tingkat 9F, Bangunan A Dongshengmingdu Plaza, No.21 Jalan Chaoyang Timur, Lianyungang Jiangsu, China +86-13951255589 [email protected]
Nitrid Aluminium PCB Helaian Substrat Plat Seramik ,Substrat Nitrida Aluminium, Penebat Seramik, Komponen Elektronik
Ciri-ciri Produk
Seramik aluminium nitrida digunakan secara meluas dalam aplikasi semikonduktor disebabkan oleh kekonduksian termanya yang baik dan sifat penebat elektrik yang tinggi. Dan aluminium nitrida adalah tidak toksik, pengisaran dan pemprosesan tidak akan menghasilkan wap berbahaya. Pelebaran terma dan pekali penebatan seramik aluminium nitrida sangat sesuai dengan produk wafer silikon, menjadikannya sangat berkesan dalam aplikasi peresapan haba bagi produk elektronik.
Ketulenan tinggi (AlN ≥ 99%), konduktiviti terma 170-200W/m·K, pekali pengembangan terma 4.5 × 10⁻⁶/℃ (sepadan dengan cip silikon), rintangan penebat >10¹⁴Ω·cm, kekuatan lentur >300MPa, sesuai untuk peredaran haba elektronik berketumpatan kuasa tinggi.
Konduktiviti terma setanding logam, penebatan yang sangat baik, prestasi frekuensi tinggi, ketahanan suhu melampau, ringan, menyelesaikan masalah pengurusan haba dalam peranti elektronik.
Ia merupakan bahan seramik jenis baharu dengan prestasi komprehensif yang unggul. Disebabkan konduktiviti termanya yang sangat tinggi, aluminium nitrida mampu memenuhi keperluan peredaran haba bagi peranti berkuasa tinggi seperti komunikasi optik, komunikasi mikrogelombang, LED, dan kereta api laju tinggi. Ia dianggap sebagai bahan unggul untuk pengekodan substrat semikonduktor generasi baharu dan peranti elektronik.
Ia boleh dihasilkan sebagai komponen nitrida aluminium, plat nitrida aluminium, tiub nitrida aluminium, rod nitrida aluminium, kelongsong nitrida aluminium dan lain-lain.
Komponen nitrida aluminium yang disesuaikan juga dialu-alukan tetapi sila sediakan lakaran anda.
Seramik nitrida aluminium mempunyai kekonduksian haba yang baik dan sifat penebat elektrik yang tinggi. Ia tidak toksik dan tidak menghasilkan wap berbahaya apabila digiling dan diproses. Pelepasan haba pekali dan pekali penebatan seramik nitrida aluminium sangat sesuai dengan produk wafer silikon, menjadikannya sangat efektif untuk aplikasi peresapan haba dalam produk elektronik.
Seramik Aluminium Nitrida (AlN) mempunyai kekonduksian terma yang tinggi (5-10 kali ganda berbanding seramik Alumina), pemalar dielektrik dan faktor lesapan yang rendah, penebat yang baik serta sifat mekanikal yang cemerlang, tidak toksik, rintangan haba yang tinggi, ketahanan kimia, dan pekali pengembangan lelurus yang hampir sama dengan Si, yang digunakan secara meluas dalam komponen komunikasi, LED kuasa tinggi, peranti elektronik kuasa dan bidang-bidang lain. Produk spesifikasi khas boleh dihasilkan mengikut permintaan.
Pengenalan Plat Seramik Aluminium Nitrida (AlN) Berlogam
AlN adalah pilihan ideal sebagai substrat pelbagai haba dalam aplikasi elektrik dan tidak toksik.
Warna: Kelabu
Saiz: mengikut keperluan pelanggan atau lakaran.
Aplikasi: Digunakan secara meluas dalam peranti komunikasi, LED kecerahan tinggi, peranti elektronik kuasa, peranti komunikasi optik, modul elektronik automotif, dan lain-lain.
Seramik Berlogam DPC
Badan seramik dan lapisan logam mempunyai darjah pekali pengembangan haba yang hampir sama, serta memberikan prestasi yang baik terhadap kesan kejutan haba.
Lapisan logam padat berterusan, tiada tompok, tiada retak, tiada gelembung atau pengoksidaan.
Lapisan metalisasi luar dan logam pepejal mempunyai kekuatan ikatan yang baik
Badan seramik padat, tiada ubah bentuk, tiada retak.
Prototaip seramik bermetalisasi kepada kapasiti pengeluaran isipadu tinggi



Spesifikasi Teknikal
| Kandungan Sifat | Unit | Indeks Sifat |
| Ketumpatan | g/cm3 | ≥3.30g/cm3 |
| Penyerapan air | % | 0 |
| Kepadaian Tepu | (20 ℃,W/m.k) | ≥170 |
| Pepejal kembangan linear | (RT-400℃,10-6) | 4.4 |
| Kekuatan lentur | MPa | ≥330 |
| Rintangan pukal | ω.CM | ≥1014 |
| Pemalar dielektrik | 1 MHz | 9 |
| Faktor Penyebaran | 1 MHz | 3 x 10-4 |
| Kekuatan dielektrik | KV/mm | ≥15 |
| Kasar permukaan | Ra(μm) | 0.3-0.5 |
| Kembar | (~25.4(panjang)) | 0.03-0.05 |
| Penampilan | - | Kepadat |
| Kekasar permukaan boleh mencapai 0.1μm selepas digilap. | ||
| Toleransi saiz boleh dikawal dalam ±0.10mm dengan mesinan laser | ||
| Spesifikasi khas boleh dibekalkan mengikut permintaan. | ||
Ciri-ciri plat aluminium nitrida
1. Kekonduksian haba tinggi, penebat voltan tinggi
2. Rintangan terhadap suhu dan kelembapan tinggi
3. Sifat mekanikal yang baik, kekuatan lenturan tinggi
4. Pemalar dielektrik rendah, anti-gangguan isyarat elektronik yang berkesan
5. Penebatan elektrik yang sangat baik
6. Ketumpatan rendah
7. Pelebaran lelurus berkadar serupa dengan Si
8. Kekerasan yang sangat tinggi
9. Rintangan kelembapan
10. Sifat mekanikal yang baik
11. Konstanta dielektrik rendah, berkesan
menentang gangguan isyarat elektronik
Kelebihan cip Aln
penebat yang baik dan beberapa sifat cemerlang lainnya. Substrat ALN adalah pilihan terbaik untuk pelbagai aplikasi perindustrian penebat
bahan peresap haba bagi jentera dan peralatan kuasa tinggi seperti substrat peralatan frekuensi tinggi, modul transistor kuasa tinggi
substrat, litar hibrid ketumpatan tinggi, peranti kuasa mikrogelombang, peranti semikonduktor kuasa, peranti elektronik kuasa, komponen optoelektronik, laser-semikonduktor, LED, produk IC
Kaedah pembentukan
Memandangkan kaedah pembentukan yang berbeza, terdapat tiga jenis seramik aln dalam syarikat kami, Tap Casting AlN, Dry Pressed AlN dan Hot Pressed AlN, tap casting sesuai untuk helaian seramik nipis dengan ketebalan <2mm, manakala dry pressed dan hot pressed sesuai untuk helaian seramik tebal dan komponen berbentuk lain.
Aplikasi cakera seramik Nitrida Aluminium
Peresap haba & pencampur haba
Chuck, cincin pengapit untuk peralatan pemprosesan semikonduktor
Penebat elektrik
Pengendalian dan pemprosesan wafer silikon
Substrat & penebat untuk peranti mikroelektronik & peranti optoelektronik
Substrat untuk pakej elektronik
Pembawa cip untuk sensor dan pengesan
Komponen pengurusan haba laser
1. Peralatan komunikasi optoelektronik
2. Peranti aplikasi mikrogelombang frekuensi tinggi3. Modul elektronik kenderaan
4. Aplikasi ketenteraan aerospace
elektronik
5. Modul LED/kuasa tinggi
6. Komponen penyejukan produk elektronik
Seramik AlN menggunakan rintangan leburan tahan haba dan rintangan kejutan terma, boleh menghasilkan kelongsong kristal GaAs, kuali penguapan Al,
Peralatan penjana kuasa MHD, komponen optoelektronik, laser-semikonduktor, LED, produk IC, dan sebagainya. Substrat AlN Henka
boleh menjadi penyelesaian terbaik dalam aplikasi elektronik di mana syarat ketat diperlukan, seperti modul kuasa (MOSFET, IGBT),
Pakej LED untuk penyejukan dan melindungi litar, pakej dan modul.
Aplikasi untuk elektronik, komunikasi, penerbangan, aerospace, metalurgi, petroleum, kimia, pencahayaan, sukan, perubatan, tenaga atom, tenaga suria.
AlN digunakan secara meluas dalam peranti komunikasi, tinggi
kecerahan LED, elektronik kuasa, komponen optik, aplikasi unit penyejuk khas, elektronik automotif, modul, modul kuasa berkecekapan tinggi, aplikasi mikrogelombang frekuensi tinggi, komponen elektronik kuasa.
elektronik, modul, modul kuasa berkecekapan tinggi, aplikasi mikrogelombang frekuensi tinggi, komponen elektronik kuasa.

