Maklumat Produk
1. Gambaran Umum Seramik Berporus
Seramik aluminium nitrida (AlN) adalah bahan berprestasi tinggi bahan seramik struktur dan berfungsi yang maju yang dibangunkan khas untuk elektronik berkuasa tinggi, pembungkusan semikonduktor, dan aplikasi industri suhu tinggi. Berbanding dengan seramik alumina tradisional, seramik AlN mempunyai keteluran haba 5–10 kali lebih tinggi , penebatan elektrik yang sangat baik, kehilangan dielektrik yang rendah, dan prestasi pengembangan haba yang sepadan dengan silikon. Dengan ketulenan ultra-tinggi, sifat mekanikal yang stabil, serta ciri-ciri tidak toksik, seramik AlN telah menjadi bahan substrat pelepas haba dan penebat yang ideal untuk peranti elektronik generasi seterusnya yang berfrekuensi tinggi, berkuasa tinggi, dan berukuran kecil.
Kilang kami menyediakan pelbagai produk seramik AlN, termasuk Plat AlN, tiub AlN, rod AlN, mangkuk piawaian AlN, dan komponen khas AlN berbentuk istimewa . Perkhidmatan pemesinan tepat tersuai dan rawatan metalisasi tersedia untuk memenuhi pelbagai keperluan industri dan penyelidikan saintifik.
2. Ciri Utama AlN
2.1 Prestasi Terma Unggul
Seramik AlN memberikan keupayaan konduksi terma yang sangat baik dengan kekonduksian terma piawai sebanyak 170–200 W/m·K , dan versi berkualiti tinggi boleh mencapai sehingga 320 W/m·K. Kecekapan penghantaran haba bahan ini jauh melebihi seramik alumina dan zirkonia biasa, hampir setara dengan prestasi pembuangan haba pada tahap logam. Ciri ini memastikan penghantaran haba yang pantas dan seragam di dalam komponen, secara berkesan menyelesaikan masalah pengumpulan haba pada cip berkuasa tinggi, modul LED dan peranti gelombang mikro, serta meningkatkan ketstabilan dan jangka hayat peralatan secara ketara.
Dengan struktur tahan suhu tinggi yang stabil, seramik AlN mengekalkan prestasi terma yang konsisten di bawah keadaan kerja suhu ultra-tinggi dalam jangka masa panjang tanpa mengalami keletihan terma atau penurunan prestasi.
2.2 Penyesuaian Pengembangan Terma yang Sempurna dengan Cip Semikonduktor
Bahan seramik AlN mempunyai pekali pengembangan terma yang sangat rendah iaitu 4.5×10⁻⁶/°C , yang sangat selaras dengan kepingan silikon, arsenida galium dan bahan semikonduktor utama lain. Sifat penyesuaian unik ini mengurangkan tekanan terma dan ubah bentuk secara ketara semasa kitaran pemanasan dan penyejukan pantas, secara berkesan mengelakkan retakan, pengelupasan dan kerosakan cip akibat ketidakselarasan terma. Ia merupakan bahan substrat yang paling boleh dipercayai untuk pembungkusan semikonduktor tepat.
2.3 Penebatan Elektrik yang Cemerlang & Prestasi Frekuensi Tinggi
Seramik AlN mempunyai rintangan penebatan yang sangat tinggi melebihi 10¹⁴ Ω·cm , bersama-sama dengan pemalar dielektrik yang rendah dan kehilangan dielektrik yang rendah ia mengekalkan prestasi penebatan yang stabil di bawah voltan tinggi, frekuensi tinggi dan persekitaran vakum, secara berkesan mengasingkan arus elektrik dan menghalang gangguan elektromagnetik. Berbeza daripada bahan seramik konduktif, AlN tidak akan menyebabkan kebocoran, litar pintas atau penyimpangan isyarat, memastikan operasi komunikasi frekuensi tinggi, peralatan gelombang mikro dan frekuensi radio dengan ketepatan tinggi dan kestabilan tinggi.
2.4 Ketulenan Tinggi, Tidak Toksik & Prestasi Pemprosesan Selamat
Produk AlN kami menggunakan bahan mentah ketulenan tinggi dengan ketulenan AlN ≥99% , dengan kandungan bendasing yang dikawal secara ketat dan tanpa komponen berbahaya. Bahan ini sepenuhnya tidak Beracun dan Ramah Alam tiada gas berbahaya atau wap toksik dihasilkan semasa proses pemotongan, pengisaran, dan pemesinan tepat, memastikan pengeluaran dan penggunaan di makmal yang selamat. Selain itu, seramik AlN menawarkan rintangan kimia yang luar biasa terhadap kakisan, tahan terhadap kebanyakan asid dan alkali serta kontaminasi logam cair, menjamin keperluan keluluhuran ultra-tinggi dalam proses pembakaran bahan dan pemprosesan semikonduktor.
2.5 Kestabilan Mekanikal & Struktural yang Luar Biasa
Seramik AlN memiliki kekuatan lentur tinggi melebihi 300 MPa , dengan kekerasan tinggi, ketumpatan rendah, dan rintangan haus yang sangat baik. Struktur seramik yang padat dan bebas liang membolehkan rintangan kejutan haba yang kuat dan prestasi anti-oksidasi serta rintangan kejutan haba dan prestasi anti-oksidasi ia tidak akan berubah bentuk, retak atau pecah di bawah keadaan kerja berselang suhu tinggi dan rendah yang berulang, serta mampu menyesuaikan diri dengan operasi industri berterusan jangka panjang dan senario aplikasi persekitaran ekstrem.
3. Pengelasan Teknologi Pembentukan
Berdasarkan proses pembentukan dan pensinteran yang berbeza, seramik AlN kami dibahagikan kepada tiga teknologi pengeluaran utama untuk memenuhi keperluan ketebalan produk dan struktur yang berbeza:
AlN Tuang Pita : Sesuai untuk kepingan seramik ultra-nipis dengan ketebalan di bawah 2 mm, ciri-cirinya termasuk ketebalan yang seragam, permukaan rata dan ketepatan dimensi yang tinggi, serta banyak digunakan dalam pengeluaran substrat presisi.
AlN Tekanan Kering : Digunakan untuk plat seramik berketebalan sederhana dan komponen struktur berbentuk biasa, dengan prestasi kelompok yang stabil dan pengeluaran masif yang berkesan dari segi kos.
AlN Tekanan Panas : Gred premium berketumpatan tinggi dan konduktiviti haba tinggi, dengan struktur butiran padat dan kerapuhan yang sangat rendah, sesuai untuk komponen semikonduktor bertaraf tinggi dan komponen ultra-presisi vakum.
4. Kelebihan Prestasi Substrat Seramik AlN Berlogamkan DPC
Kami Substrat seramik AlN berlogamkan DPC menggunakan teknologi pemprosesan komposit canggih. Badan seramik dan lapisan logam mempunyai pekali pengembangan haba yang sepadan, memberikan rintangan kejutan haba yang sangat baik dan kekuatan ikatan. Lapisan metalisasi ialah padat, seragam, bebas gelembung, bebas retak dan tidak teroksida , dengan lekatan yang kuat antara logam dan seramik. Produk siap mempunyai tiada ubah bentuk, kekonduksian elektrik yang stabil dan prestasi pembuangan haba yang boleh dipercayai, menyokong pengeluaran berkelompok dan pembangunan prototaip tersuai.
5. Bidang Aplikasi yang Luas
Disebabkan oleh prestasi unggul yang komprehensif, komponen seramik AlN digunakan secara meluas dalam bidang pembuatan berteknologi tinggi dan penyelidikan saintifik tepat:
Industri Optoelektronik & LED : Substrat pembuangan haba LED berkuasa tinggi, pembungkusan modul pencahayaan, pembawa komponen optoelektronik.
Semikonduktor & Mikroelektronik : Penyepit pemprosesan wafer silikon, cincin penebat, pembawa cip, substrat sensor dan pengesan, plat asas pembungkusan semikonduktor.
Komunikasi Gelombang Mikro Frekuensi Tinggi : Komponen komunikasi 5G, peranti kuasa gelombang mikro, dan bahagian penebat serta pembuang haba untuk peralatan frekuensi radio.
Elektronik Kuasa : Substrat modul kuasa IGBT dan MOSFET, papan litar hibrid berketumpatan tinggi, dan penyebar haba semikonduktor kuasa.
Elektronik Aeroangkasa & Tentera : Bahagian penebat elektronik berkestabilan tinggi yang sesuai untuk suhu ekstrem dan persekitaran kompleks.
Medan Suhu Tinggi Industri : Kruibel peleburan logam berketulenan tinggi, bekas pertumbuhan kristal GaAs, dulang pemeruap aluminium, dan bahagian seramik industri tahan suhu tinggi serta tahan kakisan.
Tenaga Baharu & Elektronik Automotif : Modul elektronik automotif, komponen pengurusan haba untuk peralatan fotovoltaik dan tenaga suria, serta peranti penukaran kuasa tenaga baharu.
Perubatan, Kimia & Tenaga Atom : Bahagian struktur penebat tahan kakisan dan bekas eksperimen berketulenan tinggi.
6. Perkhidmatan Penyesuaian
Kami menyokong produk seramik AlN bersaiz penuh dan berbentuk penuh yang disesuaikan termasuk komponen struktur berbentuk khas, kepingan ultra-nipis, plat tebal, tiub, batang dan mangkuk peleburan. Pelanggan boleh menyediakan lukisan rekabentuk dan parameter teknikal untuk pemprosesan tepat yang disesuaikan. Kawalan kualiti yang ketat, sijil bahan yang lengkap dan sokongan teknikal selepas jualan yang profesional memastikan prestasi produk yang stabil dan boleh dipercayai untuk aplikasi industri tahap tinggi.
EN
