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Quadratische Siliziumnitrid-Substrate, auch häufig als quadratische Wafer oder Platten bezeichnet, sind Hochleistungskeramikmaterialien in Form flacher, rechteckiger Scheiben. Sie sind so konstruiert, dass sie eine einzigartige Kombination aus mechanischen, thermischen und elektrischen Eigenschaften aufweisen, wodurch sie für eine Vielzahl anspruchsvoller industrieller und elektronischer Anwendungen unverzichtbar sind.
KURZ
Siliciumnitrid übertrifft andere Keramiken hinsichtlich der Beständigkeit gegen thermische Schocks. Seine Festigkeit verschlechtert sich bei erhöhten Temperaturen nicht, weshalb es besonders geeignet für Motoren- und Gasturbinenteile ist, einschließlich Turboladerrotoren, Diesel-Glühhkerzen und Heizkerzen.
Die Eigenschaften von Siliciumnitrid-Keramiken sind:
Siliciumnitrid-Anwendung:
Wird als Isolationsschicht oder Tragstruktur verwendet, um empfindliche Bauteile während der Hochtemperaturverarbeitung in der Halbleiterfertigung und bei anderen elektronischen Komponenten zu schützen.
Wird für die Innensubstruktur von Hochtemperaturofen verwendet, beispielsweise als Halterungen oder Wärmebarrieren, um die Temperaturgleichmäßigkeit innerhalb des Ofens zu verbessern und Energieverluste zu reduzieren.
Wird als korrosionsbeständige und hochtemperaturfeste Isolierkomponente in chemischen Reaktoren oder Verarbeitungssystemen eingesetzt.
Luft- und Raumfahrt sowie fortschrittliche Ingenieuranwendungen
In Umgebungen, die extreme Beständigkeit gegenüber Temperatur und mechanischer Festigkeit erfordern, wie beispielsweise Hitzeschutzsysteme für Raumfahrzeuge oder Bauteile von Hochgeschwindigkeitsmaschinen.
Quadratische Substrate aus Siliciumnitrid sind hochentwickelte Werkstoffe, die aufgrund ihrer hervorragenden mechanischen Robustheit, herausragenden Beständigkeit gegen thermische Schocks und exzellenten elektrischen Isolierung geschätzt werden. Ihre quadratische Form ist besonders vorteilhaft für die effiziente Anordnung und Bearbeitung mehrerer Einheiten in industriellen Anlagen. Diese Eigenschaften machen sie zum bevorzugten Werkstoff für anspruchsvollste Anwendungen in der Leistungselektronik, der Halbleiterfertigung und bei Hochtemperatur-Industrieprozessen.
Parameter
| Artikel | gassinterverdichtung | heißpresssinterung | reaktive Sinterung | druckloses Sintern |
| Rockwellhärte (HRA) | ≥75 | - | > 80 | 91-92 |
| volumendichte (g/cm3) | 3.25 | > 3,25 | 1.8-2.7 | 3.0-3.2 |
| Dielektrizitätskonstante (εr20℃, 1MHz) | - | 8,0(1MHz) | - | - |
| elektrische Volumenwiderstandsfähigkeit (Ω·cm) | 10¹⁴ | 10⁸ | - | - |
| bruchfestigkeit (Mpa m1/2) | 6-9 | 6-8 | 2.8 | 5-6 |
| Elastizitätsmodul (GPa) | 300-320 | 300-320 | 160-200 | 290-320 |
| thermische Ausdehnung (m/K *10⁻⁶/℃) | 3.1-3.3 | 3.4 | 2.53 | 600 |
| wärmeleitfähigkeit (W\/mK) | 15-20 | 34 | 15 | - |
| weibull-Modul (m) | 12-15 | 15-20 | 15-20 | 10-18 |