Wärmeleitfähiger Kühlkörper aus AlN-Aluminiumnitrid-Keramiksubstratplatte

Produktmerkmale

Aluminiumnitrid-Keramiken werden aufgrund ihrer guten Wärmeleitfähigkeit und hohen elektrischen Isolationsfähigkeit häufig in Halbleiteranwendungen eingesetzt. Außerdem ist Aluminiumnitrid ungiftig, und das Schleifen und Bearbeiten erzeugt keine gefährlichen Dämpfe. Der Wärmeausdehnungskoeffizient und der Isolationskoeffizient von Aluminiumnitrid-Keramik passen sehr gut zu Siliziumwafer-Produkten, wodurch es besonders effektiv bei der Wärmeableitung in elektronischen Produkten ist.

Hohe Reinheit (AlN ≥ 99 %), Wärmeleitfähigkeit von 170–200 W/m·K, Wärmeausdehnungskoeffizient von 4,5 × 10⁻⁶/°C (angepasst an Siliziumchips), Isolationswiderstand >10¹⁴ Ω·cm, Biegefestigkeit >300 MPa, geeignet für die Wärmeabfuhr bei elektronischen Bauteilen mit hoher Leistungsdichte.

Wärmeleitfähigkeit vergleichbar mit Metallen, hervorragende Isolation, Hochfrequenztauglichkeit, extreme Temperaturbeständigkeit, geringes Gewicht, löst das Problem des thermischen Managements in elektronischen Geräten.

Es handelt sich um einen neuartigen keramischen Werkstoff mit hervorragenden Gesamteigenschaften. Aufgrund seiner äußerst hohen Wärmeleitfähigkeit kann Aluminiumnitrid die Anforderungen an die Wärmeabfuhr von Hochleistungsgeräten wie optische Kommunikation, Mikrowellenkommunikation, LED und Hochgeschwindigkeitsbahn erfüllen. Er gilt als ideales Material für das Packaging von Halbleiter-Substraten und elektronischen Bauelementen der neuen Generation.

Es kann als Aluminiumnitrid-Teile, Aluminiumnitrid-Platte, Aluminiumnitrid-Rohr, Aluminiumnitrid-Stab, Aluminiumnitrid-Tiegel usw. hergestellt werden.

Kundenspezifische Aluminiumnitrid-Teile sind ebenfalls willkommen, bitte stellen Sie jedoch Ihre Zeichnung zur Verfügung.

Aluminiumnitrid-Keramik weist eine gute Wärmeleitfähigkeit und hohe elektrische Isolierfähigkeit auf. Sie ist ungiftig und erzeugt beim Zerkleinern und Bearbeiten keine gefährlichen Dämpfe. Der Wärmeausdehnungskoeffizient und der Isolationskoeffizient von Aluminiumnitrid-Keramik sind sehr gut mit Silizium-Wafer-Produkten abgestimmt, was sie für Wärmeableitungsanwendungen in elektronischen Produkten besonders effektiv macht.

Die Aluminiumnitrid (AlN) Keramik weist eine hohe Wärmeleitfähigkeit (5-10 mal so hoch wie bei Aluminiumoxid-Keramik), eine niedrige Dielektrizitätskonstante und ein geringes Verlustfaktor, gute Isolierungseigenschaften sowie hervorragende mechanische Eigenschaften auf. Sie ist ungiftig, hat eine hohe thermische Beständigkeit und chemische Resistenz, und ihr linearer Ausdehnungskoeffizient ähnelt dem von Silizium. Daher wird sie häufig in Kommunikationskomponenten, Hochleistungs-LEDs, Leistungselektronikgeräten und anderen Bereichen eingesetzt. Spezielle Produktausführungen können auf Anfrage hergestellt werden.

Metallisierter ALN Aluminiumnitrid-Keramikplatte Einführung
AlN ist eine ideale Wahl als Wärmeableitungssubstrat in elektrischen Anwendungen und ist ungiftig.
Farbe: Grau
Abmessungen: gemäß Kundenanforderungen oder Zeichnung.
Anwendung: Weit verbreitet in Kommunikationsgeräten, Hochleistungs-LEDs, Leistungselektronikgeräten, optoelektronischen Kommunikationsgeräten, automotiven Elektronikmodulen usw.
DPC metalliserte Keramik
Keramikkörper und Metallschicht mit ähnlichen Werten des Wärmeausdehnungskoeffizienten, geeignet für gute thermische Schockbeständigkeit.
Kontinuierliche, dichte Metallschicht, keine Stellen, keine Risse, keine Blasen oder Oxidation.
Die äußere metallisierte Schicht und das massive Metall weisen eine gute Haftfestigkeit auf.
Dichter Keramikkörper, keine Verformung, keine Risse.
Von der metallisierten Keramikprototypenfertigung bis zur Hochvolumenproduktion.

Technische Spezifikationen

Eigenschaften der Aluminiumnitridplatte

1. Hohe Wärmeleitfähigkeit, hohe Spannungsisolierung
2. Beständigkeit gegen hohe Temperaturen und Luftfeuchtigkeit
3. Gute mechanische Eigenschaften, hohe Biegefestigkeit
4. Niedrige Dielektrizitätskonstante, wirksame Störsignalunterdrückung bei elektronischen Signalen
5. Ausgezeichnete elektrische Isolation
6. Geringe Dichte
7. Ähnlicher linearer Ausdehnungskoeffizient wie Silizium (Si)
8. Extrem hohe Härte
9. Feuchtigkeitsbeständigkeit
10. Gute mechanische Eigenschaften
11. Niedrige Dielektrizitätskonstante, effektiv
gegen elektronische Signalstörungen

Vorteile des AlN-Chips

gute Isolation und einige andere hervorragende Eigenschaften. Das ALN-Substrat ist die beste Wahl für eine Vielzahl industrieller Isolieranwendungen
kühlkörpermaterial für Hochleistungsmaschinen und -geräte wie HF-Geräte-Substrate, Leistungstransistormodule
substrat, hochdichte Hybrid-Schaltungen, Mikrowellen-Leistungsbauelemente, Leistungshalbleiter, Leistungselektronik, optoelektronische Bauteile, Laser-Halbleiter, LED, IC-Produkte

Formverfahren

Aufgrund unterschiedlicher Formgebungsverfahren gibt es in unserem Unternehmen drei Arten von AlN-Keramik: gegossene AlN, trocken gepresste AlN und heiß gepresste AlN. Das Gießverfahren eignet sich für dünne Keramikplatten mit einer Dicke <2 mm, während das Trockenpressen und Heißpressen für dickere Keramikplatten und andere geformte Teile geeignet ist.

Anwendung der Aluminiumnitrid-Keramikscheibe

Kühlkörper und Wärmeleiter
Spannvorrichtungen, Klemmringe für Halbleiterbearbeitungsanlagen
Elektrische Isolatoren
Siliziumwafer-Handhabung und -Bearbeitung
Substrate und Isolatoren für mikroelektronische und optoelektronische Bauelemente
Substrate für elektronische Gehäuse
Chipträger für Sensoren und Detektoren
Komponenten für die Laserwärmeabfuhr

1. Optoelektronische Kommunikationsausrüstung
2. Hochfrequenz-Mikrowellengerät, 3. Automobilelektronikmodule
4. Anwendung in der Luft- und Raumfahrt sowie militärische Anwendung
elektronik
5. LED/Hochleistungsmodul
6. Elektronische Produkt-Kühlkomponenten
AlN-Keramiken nutzen hitzebeständige Schmelzabtragung und Widerstand gegen thermischen Schock, können GaAs-Kristalltiegel, Al-Verdampfungsbehälter herstellen,
MHD-Stromerzeugungsanlagen, optoelektronische Bauteile, Laser-Halbleiter, LED, IC-Produkte und so weiter. Henka's AlN-Substrat
kann die beste Lösung in elektronischen Anwendungen sein, bei denen strenge Bedingungen erforderlich sind, wie z. B. Leistungsmodulen (MOSFET, IGBT),
LED-Gehäuse zur Kühlung und Schutz von Schaltkreisen, Gehäusen und Modulen.
Anwendung in Elektronik, Kommunikation, Luftfahrt, Raumfahrt, Metallurgie, Erdöl, Chemie, Beleuchtung, Sport, Medizin, Atomenergie, Solarenergie.
AlN wird häufig in Kommunikationsgeräten, Hoch
helligkeits-LEDs, Leistungselektronik, optischen Bauteilen, der Anwendung spezieller Kühleinheiten, Automobil
elektronik, Modulen, hocheffizienten Leistungsmodulen, hochfrequenten Mikrowellenanwendungen, leistungselektronischen Bauteilen.