိ စသည့် သေးငယ်သော သံမဏိပါဝင်မှု စုစုပေါင်းပမာဏကို ၁၀ ppm အောက်တွင် ထိန်းညှိထားပါသည်။ အပူချိန်မြင့်မားသော လုပ်ငန်းစဉ်များအတွင်း အရည်ပေါက်နေသော ပစ္စည်းများကို ညစ်ညမ်းမှုများမှ ကာကွယ်ပေးနိုင်ပါသည်။
• အလွန်မြင့်မားသော ပူပိုင်းခံနိုင်ရည်: ပျော့ပေါ့မှုအမှတ်သည် ၁၇၃၀ စင်တီဂရိတ်ဖြစ်ပြီး ၁၁၀၀ စင်တီဂရိတ်အထိ ရှည်လျားစွာ အသုံးပြုနိုင်ကာ ၁၄၅၀ စင်တီဂရိတ်အထိ အချိန်တိုအတွင်း အမြင့်ဆုံးအပူခံနိုင်ရည်ရှိပြီး ပုံပျက်မှုမရှိပါ။
• အထူးသဖြင့် ဓာတုဆိုင်ရာ တည်ငြိမ်မှုရှိခြင်း။ ဟိုက်ဒရောဖလွိုရစ်အက်ဆစ်နှင့် ပူနေသော ဖော့စဖောရစ်အက်ဆစ်ကို အပါအဝင် အက်ဆစ်အများစု၊ အယ်လ်ကေလီများနှင့် ပေါင်းသော သံမဏိများနှင့် ဓာတုအရေးပါသော တုံ့ပြန်မှုမရှိပါ။ အက်ဆစ်ခံနိုင်ရည်မှုသည် မူလ ကြေးမုံများထက် ၃၀ ဆပိုများပြီး စတိန်လက်စ်သံမဏိများထက် ၁၅၀ ဆပိုများပါသည်။
• အလွန်ကောင်းမွန်သော အပူခံနိုင်ရည် (Thermal Shock Resistance): အပူခံနိုင်ရည်အတွက် အလွန်နိမ့်သော အပူခံနိုင်ရည်အချိုး (5.5×10⁻⁷/K) ရှိပြီး ၁၁၀၀ စင်တီဂရိတ်မှ အခန်းအပူခံနိုင်ရည်အထိ အမြန်အပူခံနိုင်ရည်ပေးနိုင်ပြီး ကြေကွဲမှုမရှိပါ။
• အလွန်ကောင်းမွန်သော လျှပ်ကူးမှုကာကွယ်မှုနှင့် အလင်းလွှင့်ပေးနိုင်မှု: အပူခံနိုင်ရည်မြင့်မှုတွင် အတိုင်းအတာ 10¹⁶ Ω·cm ထက်ပိုများပြီး အန်တီ-ယူဗီ အလင်း၏ ၈၀ ရှိ အလင်းကို လွှင့်ပေးနိုင်ပြီး မျက်စိဖြင့်မြင်နိုင်သော အလင်း၏ ၉၃ ရှိ အလင်းကို လွှင့်ပေးနိုင်ပါသည်။ ထို့ကြောင့် အလင်းနှင့် အပူခံနိုင်ရည်မြင့်မှု စမ်းသပ်မှုများအတွက် သင့်တော်ပါသည်။
• အားကောင်းသော အားကုန်းခံမှု- ကွာတ်ဇ် ဂလပ်စ်၏ ခုခံမှုတန်ဖိုးသည် ပုံမှန် ဂလပ်စ်ထက် ၁၀,၀၀၀ ဆ ပိုများပြီး အလွန်ကောင်းမောင်းသော လျှပ်စီးအားကုန်းခံပစ္စည်းဖြစ်ပါသည်။ အခန်းအပူခံခြင်းအတွင်း အားကုန်းခံမှုစွမ်းရည် ကောင်းမောင်းပါသည်။
• ကောင်းမောင်းသော အလင်းလွှဲပေးနိုင်မှု- အလင်းနုတ် (UV) မှ အလင်းပုံမှန် (IR) အထိ စိတ်ကြိုက်နေရာတွင် ကောင်းမောင်းသော အလင်းလွှဲပေးနိုင်မှုရှိပါသည်။ မြင်သာသော အလင်းလွှဲပေးနိုင်မှုနှုန်းသည် ၉၃% သို့မဟုတ် ထိုထက်များပါသည်။ အလင်းနုတ် (UV) နယ်ပယ်တွင် လွှဲပေးနိုင်မှုနှုန်းသည် ၈၀ သို့မဟုတ် ထိုထက်များပါသည်။

အဓိက အသုံးပြုမှုနယ်ပယ်များ- ပေါ့ပေါ့ပါပါသော စီလီကာ/ကွာတ်ဇ် ဂလပ်စ် စိုက်ခွက်အိုး၏ အဓိက အသုံးပြုမှုများ-

အိုးအပူပေးခြင်း၊ စမ်းသပ်ခန်းတွင် အပူပေးခြင်း/အိုးအပူပေးခြင်း၊ လျှပ်စီးအပူပေးစက်၊ မပ်ဖ်ဖ်လ် အိုးအပူပေးခြင်း၊ ဆီမီကွန်ဒတ်တာ၊ အလင်းနည်းပညာ၊  ဆက်သွယ်ရေး၊ စစ်ရေး၊ ဓာတု၊ စက်မှု၊  လျှပ်စီး၊ ပတ်ဝန်းကျင်ထိန်းသိမ်းရေး စသည့် နယ်ပယ်များ

• -semiconductor ဌာန

Czochralski ဖြစ်စဉ်တွင် မိုနိုကရစ်စတယ်လီန် ဆီလီကွန်ကို ဆွဲထုတ်ရာတွင် အဓိက ပုံသောင်းအဖြစ် အသုံးပြုပါသည်။ နှစ်စဥ် ကမ္ဘာတစ်ဝှမ်းလုံးတွင် ၁၀ သန်းကျော် လိုအပ်ပါသည်။ အလွန်မြင့်မားသော သန့်စင်မှုအဆင့်မှာ ဆီလီကွန်ကုန်စင် ပုံဖော်မှုအတွင်း အညစ်အကဲများ ဝင်ရောက်ခြင်းကို ကာကွယ်ပေးပါသည်။ ထို့ကြောင့် အင်တီဂရေတက် စားကပ်များ (IC) ၏ ထုတ်လုပ်မှုနှုန်းကို တိုက်ရိုက်အကျိုးသက်ရောက်စေပါသည်။

နေရောင်ခြင်းစွမ်းအား ဆဲလ်များ ထုတ်လုပ်ရာတွင် ပေါလီကရစ်စတယ်လီန် ဆီလီကွန် အိုးများကို ဖော်မော်သုံးခြင်းအတွက် အသုံးပြုပါသည်။ အိုးတစ်လုံး၏ အသုံးပြုနိုင်သည့် ကာလမှာ ၅၀ မှ ၈၀ နာရီအထိ ဖြစ်ပြီး အထူးထိရောက်မှုရှိသော နေရောင်ခြင်းဝါဖာများ ထုတ်လုပ်မှုကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။

• လက်တော့အ်နှင့် ဓာတုဗေဒ စမ်းသပ်မှုများ

ဓာတုဗေဒ စမ်းသပ်မှုများတွင် နမူနာများကို အရည်ပေါက်စေခြင်း၊ အရည်ပေါက်စေခြင်း စမ်းသပ်မှုများနှင့် ရာရှဲလ်အားသ် ဒြပ်စင်များ သန့်စင်ခြင်းတို့အတွက် အသုံးများပါသည်။ ထိုသို့သော အသုံးပြုမှုများအတွက် ခုခံနိုင်မှုနှင့် ညစ်ညမ်းမှုမရှိသော ဂုဏ်သတ္တိများကြောင့် ဖြစ်ပါသည်။ စံသတ်မှတ်ချက်များတွင် ၁၀ မီလီလီတာ၊ ၂၅ မီလီလီတာ၊ ၅၀ မီလီလီတာနှင့် ၁၀၀ မီလီလီတာ တို့ပါဝင်ပါသည်။

• အလင်းရေးနှင့် အီလက်ထရွန်နစ် လုပ်ငန်း

အလင်းရေး အလွန်သန့်စင်သော အလင်းရေး အမြန်းနှင့် လေဆာ ကြွေများကို အရည်ပေါက်စေရာတွင် အသုံးပြုပါသည်။ ထိုသို့သော အရည်ပေါက်စေမှုဖြစ်စဉ်တွင် အလင်းကို အလွန်ကောင်းမော်စေသည့် ဂုဏ်သတ္တိနှင့် အပူခံနိုင်မှု ဂုဏ်သတ္တိများကြောင့် အဆုံးသတ်ထုတ်ကုန်၏ အလင်းရေး ညီမျှမှုကို အာမခံပေးပါသည်။

အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်း ထုတ်လုပ်မှုတွင် ပါးလွဲသောဖလင် အိုးသိုလှောင်ခြင်းစက်ပစ္စည်းအတွက် အပူချိန်မြင့်မားသော အိုးသိုလှောင်ခြင်းပုံစံဖြစ်ပြီး ဗာကျူမ်ပတ်ဝန်းကျင်တွင် စံချိန်စံညွှန်းအတိုင်း စေ့စပ်မှုကို ထိန်းသိမ်းပေးပါသည်။

• သတ္တုလေ့လာရေးနှင့် ပစ္စည်းအသစ်များ ပုံဖော်ခြင်း

အထူးသဖြင့် သန့်စင်မှုအဆင့်မြင့်သော သတ္တုများ (ဥပမါ- တိုင်တေးနီယမ်၊ ဇီရီကွနီယမ်) ကို အရည်ပေါက်စေရန်နှင့် အဆင့်မြင့်သော ကေရာမစ်ပစ္စည်းများ ပုံဖော်ရန်အတွက် အသုံးပြုပါသည်။ အပူချိန်မြင့်မားသော လုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း သတ္တုများ အောက်ဆီကိုင်ဒ်ဖြစ်ခြင်းနှင့် ညစ်ညမ်းမှုများကို ကာကွယ်ပေးပါသည်။

ထုတ်လုပ်မှု လုပ်ငန်းစဉ်

သတ္တုအများအားဖြင့် သန့်စင်မှုအဆင့်မြင့်သော သဘောကျောက်ကျောက်များ သို့မဟုတ် သုတ်သင်ထားသော စီလီကာမှုန်များကို အသုံးပြုပါသည်။ Fe₂O₃ ပမာဏသည် ၀.၀၀၁% ထက်နည်းရန် လိုအပ်ပါသည်။

အရည်ပေါက်ခြင်းနှင့် ပုံဖော်ခြင်း -

• လျှပ်စစ်အရည်ပေါက်ခြင်းနည်းလမ်း - သတ္တုအများအားဖြင့် ဂရေဖိုက်တ်ပုံစံတွင် သတ္တုအများအားဖြင့် ၁၈၀၀–၂၀၀၀ စင်တီဂရိတ်အထိ အပူချိန်ဖြင့် ဗာကျူမ်ပတ်ဝန်းကျင် သို့မဟုတ် ကာကွယ်ရေးပတ်ဝန်းကျင်တွင် လျှပ်စစ်အိုင်းစ်ဖြင့် အရည်ပေါက်စေပါသည်။ ထို့နောက် အလေးချိန်နှင့် မျက်နှာပြင်အားကြောင်း အိုးသိုလှောင်ခြင်းပုံစံကို ဖော်ထုတ်ပါသည်။
• မီးခိုးအရည်ပေါက်ခြင်းနည်းလမ်း - ဟိုက်ဒရိုဂျင်နှင့် အောက်ဆီဂျင်မီးခိုးဖြင့် ကွန်ဇာမှုန်များကို အရည်ပေါက်စေပြီး လှည့်ပေးသော ပုံစံဖြင့် အလိုရှိသော ပုံစံကို ဖော်ထုတ်ပါသည်။ အသေးစား အိုးသိုလှောင်ခြင်းပုံစံများအတွက် သင့်တော်ပါသည်။
• နောက်ဆုံးပြုပုံစောင်ခြင်း - မျက်နှာပုံအမျှင်မှုန်မှု (Ra) 0.2 μm အောက်ဖြစ်စေရန်နှင့် အတိုင်းအတာအတွင်း အမှန်အကန်ဖြစ်စေရန် ±0.5 mm အတွင်း အအေးခံခြင်း၊ အနောက်ဆုံးသုံးခြင်း၊ အတွင်းနံရံမှုန်မှုလျှော့ချခြင်းနှင့် သန့်ရှင်းရေးပါဝင်ပါသည်။

အရည်အသွေးစစ်ဆေးခြင်း - လုပ်ငန်းသုံးအသုံးချမှုများအတွက် စံနှုန်းများကို ဖော်ထုတ်ရန် ပေါက်ကွဲမှုအကွက်များ (အချင်း 0.5 mm အောက်၊ စတုရန်းစင်တီမီတာလျှင် ၅ ခုအောက်)၊ အညစ်အကှေးပါဝါနှင့် အပူချိန်ပြောင်းလဲမှုကို ခံနိုင်ရည်ရှိမှုတို့ကို တင်းကြပ်စွာစစ်ဆေးပါသည်။

နည်းပညာဆိုင်ရာ သတ်မှတ်ချက်များ