9F၊ အဆောက်အဦးအေ ဒွန်းရှန်မင်ဒူးစတုရန်း၊ အိုင်ဒီ 21 ချားယန်းအရှေ့လမ်း၊ လီယန်ယွန်ဂန်း ကျန်းဆု၊ တရုတ် +86-13951255589 [email protected]
သိပ္ပံမှု cnc M စက်ဖြင့် ဖြတ်တောက်ခြင်း အလူမီနီယမ် နိုက်ထရိုက် ကျော်မှုန့် ပြားချပ်ပြား။ နောက်ထပ်အချက်အလက်များအတွက် နှိပ်ပါ။
အလူမီနီယမ် နိုက်ထရိုက်စီရမစ်ပိုင်းစ့်များသည် အလူမီနီယမ် နိုက်ထရိုက်စီရမစ်များကို အခြေခံ၍ ပြုလုပ်ထားသော အစိတ်အပိုင်းများဖြစ်ပါသည်။ ၎င်းတို့၏ ကောင်းမွန်သော စုစုပေါင်းစွမ်းဆောင်ရည်များကြောင့် နည်းပညာမြင့်နယ်ပယ်များစွာတွင် အဓိကကဏ္ဍမှ ပါဝင်နေပါသည်။ ဤနေရာတွင် ၎င်းအကြောင်း အသေးစိတ်မိတ်ဆက်ချက်တစ်ခု ဖော်ပြထားပါသည်
အင်္ဂါရပ်များ
အပူစီးဆင်းမှုနှင့် အပူကာကွယ်မှု ကောင်းမွန်ခြင်း။ အခန်းအပူချိန်တွင် အလျူမီနီယမ် နိုက်ထရိုက် ကျောက်မျက် အစိတ်အပိုင်းများ၏ အပူစီးဆင်းနိုင်မှုသည် 170-230W/(m·K) အထိရှိပြီး အလျူမီနာကျောက်မျက်ထက် 5-10 ဆ ပိုမိုမြင့်မားပါသည်။ ၎င်းသည် အပူကို အလွယ်တကူ ဖြန့်ဝေပေးနိုင်ပါသည်။ ထို့အပြင် ၎င်း၏ ပမာဏ ဒြပ်ဆီးမှုမှာ 10¹⁴-10¹⁶Ω·cm အထိရှိပြီး လျှပ်စစ်ဓာတ်ကို ကောင်းစွာ ကာကွယ်နိုင်မှုရှိပါသည်။ ထို့ကြောင့် စက်ကွန်းတွင် မတော်တဆ ဆက်သွယ်မှု (short circuit) ဖြစ်ခြင်းကို ထိရောက်စွာ ကာကွယ်ပေးနိုင်ပါသည်။
ဒိုင်အလက်ထရစ် အချိုးနှင့် ဆုံးရှုံးမှုနိမ့်ခြင်း။ ဒိုင်အလက်ထရစ် အချိုးသည် 8.5 မှ 9.5 အတွင်းရှိပြီး အလျူမီနာထက် သိသိသာသာ နိမ့်ပါးပြီး ဒိုင်အလက်ထရစ် ဆုံးရှုံးမှုသည် 0.001 အောက်ဖြစ်ပါသည်။ ထို့ကြောင့် မြင့်မားသော မှိန်းနှုန်းဖြင့် အချက်ပြမှုများ လွှဲပြောင်းစဉ် အချက်ပြမှု အားနည်းခြင်းနှင့် အနှောက်အယှက်ဖြစ်ခြင်းများကို လျော့နည်းစေပြီး အချက်ပြမှု လွှဲပြောင်းမှု၏ တည်ငြိမ်မှုနှင့် အမြန်နှုန်းကို သေချာစေပါသည်။
အပူချိန်မြင့်တွင် ခံနိုင်ရည်ရှိခြင်းနှင့် အပူစဥ်အလုံးစီ တည်ငြိမ်မှုရှိခြင်း။ ၎င်း၏ အရည်ပျော်မှတ်သည် ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် ၂၂၀၀ အထိ ရှိပြီး ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် ၁၅၀၀ အောက်တွင် ကြာရှည်စွာ ဖွဲ့စည်းပုံ တည်ငြိမ်မှုကို ထိန်းသိမ်းနိုင်သည်။ အပူချိန်ပြောင်းလဲမှုကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော မျက်နှာပြင် ဖိအားကို လျော့နည်းစေပြီး ချစ်ပ်သည် မူလအခြေခံပြားမှ ခွာထွက်ခြင်းကို ကာကွယ်နိုင်ရန် ဆီလီကွန်ချစ်ပ်များနှင့် အပူပြဲ့ထွက်မှု ဂုဏ်သတ္တိ နီးစပ်သည်။
ဓာတုအင်အားကောင်းမွန်ခြင်း - ၎င်းသည် ပြင်းထန်သော အက်ဆစ်အပြင် ဓာတုပစ္စည်းအများစုကို ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး စိုထိုင်းသော ပတ်ဝန်းကျင်တွင် အောက်ဆီဒိုင်းဖြစ်ခြင်းနှင့် ပျက်စီးခြင်းများ မဖြစ်လွယ်ပါ။ ဓာတ်ဆားပတ်ဝန်းကျင်များတွင် ကောင်းမွန်သော စွမ်းဆောင်ရည်ကို ထိန်းသိမ်းထားနိုင်ပါသည်။
ထုတ်လုပ်မှု လုပ်ငန်းစဉ်
ယေဘုယျအားဖြင့် AlN ကာရမစ် အမှုန့်အမြင့်ဆုံးသန့်စင်မှုကို ဖိအားပေးခြင်းအတွက် အနည်းငယ်သော အကူအညီပစ္စည်းများနှင့် တစ်သမတ်တည်း ရောစပ်ပြီးနောက် အပိုင်း (isostatic pressing) ဖြင့် အစိုဓာတ်မရှိသော ခန္ဓာကိုယ်များ ဖြစ်ပေါ်လာစေသည်။ ထို့နောက် အစိုဓာတ်မရှိသော ခန္ဓာကိုယ်များကို နိုက်ထရိုဂျင် သို့မဟုတ် အက်စင်းဓာတ်များပါသော ပတ်ဝန်းကျင်တွင် မီးဖိုထည့်ပြီး အပူဖိအားပေးခြင်းဖြင့် ပိုမိုသိပ်သည်းစေသည်။ နောက်ဆုံးတွင် အစိုဓာတ်မရှိသော ခန္ဓာကိုယ်များကို တိကျသော စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ လုပ်ငန်းစဉ်များနှင့် မျက်နှာပြင် အချောများပေးခြင်းများ ပြုလုပ်ပေးသည်။
အသုံးချမှု နယ်ပယ်များ
အတွင်းမှာ ဆီမီးကွန်ဒပ်တာနယ်ပယ်တွင် - အပူဖြန့်ကျက်မှုစုပ်ခံပြားများ၊ ကူးယူပေးသည့်ပြားများ၊ လျှပ်စစ်သံလိုက်ခဲများနှင့် အခြားပစ္စည်းများကို ထုတ်လုပ်ရာတွင် အသုံးပြုလေ့ရှိသည်။ 3D ပရင့်တင်နည်းပညာကို အသုံးပြု၍ စုပ်ခံပြားအတွင်းတွင် ရှုပ်ထွေးသော အပူဖြန့်ကျက်မှုလမ်းကြောင်းများကို ဒီဇိုင်းထုတ်နိုင်ပြီး အဆင့်မြင့်ချစ်ပ်များ၏ အပူဖြန့်ကျက်မှုလိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်သည်။
စွမ်းအင်အသစ်နယ်ပယ်တွင် - ဘက်ထရီအပူဖြန့်ကျက်မှုပြားများ၊ ကာကွယ်ထားသော အားထားများကို ထုတ်လုပ်ရာတွင် အသုံးပြုနိုင်သည်။ ဘက်ထရီအလုပ်လုပ်နေစဉ် ထုတ်လုပ်သော အပူကို မြန်မြန်ဆန်ဆန် ဖြန့်ကျက်နိုင်သည့်အပြင် ဘက်ထရီဆဲလ်များကြားတွင် လျှပ်စစ်ကာကွယ်မှုကိုလည်း ရရှိစေပြီး ဘက်ထရီပက်ကိတ်၏ ဘေးကင်းမှုနှင့် သက်တမ်းကို မြှင့်တင်ပေးနိုင်သည်။
5G ဆက်သွယ်ရေးနယ်ပယ်တွင် - အန်တင်နာအဖ пок်များ၊ စစ်ထုတ်ကိရိယာများ၊ RF ကိရိယာအမွှာများကို ထုတ်လုပ်ရာတွင် အသုံးပြုသည်။ ၎င်း၏ ဒိုင်အီလက်ထရစ်ကိန်းသေနိမ့်ပြီး ဆုံးရှုံးမှုနည်းသည့် ဂုဏ်သတ္တိများကြောင့် မြင့်မားသော ဖရီကွင်စီအချက်ပြများ၏ အားနည်းလျော့နည်းမှုကို လျှော့ချပေးပြီး ဆက်သွယ်ရေးအရည်အသွေးကို မြှင့်တင်ပေးနိုင်ပြီး ပစ္စည်း၏ အလေးချိန်လည်း ပေါ့ပါးသောကြောင့် ပစ္စည်းများကို ပေါ့ပါးစေရန် လိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်သည်။
အာကာသစနစ်ပညာရပ်တွင် -180°C မှ 1200°C အထိ အပူချိန်ပြင်းထန်သော ပတ်ဝန်းကျင်မျိုးတွင် ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်မှုအတိအကျနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်တည်ငြ့်မှုကို ထိန်းသိမ်းနိုင်ပြီး ကိရိယာများ ပုံမှန်လည်ပတ်နိုင်ရန် အမြင့်ဆုံးအပူခံ စက္ကူပြားများ၊ ဆင်ဆာအိမ်များ စသည်တို့ကို ထုတ်လုပ်ရန် အသုံးပြုနိုင်သည်။
အများအားဖြင့် တွေ့ရှိရသော အမျိုးအစားများ
အလူမီနီယမ် နိုက်ထရိုက် စီရမစ်အခြေခံပြား - အလူမီနီယမ် နိုက်ထရိုက် ပစ္စည်းများတွင် အသုံးအများဆုံးတစ်ခုဖြစ်ပြီး အပူစီးဆင်းမှုကောင်းမွန်ခြင်း၊ လျှပ်စစ်ကာကွယ်မှုကောင်းမွန်ခြင်းတို့ရှိကာ အီလက်ထရွန်နစ်ကိရိယာများ၏ အပူဖြန့်ကျက်ခြင်းနှင့် စက်ဆိုင်းထုပ်ပိုးမှုများတွင် အသုံးများသည်။
အလူမီနီယမ် နိုက်ထရိုက် စီရမစ် အပူဖြန့်ပြားမှုပြားများ - 3D ပုံနှိပ်ခြင်းကဲ့သို့သော နည်းပညာများဖြင့် ထုတ်လုပ်လေ့ရှိပြီး အပူဖြန့်ကျက်မှုစွမ်းအားကို မြှင့်တင်ရန် လက်တွေ့လိုအပ်ချက်အလိုက် ပုံသဏ္ဍာန်နှင့် ဖွဲ့စည်းပုံများကို ဒီဇိုင်းထုတ်နိုင်သည်။ သုံးစွဲမှုအနေဖြင့် စွမ်းအင်သစ်ယာဉ်များ၏ ဘက်ထရီပက်ကေ့ခ်များ၊ အမြင့်ပါဝါအီလက်ထရွန်နစ်ကိရိယာများ စသည်တို့၏ အပူဖြန့်ကျက်မှုတွင် အသုံးများသည်။
အလူမီနီယမ် နိုက်ထရိုက် စပျင်းဆော် အန်တင်နာ ရေဒိုမ် - ၎င်းတွင် ဒိုင်အီလက်ထရစ် ကွန်စတင့် နိမ့်ပြီး ဆုံးရှုံးမှုနည်းသည့် ဂုဏ်သတ္တိများ ပါဝင်ပါသည်။ ထိုသို့ဖြင့် အမြင့်မြန်နှုန်း အချက်ပြ အကွယ်အကာကို ထိရောက်စွာ လွှဲပြောင်းပေးနိုင်ပြီး အန်တင်နာအတွင်းပိုင်းကို ပတ်ဝန်းကျင်၏ အပြင်ဘက် သက်ရောက်မှုများမှ ကာကွယ်ပေးပါသည်။ ၅ ဂျီ ဆက်သွယ်ရေး၊ ဂြိုဟ်တုဆက်သွယ်ရေး အစရှိသည့် နယ်ပယ်များတွင် အသုံးပြုပါသည်။
အလူမီနီယမ် နိုက်ထရိုက် စပျင်းဆော်များသည် အဘယ်ကြောင့် ဈေးကြီးရသနည်း။
၁။ အလူမီနီယမ် နိုက်ထရိုက်သည် သဘာဝတွင် မတည်ရှိသောကြောင့် ဓာတုဖြင့် မျှင်ဖြူခြင်းနှင့် စီစဉ်ထုတ်လုပ်ခြင်းဖြင့် ထုတ်လုပ်ရပါသည်။
၂။ မှုန့်ပုံစံကို နှစ်ပေါင်းများစွာ သန့်စင်ပေးရပြီး သန့်စင်မှု အဆင့်မြင့်ရန် လိုအပ်ပါသည်။
၃။ တိကျသော စက်ဖြင့် ကိုင်တွယ်မှု လုပ်ငန်းစဉ်တွင် ဒိုင်မန်း ကြိတ်ခွဲမှုကိရိယာများနှင့် တိကျသော စက်ကိရိယာများ လိုအပ်ပါသည်။ စပျင်းဆော်များသည် မာကျောမှု အလွန်မြင့်မားပြီး ကိုင်တွယ်မှု နှေးကွေးပါသည်။
အလူမီနီယမ် နိုက်ထရိုက် စပျင်းဆော် အစိတ်အပိုင်းများ၏ ဈေးနှုန်းကို မည်သို့ လျှော့ချနိုင်မည်နည်း။
အဖြေ - ထုတ်ကုန်၏ ဈေးနှုန်းကို လျှော့ချနိုင်သော နည်းလမ်းများ အများအပြား ရှိပါသည်။
၁။ အော်ဒါ အရေအတွက်ကို တိုးမြှင့်နိုင်ပါသည်။
၂။ ထုတ်ကုန်များအတွက် တိကျမှု လိုအပ်ချက်များကို လျှော့ချပါ။
3. သို့မဟုတ် ပုံသွန်းခြင်း၊ စင်တာခြင်းနှင့် ကုန်ပစ္စည်းဖြတ်တောက်ခြင်းလုပ်ငန်းများအတွက် လွယ်ကူစေရန်နှင့် အသုံးမကျော်များ လျော့နည်းစေရန် ထုတ်ကုန်၏ ဖွဲ့စည်းပုံကို ပြောင်းလဲပါ။
4. အလူမီနာကဲ့သို့ ဈေးနှုန်းချိုသာသော ပစ္စည်းများကို ရွေးချယ်ပါ။



နည်းပညာဆိုင်ရာ သတ်မှတ်ချက်များ
| ဂုဏ်သတ္တိများအကြောင်းအရာ | ယူနစ် | ဂုဏ်သတ္တိညွှန်းကိန်း |
| သိပ်သည်းမှု | g/cm3 | ≥3.30g/cm3 |
| ရေ စုပ်ယူမှု | % | 0 |
| အိုင်တာမီယန် ဆိုင်ရာ လှုပ်ရှားမှု | (20 ℃,W/m.k) | ≥170 |
| အလျှော့လျှော့ ဖြာချက် | (RT-400℃,10-6) | 4.4 |
| ဖလက်ချိုင်းတာ၏အကြံညွှန်း | အမ်ပီအေ | ≥330 |
| အမှုန်အစားခံနိုင်မှု | ω.CM | ≥1014 |
| ဒိုင်အလက်ထိန်းချိန် | 1 MHz | 9 |
| အသုံးအဆင်ပြုမှု ညီမျှခြင်း | 1 MHz | 3 x 10-4 |
| ဒိုင်အက်လက်ထရစ် ခိုင်မာမှု | KV/mm | ≥15 |
| မျက်နှာပြင်ကြမ်းတမ်းခြင်း။ | Ra(μm) | 0.3-0.5 |
| Camber | (~25.4(အလျား)) | 0.03-0.05 |
| ရုပ်ရည် | - | Dense |
| အောက်မှာ ၀.၁μm အထိရနိုင်ပါသည်။ | ||
| လေဆာဖြင့် ကွေးခြင်းဖြင့် +-၀.၁၀mm အတွင်း အရွယ်အစား တိကျမှုကို ထိန်းချုပ်နိုင်ပါသည်။ | ||
| အထူးသတ်မှတ်ချက်များကို တောင်းဆိုမှုအရ ပေးပို့နိုင်ပါသည်။ | ||


ပုံစံလိုက် စီလီကွန် နိုက်ထရိုက် စီရမစ် ဂျာမန်တုံး Si3N4 စီရမစ်ပြွန်များ
ကောင်းမွန်သော အပူစီးကူးမှုရှိသည့် AlN စီရမစ် အီးနှင့် အလူမီနီယမ် နိုက်ထရိုက်စီရမစ်ပြွန်
အမှုန့်ကင်းသော ပုံရိပ်ရှင် ဆီလီကာ ပျော်ဝင်သော ကွတစ်ကုန် ဂလပ်စ်ပြား
ပုံစံလိုက် ကားအနံ့ချိန်ညှိ ဓာတ်ပြွန်ဖြား စုပ်ယူနိုင်သော စီရမစ် အနံ့သက်ပြား