Lámina de substrato cerámico de nitruro de aluminio AlN para disipador de calor con conductividade térmica

Características do produto

As cerámicas de nitruro de aluminio úsanse amplamente en aplicacións semicondutoras debido á súa boa condutividade térmica e ás súas altas propiedades de illamento eléctrico. Ademais, o nitruro de aluminio non é tóxico, e o seu moído e procesamento non xera vapores perigosos. O coeficiente de expansión térmica e o coeficiente de illamento da cerámica de nitruro de aluminio compátense moi ben cos produtos de oblea de silicio, o que a fai moi eficaz na aplicación de disipación de calor en produtos electrónicos.

Alta pureza (AlN ≥ 99%), condutividade térmica de 170-200 W/m·K, coeficiente de expansión térmica de 4,5 × 10⁻⁶/℃ (compatible con chips de silicio), resistencia de illamento >10¹⁴ Ω·cm, resistencia á flexión >300 MPa, adecuado para a disipación de calor en electrónica de alta densidade de potencia.

Condutividade térmica comparable á dos metais, excelente illamento, bo rendemento en frecuencia elevada, resistencia a temperaturas extremas, lixeiro, resolvendo o problema da xestión térmica en dispositivos electrónicos.

É un material cerámico de novo tipo con excelentes propiedades integrais. Debido á súa condutividade térmica extremadamente alta, o nitruro de aluminio pode satisfacer os requisitos de disipación de calor de dispositivos de alta potencia como a comunicación óptica, a comunicación de microondas, os LED e o ferrocarril de alta velocidade. Considerase un material ideal para o encapsulado de substratos semicondutores de nova xeración e dispositivos electrónicos.

Pode fabricarse como pezas de nitruro de aluminio, placa de nitruro de aluminio, tubo de nitruro de aluminio, varilla de nitruro de aluminio, cadazo de nitruro de aluminio, etc.

Tamén son benvidas pezas personalizadas de nitruro de aluminio, pero por favor forneza o seu debuxo.

As cerámicas de nitruro de aluminio teñen boa condutividade térmica e altas propiedades de illamento eléctrico. É non tóxica e non xera vapores perigosos cando se moe e se procesa. O coeficiente de expansión térmica e o coeficiente de illamento das cerámicas de nitruro de aluminio están moi ben adaptados aos produtos de obleas de silicio, o que as fai moi efectivas para aplicacións de disipación de calor en produtos electrónicos.

A cerámica de nitruro de aluminio (AlN) ten unha alta condutividade térmica (5-10 veces a da cerámica de alúmina), baixo coeficiente dieléctrico e factor de disipación, boa illación e excelentes propiedades mecánicas, é non tóxica, con alta resistencia térmica e resistencia química, e o coeficiente de expansión linear é semellante ao do Si, polo que se utiliza amplamente en compoñentes de comunicación, LED de alta potencia, dispositivos electrónicos de potencia e outros campos. Poden producirse produtos con especificacións especiais baixa petición.

Introdución á placa cerámica de nitruro de aluminio (AlN) metalizada
O AlN é unha elección ideal como sustrato de disipación de calor en aplicacións eléctricas e é non tóxico.
Cor: gris
Tamaño: segundo os requisitos ou debuxo do cliente.
Aplicación: Utilízase amplamente en dispositivos de comunicación, LED de alta brillantez, dispositivos electrónicos de potencia, dispositivos de comunicación óptica, módulos electrónicos para automóbiles, etc.
Cerámica metalizada DPC
Corpo cerámico e capa metálica con grao de coeficiente de expansión térmica, e adecuado para un bo rendemento fronte a choques térmicos.
Capa continua e densa de metal, sen puntos, sen rachaduras, sen bolbolas nin oxidación.
A capa de metalización exterior e o metal sólido teñen unha boa resistencia de unión
Corpo cerámico denso, sen deformacións nin rachaduras.
Prototipo cerámico metalizado ata capacidade de produción en gran volume

Especificacións técnicas

Características da placa de nitruro de aluminio

1. Alta conductividade térmica, illamento de alto voltaxe
2. Resistencia a altas temperaturas e humidade
3. Boas propiedades mecánicas, alta resistencia á flexión
4. Baixo coeficiente dieléctrico, efectiva antiinterferencia de sinais electrónicos
5. Excelente illamento eléctrico
6. Baixa densidade
7. Coeficiente de expansión lineal semellante ao do Si
8. Dureza extremadamente alta
9. Resistencia á humidade
10. Boas propiedades mecánicas
11. Baixo constante dieléctrico, efectivo
contra interferencias de sinais electrónicos

Vantaxes do chip Aln

boa illa ción e outras propiedades excelentes. O substrato de ALN é a mellor opción para unha amplia gama de illantes industriais
material de disipación de calor de maquinaria e equipos de alta potencia como substrato para equipos de alta frecuencia, módulo de transistores de alta potencia
substrato, circuitos híbridos de alta densidade, dispositivos de potencia de microondas, dispositivos semicondutores de potencia, dispositivos electrónicos de potencia, compoñentes optoelectrónicos, láser-semicondutor, LED, produtos IC

Métodos de formación

Debido a diferentes métodos de formación, existen tres tipos de cerámica Aln na nosa empresa: AlN por colagem en fita, AlN prensado en seco e AlN prensado en quente. A colagem en fita é adecuada para follas cerámicas delgadas de espesor <2 mm, mentres que o prensado en seco e en quente é adecuado para follas cerámicas grosas e outras pezas con forma.

Aplicación do disco de cerámica de nitruro de aluminio

Disipadores térmicos e espalladores de calor
Portabrocas, aneis de suxeición para equipos de procesamento de semicondutores
Aisantes eléctricos
Manexo e procesamento de obleas de silicio
Substratos e aisantes para dispositivos microelectrónicos e dispositivos optoelectrónicos
Substratos para paquetes electrónicos
Portachips para sensores e detectores
Compomentes de xestión térmica para láser

1. Equipamento de comunicación optoelectrónica
2. Dispositivo de aplicación de microondas de alta frecuencia3. Módulos electrónicos para automóbiles
4. Aplicación militar aerospacial
electrónica
5. Módulo LED/de alta potencia
6. Compóñentes de refrigeración para produtos electrónicos
As cerámicas AlN usan resistencia ao choque térmico e á erosión por fusión, poden producir cadazos para cristais de GaAs, bandejas de evaporación de Al,
Equipamento para xeración de enerxía MHD, compoñentes optoelectrónicos, láser-semicondutores, LED, produtos IC, etc. O sustrato AlN de Henka
pode ser a mellor solución en aplicacións electrónicas onde se requiren condicións estritas, como módulos de potencia (MOSFET, IGBT),
Envases LED para refrixerar e protexer circuítos, envases e módulos.
Aplicación en electrónica, comunicación, aviación, aeroespacial, metalurxia, petróleo, química, iluminación, deportes, medicina, enerxía atómica, enerxía solar.
O AlN emprégase amplamente en dispositivos de comunicación, alto
brillo LED, electrónica de potencia, compoñentes ópticos, aplicación de unidades frigoríficas especiais, electrónica automotriz,
módulos, módulos de potencia de alta eficiencia, aplicacións de microondas de alta frecuencia, compoñentes electrónicos de potencia.