9F, Gebouw A Dongshengmingdu Plaza, nr. 21 Chaoyang East Road, Lianyungang Jiangsu, China +86-13951255589 [email protected]
Siliciumnitride vierkante substraten, ook vaak aangeduid als vierkante wafers of platen, zijn hoogwaardige keramische materialen in de vorm van platte, rechthoekige platen. Ze zijn ontworpen om een unieke combinatie van mechanische, thermische en elektrische eigenschappen te bezitten, waardoor ze onmisbaar zijn in een breed scala aan veeleisende industriële en elektronische toepassingen.
SAMENVATTING
Siliciumnitride overtreft andere keramische materialen op het gebied van thermische schokweerstand. De sterkte neemt niet af bij verhoogde temperaturen, waardoor het uitermate geschikt is voor motoren en gasturbines, inclusief turbochargerrotors, gloeipluggen voor dieselmotoren en warmtepluggen.
De eigenschappen van siliciumnitride keramiek zijn:
Toepassing van siliciumnitride:
Wordt gebruikt als isolatielaag of draagconstructie om gevoelige componenten te beschermen tijdens verwerking bij hoge temperaturen in de halfgeleiderproductie en andere elektronische componenten.
Wordt gebruikt voor de interne constructie van ovens voor hoge temperaturen, zoals beugels of thermische barrières, om de temperatuuruniformiteit binnen de oven te verbeteren en energieverlies te verminderen.
Wordt gebruikt als corrosiebestendig en hitte-isolerend onderdeel in chemische reactoren of verwerkingssystemen.
Lucht- en ruimtevaart en geavanceerde technische toepassingen
In omgevingen die extreme weerstand tegen temperatuur en mechanische sterkte vereisen, zoals thermische beschermingssystemen voor ruimtevaartuigen of componenten van machines met hoge snelheid.
Siliciumnitride vierkante substraten zijn geavanceerde technische materialen die worden gewaardeerd omwille van hun superieure mechanische robuustheid, uitstekende thermische schokweerstand en uitstekende elektrische isolatie. Hun vierkante vorm is bijzonder voordelig voor efficiënt betegelen en het verwerken van meerdere eenheden in industriële apparatuur. Deze eigenschappen maken ze tot het materiaal van keuze voor de meest veeleisende toepassingen in vermogenelektronica, halfgeleiderproductie en industriële processen bij hoge temperaturen.
Parameter
| Artikel | gasdruksinteren | warm perssinteren | reactief sinteren | drukloos sinteren |
| Rockwellhardheid (HRA) | ≥75 | - | > 80 | 91-92 |
| volumedichtheid (g/cm3) | 3.25 | > 3,25 | 1.8-2.7 | 3.0-3.2 |
| Diëlektrische constante (εr20℃, 1MHz) | - | 8,0(1MHz) | - | - |
| elektrische volumeweerstand (Ω.cm) | 10¹⁴ | 10⁸ | - | - |
| breektaaiheid (Mpa m1/2) | 6-9 | 6-8 | 2.8 | 5-6 |
| Elasticiteitsmodulus (GPa) | 300-320 | 300-320 | 160-200 | 290-320 |
| thermische uitzettingscoëfficiënt (m/K *10⁻⁶/℃) | 3.1-3.3 | 3.4 | 2.53 | 600 |
| thermische geleiding (W/mK) | 15-20 | 34 | 15 | - |
| weibull-modulus (m) | 12-15 | 15-20 | 15-20 | 10-18 |