tingkat 9F, Bangunan A Dongshengmingdu Plaza, No.21 Jalan Chaoyang Timur, Lianyungang Jiangsu, China +86-13951255589 [email protected]
Substrat silikon nitrida segi empat, juga biasa dirujuk sebagai wafer segi empat atau plat, adalah bahan seramik prestasi tinggi dalam bentuk helaian rata berbentuk segi empat. Ia direkabentuk untuk memiliki kombinasi unik sifat mekanikal, terma dan elektrik, menjadikannya sangat diperlukan dalam pelbagai aplikasi industri dan elektronik yang mencabar.
RINGKASAN
Silikon nitrida melebihi seramik lain dari segi rintangan hentakan haba. Kekuatannya tidak merosot pada suhu tinggi, oleh itu ia paling sesuai untuk komponen enjin dan turbin gas, termasuk rotor pengecas turbo, palam pijar enjin diesel dan palam panas.
Ciri-ciri seramik silikon nitrida adalah:
Aplikasi Silikon Nitrida:
Digunakan sebagai lapisan penebat atau struktur sokongan untuk melindungi komponen sensitif semasa proses suhu tinggi dalam pembuatan semikonduktor dan komponen elektronik lain.
Digunakan untuk struktur dalaman relau suhu tinggi, seperti pendakap atau halangan haba, untuk meningkatkan keseragaman suhu di dalam relau dan mengurangkan kehilangan tenaga.
Digunakan sebagai komponen penebat tahan suhu tinggi dan rintang kakisan dalam reaktor kimia atau sistem pemprosesan.
Aplikasi Aeroangkasa dan Kejuruteraan Maju
Dalam persekitaran yang memerlukan rintangan melampau terhadap suhu dan kekuatan mekanikal, seperti sistem perlindungan haba untuk kapal angkasa atau komponen jentera berkelajuan tinggi.
Substrat segi empat nitrida silikon adalah bahan kejuruteraan maju yang dihargai kerana ketahanan mekanikal yang unggul, rintangan terhadap kejutan haba yang luar biasa, dan penebatan elektrik yang sangat baik. Bentuk segi empatnya amat menguntungkan untuk jubin secara efisien dan memproses berbilang unit dalam peralatan industri. Sifat-sifat ini menjadikannya pilihan utama bagi aplikasi paling mencabar dalam elektronik kuasa, pembuatan semikonduktor, dan proses industri suhu tinggi.
Parameter
| Item | penyinteran tekanan gas | penyinteran tekanan panas | penyinteran reaktif | penyinteran tanpa tekanan |
| Kekerasan Rockwell (HRA) | ≥75 | - | > 80 | 91-92 |
| ketumpatan isipadu(g/cm3) | 3.25 | > 3.25 | 1.8-2.7 | 3.0-3.2 |
| Pemalar dielektrik (εr20℃, 1MHz) | - | 8.0(1MHz) | - | - |
| ketahanan isipadu elektrik(Ω.cm) | 10¹⁴ | 10⁸ | - | - |
| ketahanan putus (Mpa m1/2) | 6-9 | 6-8 | 2.8 | 5-6 |
| Modulus keanjalan (GPa) | 300-320 | 300-320 | 160-200 | 290-320 |
| ketermuaian haba (m/K *10⁻⁶/℃) | 3.1-3.3 | 3.4 | 2.53 | 600 |
| ketahanan Terma (W/mK) | 15-20 | 34 | 15 | - |
| modulus Weibull (m) | 12-15 | 15-20 | 15-20 | 10-18 |