Detail Produk
1. Gambaran Umum Keramik Berpori
Keramik aluminium nitrida (AlN) adalah material berkinerja tinggi bahan keramik struktural dan fungsional canggih yang dikembangkan khusus untuk elektronika berdaya tinggi, pengemasan semikonduktor, dan aplikasi industri bersuhu tinggi. Dibandingkan dengan keramik alumina konvensional, keramik AlN memiliki konduktivitas termal 5–10 kali lebih tinggi , insulasi listrik yang sangat baik, kehilangan dielektrik rendah, serta kinerja ekspansi termal yang cocok dengan silikon. Dengan kemurnian ultra-tinggi, sifat mekanis yang stabil, dan karakteristik tidak beracun, keramik AlN telah menjadi material substrat ideal untuk pembuangan panas dan isolasi bagi perangkat elektronik generasi berikutnya yang berfrekuensi tinggi, berdaya tinggi, dan berukuran miniatur.
Pabrik kami menyediakan berbagai macam produk keramik AlN, termasuk Pelat AlN, tabung AlN, batang AlN, krusibel AlN, dan komponen AlN berbentuk khusus yang diproduksi sesuai pesanan . Layanan pemesinan presisi dan perlakuan metalisasi khusus tersedia guna memenuhi beragam kebutuhan industri dan penelitian ilmiah.
2. Fitur Inti AlN
2.1 Kinerja Termal Unggul
Keramik AlN memberikan kemampuan konduksi termal yang sangat baik dengan konduktivitas termal standar sebesar 170–200 W/m·K , dan versi kelas tinggi dapat mencapai hingga 320 W/m·K. Efisiensi konduksi panasnya jauh melampaui keramik alumina dan zirkonia biasa, mendekati kinerja pembuangan panas tingkat logam. Fitur ini menjamin perpindahan panas yang cepat dan seragam di dalam komponen, secara efektif mengatasi masalah akumulasi panas pada chip berdaya tinggi, modul LED, dan perangkat gelombang mikro, sehingga meningkatkan stabilitas peralatan dan masa pakainya secara signifikan.
Dengan struktur tahan suhu tinggi yang stabil, keramik AlN mempertahankan kinerja termal yang konsisten dalam kondisi kerja suhu ultra-tinggi jangka panjang tanpa kelelahan termal atau penurunan kinerja.
2.2 Kesesuaian Ekspansi Termal yang Sempurna dengan Chip Semikonduktor
Keramik AlN memiliki koefisien ekspansi termal yang sangat rendah sebesar 4,5×10⁻⁶/°C , yang sangat konsisten dengan wafer silikon, gallium arsenida, dan bahan semikonduktor utama lainnya. Sifat kecocokan unik ini secara signifikan mengurangi tegangan termal dan deformasi selama siklus pemanasan dan pendinginan cepat, secara efektif mencegah retak, terkelupas, dan kerusakan chip akibat ketidakcocokan termal. Keramik AlN merupakan bahan substrat paling andal untuk pengemasan semikonduktor presisi.
2.3 Insulasi Listrik Unggul & Kinerja Frekuensi Tinggi
Keramik AlN memiliki resistansi isolasi yang sangat tinggi di atas 10¹⁴ Ω·cm , bersama dengan konstanta dielektrik rendah dan rugi dielektrik rendah . Bahan ini mempertahankan kinerja insulasi yang stabil dalam kondisi tegangan tinggi, frekuensi tinggi, dan lingkungan vakum, sehingga secara efektif mengisolasi arus listrik dan mencegah gangguan elektromagnetik. Berbeda dengan bahan keramik konduktif, AlN tidak menyebabkan kebocoran arus, korsleting, atau distorsi sinyal, sehingga menjamin operasi komunikasi frekuensi tinggi, peralatan gelombang mikro, dan frekuensi radio dengan presisi tinggi serta stabilitas tinggi.
2.4 Kemurnian Tinggi, Tidak Beracun & Kinerja Pemrosesan yang Aman
Produk AlN kami menggunakan bahan baku kemurnian tinggi dengan kemurnian AlN ≥99% , dengan kandungan pengotor yang dikontrol secara ketat serta tanpa komponen berbahaya. Bahan ini sepenuhnya tidak Beracun dan Ramah Lingkungan tidak ada gas berbahaya atau uap beracun yang dihasilkan selama proses pemotongan, penggerindaan, dan pemesinan presisi, sehingga menjamin keamanan produksi maupun penggunaan di laboratorium. Selain itu, keramik AlN memiliki ketahanan korosi kimia yang luar biasa, mampu menahan sebagian besar erosi asam dan basa serta kontaminasi logam cair, sehingga memastikan persyaratan kemurnian ultra-tinggi untuk proses sintering material dan pengolahan semikonduktor.
2.5 Stabilitas Mekanis & Struktural yang Luar Biasa
Keramik AlN memiliki kekuatan lentur tinggi di atas 300 MPa , dengan kekerasan tinggi, densitas rendah, serta ketahanan aus yang sangat baik. Struktur keramik yang padat dan bebas pori memungkinkan kekuatan yang kuat ketahanan terhadap kejut termal dan kinerja antioksidasi . Tidak akan mengalami deformasi, retak, atau patah di bawah kondisi kerja berulang dengan suhu tinggi dan rendah secara bergantian, sehingga mampu beradaptasi dengan operasi industri berkelanjutan dalam jangka panjang serta skenario aplikasi di lingkungan ekstrem.
3. Klasifikasi Teknologi Pembentukan
Berdasarkan proses pembentukan dan sintering yang berbeda, keramik AlN kami dibagi menjadi tiga teknologi produksi utama untuk memenuhi kebutuhan ketebalan produk dan persyaratan struktural yang berbeda:
AlN dengan Teknik Tape Casting : Cocok untuk lembaran keramik ultra-tipis dengan ketebalan di bawah 2 mm, memiliki ketebalan seragam, permukaan rata, dan akurasi dimensi tinggi; banyak digunakan dalam produksi substrat presisi.
AlN dengan Teknik Dry Pressing : Digunakan untuk pelat keramik berketebalan sedang dan komponen struktural berbentuk reguler, menawarkan kinerja batch yang stabil serta produksi massal yang hemat biaya.
AlN dengan Teknik Hot Pressing : Kelas unggulan berdensitas tinggi dan konduktivitas termal tinggi, dengan struktur butir padat dan porositas sangat rendah; cocok untuk komponen semikonduktor kelas atas serta komponen ultra-presisi vakum.
4. Keunggulan Kinerja Substrat Keramik AlN yang Dimetalisasi
Milik Kami Substrat keramik AlN dimetalisasi DPC mengadopsi teknologi pemrosesan komposit canggih. Badan keramik dan lapisan logam memiliki koefisien ekspansi termal yang cocok, sehingga memberikan ketahanan terhadap kejut termal dan kekuatan ikatan yang sangat baik. Lapisan metalisasi adalah padat, seragam, bebas gelembung, bebas retakan, dan tidak teroksidasi , dengan adhesi kuat antara logam dan keramik. Produk jadi tidak mengalami deformasi, memiliki konduktivitas listrik yang stabil, serta kinerja disipasi panas yang andal, mendukung produksi massal dan pengembangan prototipe khusus.
5. Bidang Aplikasi yang Luas
Dengan manfaat dari kinerja unggul secara menyeluruh, komponen keramik AlN banyak digunakan dalam bidang manufaktur kelas tinggi dan penelitian ilmiah presisi:
Industri Optoelektronik & LED : Substrat disipasi panas LED berdaya tinggi, kemasan modul penerangan, dan dudukan komponen optoelektronik.
Semikonduktor dan Mikroelektronika : Cekam proses wafer silikon, cincin isolasi, dudukan chip, substrat sensor dan detektor, serta pelat dasar kemasan semikonduktor.
Komunikasi Microwave Frekuensi Tinggi : Komponen komunikasi 5G, perangkat daya gelombang mikro, serta komponen insulasi dan pembuangan panas untuk peralatan frekuensi radio.
Elektronik tenaga : Substrat modul daya IGBT dan MOSFET, papan sirkuit hibrida berkepadatan tinggi, serta penyebar panas semikonduktor daya.
Elektronik Dirgantara & Militer : Komponen insulasi elektronik berstabilitas tinggi yang cocok untuk suhu ekstrem dan lingkungan kompleks.
Bidang Suhu Tinggi Industri : Kruibel peleburan logam berpurity tinggi, wadah pertumbuhan kristal GaAs, wajan penguapan aluminium, serta komponen keramik industri tahan suhu tinggi dan anti-korosi.
Energi Baru & Elektronik Otomotif : Modul elektronik otomotif, komponen manajemen panas untuk peralatan fotovoltaik dan energi surya, serta perangkat konversi daya energi baru.
Medis, Kimia & Energi Atom : Komponen struktural insulasi tahan korosi dan wadah eksperimen berpurity tinggi.
6. Layanan Kustomisasi
Mendukung produk keramik AlN berukuran penuh dan berbentuk penuh yang dikustomisasi , termasuk komponen struktural berbentuk khusus, lembaran ultra-tipis, pelat tebal, tabung, batang, dan krusibel. Pelanggan dapat menyediakan gambar desain dan parameter teknis untuk pemrosesan presisi yang disesuaikan. Pengendalian kualitas yang ketat, sertifikasi bahan lengkap, serta dukungan teknis purna jual profesional memastikan kinerja produk yang stabil dan andal untuk aplikasi industri kelas tinggi.
EN
