စီလီကွန် နိုက်ထရိုက်၏ အများအပြားသော စင်တာရင်း လုပ်ဆောင်မှုများ

စီလီကွန် နိုက်ထရိုက် ဆေရာမစ်များ၏ အက်တမ်များသည် အားကောင်းသော စိုက်ဖ်ဗဲလင့် ချိတ်ဆက်မှုများဖြင့် ချိတ်ဆက်ထားပါသည်။ ဤသည်မှာ ဤအင်္ဂါရပ်များသည် အင်္ဂါရပ်များကို ပိုမိုမှုန်းသော စင်တာရင်း လုပ်စဉ်များကို အလွန်ခက်ခဲစေသည့် မှုန်းသော အင်္ဂါရပ်ဖြစ်ပါသည်။ လုပ်ဆောင်မှုအတွင်းတွင် ၁၈၀၀ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်ထက် ပိုမိုမြင့်မားသော အပူချိန်ပတ်ဝန်းကျင်ကို ခံနိုင်ရည်ရှိရန်သာမက စင်တာရင်း ဖိအားကို အချိန်ကြာမှုအထိ ထိန်းသိမ်းရန်လိုအပ်ပါသည်။ အလွန်ခက်ခဲသော လုပ်ဆောင်မှုပတ်ဝန်းကျင်သည် အစိမ်းရောင် ကိုယ်ထည်အတွင်းတွင် အတွင်းပိုင်း အပေါက်များနှင့် ကွဲအက်မှုများကို ဖြစ်ပေါ်စေရန် အလွန်ဖြစ်နိုင်ပါသည်။ ထိုသို့သော အပေါက်များနှင့် ကွဲအက်မှုများသည် ပစ္စည်း၏ ယေဘုယျ စက်မှု စွမ်းရည်နှင့် စုစုပေါင်း လုပ်ဆောင်မှု ယုံကြည်စိတ်ချမှုကို တိုက်ရိုက် အားနည်းစေပါသည်။ ဤပြင်ဆင်မှု ပြဿနာကို ဖြေရှင်းရန်အတွက် လုပ်ငန်းလောက်သည် အများပြားသော စင်တာရင်း လုပ်စဉ်များကို ဖွံ့ဖြိုးတိုးတွေးခဲ့ပါသည်။

၁။ ဖိအားမပါသော စင်တာရင်း

အာကာသဖိအား စင်တာရင်းလုပ်ခြင်းဖြင့် ဆီလီကွန်နိုက်ထရိုက်ကို ပြင်ဆင်ရာတွင် အဓိက ဆန့်ကျင်မှုတစ်ခုရှိသည်။ ထိုဆန့်ကျင်မှုမှာ ပစ္စည်း၏ သိပ်သည်းမှုဖြစ်စဉ်နှင့် ဆီလီကွန်နိုက်ထရိုက်၏ အပူခါးများသော ပေါက်ကွဲမှုတုံ့ပြန်မှုတို့အကြား ယှဉ်ပေးမှုဖြစ်သည်။ မဂ္ဂနီဆီယမ်အခြေပြု အပိုစင်များပါဝင်သော ဖော်မြူလေးရှင်းစနစ်တွင် ဤပြဿနာသည် ပိုမိုထင်ရှားလာသည်။ အာကာသဖိအားအောက်တွင် မက်ဂ်ရင်းအစိတ်အပိုင်း၏ သိပ်သည်းမှုအကျိုးသက်ရောက်မှုကို မြှင့်တင်ရန်အတွက် လုပ်ငန်းလေးက ယိတ်ထရီယမ်အောက်ဆိုဒ်နှင့် မဂ္ဂနီဆီယမ်အောက်ဆိုဒ်ကို ပေါင်းစပ်မှု (သို့) ယိတ်ထရီယမ်အောက်ဆိုဒ်၊ အလူမီနီယမ်အောက်ဆိုဒ်နှင့် အလူမီနီယမ်နိုက်ထရိုက်တို့ကို ပေါင်းစပ်မှုများကို အထောက်အကူဖြစ်စေရန် စင်တာရင်းအစိတ်အပိုင်းများအဖြစ် အသုံးပြုကြသည်။ အကောင်းစား စမ်းသပ်မှုများပြုလုပ်ပြီးနောက် ယိတ်ထရီယမ်အောက်ဆိုဒ် + အလူမီနီယမ်အောက်ဆိုဒ်နှင့် ယိတ်ထရီယမ်အောက်ဆိုဒ် + မဂ္ဂနီဆီယမ်အောက်ဆိုဒ်ဟူသော ဖော်မြူလေးရှင်းနှစ်များသည် ဈေးကွက်တွင် အဓိကရွေးချယ်မှုများဖြစ်လာခဲ့သည်။ ဤလုပ်ငန်းစဉ်ကို အထူးသော ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းနယ်ပယ်များတွင် အသုံးပြုမှုများသေးသည်။ သို့သော် သင့်လျော်သော လုပ်ဆောင်မှုနည်းလမ်းများနှင့် အတွင်းပိုင်း အကွက်များကို ဖယ်ရှားရန် အပျက်မဲ့စမ်းသပ်မှုများကို ပေါင်းစပ်အသုံးပြုပါက အာကာသဖိအား စင်တာရင်းလုပ်ခြင်းဖြင့် ထုတ်လုပ်ထားသော ဆီလီကွန်နိုက်ထရိုက်အစိတ်အပိုင်းများကို အဆင်ပြေမှုမြင့်မားသော စက်ပစ္စည်းများ၏ အပိုစိတ်အပိုင်းများအဖြစ် အသုံးပြုနိုင်သည်။

၂။ တုံ့ပြန်မှုဖောက်သည့်ခြင်း (RBSN)

ပေါက်စများပါသော တုံ့ပြန်မှု-ဖောင်းပွမှုဖြင့် စီမွမ်းထားသော ဆီလီကွန် နိုက်ထရိုက် ထုတ်လုပ်မှုသည် ခြုံင်းခြုံင်းဖောင်းပွမှုအလုပ်စဥ်အပြီးတွင် အလွန်မှုန်သော ဆီလီကွန်မှုန်များမှ ကြေးဝါးများကို ပြင်ဆင်ခြင်းဖြင့် စတင်ပါသည်။ ကြေးဝါးများကို နိုက်ထရိုဂျင် သို့မဟုတ် အမော်နီယာ ပတ်ဝန်းကျင်တွင် ထားရှိပြီး စံနှုန်းအတိုင်း ၁၀၀၀ မှ ၁၄၅၀ စင်တီဂရိတ်အထိ အပူချိန်တွင် အဆက်မပါး အပူပေးပါသည်။ ဤလုပ်စဥ်အတွင်း ဆီလီကွန်မှုန်များသည် နိုက်ထရိုက်ဖောင်းပွမှု တုံ့ပြန်မှုကို ဖော်ပေါ်စေပြီး α-Si3N4 နှင့် β-Si3N4 တို့ပါဝင်သော ရောစပ်ထားသော ရစ္စတယ် အစိတ်အပိုင်းများကို ဖော်ပေါ်စေပါသည်။ ဤနိုက်ထရိုက်ဖောင်းပွမှုလုပ်စဥ်သည် အော်ဂဲနစ်အတိုင်း ၂၂ ရှိသော အရွယ်အစား တိုးပွားမှုကို ဖော်ပေါ်စေသော်လည်း ကြေးဝါးများအကြားတွင် ကျန်ရှိသော အောက်ခြေများသည် ဤတိုးပွားမှုကို မှုန်းပေးနိုင်ပါသည်။ ဖောင်းပွမှုလုပ်စဥ်အတွင်း ကြေးဝါးများ၏ အရွယ်အစားသည် အလွန်နည်းပါးသော အကောက်အချိုးပြောင်းလဲမှုကိုသာ ဖော်ပေါ်စေပါသည်။ ဤအရွယ်အစား မှုန်းထားခြင်း အားသာချက်ကြောင့် ဤလုပ်စဥ်သည် အထူးပုံစံရှိသော ကြေးဝါးများ၊ အထူးပုံစံရှိသော ဘွဲ့စ်များနှင့် အင်တာဗာတီဘရယ် စပေးစ်များ၏ အောက်ခြေများကို ထုတ်လုပ်ရာတွင် အလွန်သင့်တော်ပါသည်။ ဖောင်းပွမှုပြီးနောက် ဒိုင်မန်ဒ် ကိရိယာများဖြင့် အပိုမှုန်းခြင်းများ မလိုအပ်ပါသည်။ ထို့ပြင် စုစုပေါင်းစရိတ် အားသာချက်များလည်း ရှိပါသည်။ အဆုံးသတ်ထုတ်ကုန်၏ ပေါက်စများပါဝင်မှုသည် ၂၀ မှ ၃၀ ရှိသော်လည်း ဤအစိတ်အပိုင်းများသည် အလွန်ကောင်းမွန်သော ယန္တရားဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများကို ထိန်းသိမ်းထားနိုင်ပါသည်။ အထူးသဖြင့် အောက်ချိုးအားသည် ၃၅၀ MPa အထိ ရှိပါသည်။

၃။ ပူပေါင်းခြင်းဖောက်ပေါက်မှု (HP)

အပူဖိသော စင်တာရင်းလုပ်စဉ်သည် အထောက်အကူဖြစ်စေသည့် ပစ္စည်းများ မထည့်သွင်းဘဲ ဆီလီကွန် နိုက်ထရိုက် အစေးချွဲမှုကို မှုန်းမှုန်းနိုင်ပါသည်။ ထို့ကြောင့် မဂ္ဂနီဆီယမ် အောက်ဆိုဒ်နှင့် မဂ္ဂနီဆီယမ် နိုက်ထရိုက်ကဲ့သို့သော မဂ္ဂနီဆီယမ်အခြေပြုပစ္စည်းများကို စင်တာရင်းအတွက် အမွှေးအမြှေးအဖွဲ့အစည်းတွင် ရောစပ်ပေးပါသည်။ အထောက်အကူဖြစ်စေသည့် ပစ္စည်းများကို အကောင်းဆုံးထည့်သွင်းမှုပမာဏကို ၃.၃ မှ ၅.၀ ဝတ်စ်ပါရှင်းအထိ ထိန်းသိမ်းရန် အကောင်းဆုံးဖြစ်ပါသည်။ လုပ်ဆောင်မှုအတွင်း အစေးချွဲမှုပေါ်သို့ ၂၃ မီဂါပါစကယ် အရှိန်ဖိအားကို သုံးပါသည်။ စင်တာရင်းအပူခါးသည် ၁၈၀၀±၅၀ စင်တီဂရိတ်ဖြစ်ပြီး ၄ မှ ၁၈ မိနစ်အထိ ထိန်းသိမ်းပါသည်။ ဤလုပ်စဉ်ဖြင့် သိပ်သော စီရမီက်ပစ္စည်းများကို ၉၉.၉ ရှိသည့် သိပ်သောအချိုးဖြင့် ထုတ်လုပ်နိုင်ပါသည်။ အဆုံးသတ်ထုတ်ကုန်၏ ခေါက်ချိုးအားသည် ၆၉၀±၂၀ မီဂါပါစကယ် ဖြစ်ပါသည်။ အလွန်မြင့်မားသည့် သိပ်သောအချိုးကြောင့် အပူဖိသော စင်တာရင်းလုပ်စဉ်ကို ဆီလီကွန် နိုက်ထရိုက် ဘီယာရင်းများ၊ ဆီလီကွန် နိုက်ထရိုက် စီရမီက် ရောဒ်များနှင့် ဆီလီကွန် နိုက်ထရိုက် အသုံးပြုမှုများအတွက် ခံနိုင်ရည်ရှိသည့် ဘောလ်များကဲ့သို့သော စက်မှုအားဖော်မှုများအတွက် ထုတ်လုပ်ရန် အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။ ဤဖြေရှင်းနည်းကို စက်မှုလုပ်ငန်းများတွင် အသုံးပြုပါသည်။

၄။ ဓာတ်ငွေဖိအားဖြင့် ပေါင်းစည်းခြင်း (GPS)

ဖိအားဖောင်းပေးခြင်းဖောက်စားမှုလုပ်ငန်းစဉ်၏ အဓိကလုပ်ဆောင်ချက်မှာ အပူချိန်မြင့်မြင့်တွင် စီလီကွန်နိုက်ထရိုက် ပုံသေးပုံသေးပျော်လွင့်ခြင်းကို ဖြစ်ပေါ်စေသည့် လုပ်ငန်းလေးများကို ဖြေရှင်းရန်ဖြစ်သည်။ ဤလုပ်ငန်းစဉ်သည် ဖောက်စားမှုအခန်းထဲသို့ ဖိအားမြင့်သော နိုက်ထရိုဂျင်ဓာတ်ငွေသို့ မိတ်ဆက်ခြင်းဖြင့် ဖိအားမြင့်သော ကာကွယ်ရေးအသေးစိတ်ကို ဖန်တီးပေးခြင်းဖြင့် စီလီကွန်နိုက်ထရိုက်၏ အပူချိန်မြင့်မြင့်တွင် ပုံသေးပုံသေးပျော်လွင့်ခြင်းဖောက်စားမှုကို အကောင်အထည်ဖော်ပြီး ထိန်းသိမ်းပေးခြင်းဖြင့် အပူချိန်မြင့်မြင့်တွင် သိပ်သည်းမှုရှိသည့် လုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း ပုံစံအစိတ်အပိုင်းများ၏ ဖွဲ့စည်းမှုအား မှန်ကန်စေပြီး စွမ်းဆောင်ရည်ကို တည်ငြိမ်စေသည်။ သိပ်သည်းမှုကောင်းမောင်းပေးနိုင်မှုနှင့် ပစ္စည်း၏ တည်ငြိမ်မှုကောင်းမောင်းပေးနိုင်မှုတို့ကြောင့် ဖိအားဖောက်စားမှုလုပ်ငန်းစဉ်ဖြင့် အပူချိန်မြင့်မြင့်တွင် ခံနိုင်ရည်ရှိသည့် စီလီကွန်နိုက်ထရိုက် ကရူဆီဘယ်များနှင့် ရှည်လျားသည့် စီလီကွန်နိုက်ထရိုက် ကေရာမစ်ပိုက်များကို ထုတ်လုပ်နိုင်ပြီး အခြားသေးငယ်သည့် တိကျမှုများနှင့် အပူချိန်မြင့်မြင့်တွင် ခံနိုင်ရည်ရှိသည့် ဖွဲ့စည်းမှုအစိတ်အပိုင်းများကိုလည်း ထုတ်လုပ်နိုင်သည်။ ဤလုပ်ငန်းစဉ်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားသည့် စီလီကွန်နိုက်ထရိုက် ထုတ်ကုန်များသည် အဓိက ဖောက်စားမှုလုပ်ငန်းစဉ်များဖြင့် ပြုလုပ်ထားသည့် ထုတ်ကုန်များနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်အားလုံး အလွန်နီးစပ်ပါသည်။ ထို့အပေါ်အခြေခံ၍ စွမ်းဆောင်ရည်အားလုံး အလွန်ကောင်းမောင်းပေးနိုင်ပြီး စီးပွားရေးလုပ်ငန်းများတွင် အသုံးပြုရန် အလွန်ကောင်းမောင်းပေးနိုင်သည်။

၅. စီလီကွန် နိုက်ထရိုက်နှင့် ပေါင်းစပ်သော စင်တာရင်း တုံ့ပြန်မှု (SRBSN)

အစိမ်းရောင်ကုန်ပစ္စည်းများ၏ ပေါင်းစည်းမှုအားကောင်းစေရန်အတွက် အလူမီနာ၊ ဆီလီကာနှင့် ကယ်လ်စီယမ်အောက်ဆိုဒ်တို့ကို အဖြည့်အစွက်အဖြစ် ဆီလီကွန်မှုန်များထဲသို့ ထည့်သွင်းပါသည်။ ပုံစောင်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်အားလုံးကို အပူပေးခြင်းအဆင့်နှစ်ဆင့်ဖြင့် แบ่งခြားထားပါသည်။ ပထမအဆင့်တွင် ဟိုက်ဒရိုဂျင် (သို့) အာဂွန်နှင့် နိုက်ထရိုဂျင်ပေါင်းစပ်ထားသော ပတ်ဝန်းကျင်တွင် ၁၄၀၀ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်တွင် နိုက်ထရိုဂျင်ဖြင့် အချိန်ကြာများစွာ ဓာတ်ပေါင်းစပ်မှုကို ဆောင်ရွက်ပါသည်။ ဤလုပ်ငန်းစဉ်သည် ၁၅၀ မှ ၃၀၀ နှစ်အထိ ကြာမှုရှိပါသည်။ နိုက်ထရိုဂျင်ဖြင့် ဓာတ်ပေါင်းစပ်မှုပြီးနောက် အမြင့်ဖိအားပေးသော ပေါင်းစည်းမှုပတ်ဝန်းကျင်ထဲသို့ ရွှေ့ပေးပါသည်။ ထိုအချိန်တွင် ၁၇၀၀ မှ ၁၉၅၀ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထိ အပူချိန်တွင် ၁ မှ ၂ နှစ်အထိ ထားရှိပါသည်။ ထိုပတ်ဝန်းကျင်တွင် နိုက်ထရိုဂျင်ဓာတ်ငွေသည် ၀.၂၁ မှ ၂.၁ မီဂါပါစကယ်အထိ ဖိအားဖြင့် ညှိပေးပါသည်။ ဤလုပ်ငန်းစဉ်ဖြင့် အစိမ်းရောင်ကုန်ပစ္စည်းများ၏ သိပ်သည်းဆသည် သီအိုရီအတိုင်း သိပ်သည်းဆ၏ ၈၆ ရှိသည်ထက် ပိုမိုမြင့်မှုရှိပါသည်။ ပေါင်းစည်းမှုအခန်းအတွင်းရှိ နိုက်ထရိုဂျင်ဓာတ်ငွေ၏ ဖိအားကို ၁၀ မီဂါပါစကယ်ထက် ပိုမိုမြင့်မှုရှိအောင် တိုးမှုပေးပါက အစိမ်းရောင်ကုန်ပစ္စည်းများ၏ သိပ်သည်းဆသည် သီအိုရီအတိုင်း သိပ်သည်းဆ၏ ၉၈ ရှိသည်အထိ မြင့်မှုရှိပါသည်။ အစိမ်းရောင်ကုန်ပစ္စည်းများ၏ ခွေးခြင်းအားသည်လည်း ၇၅၀ မီဂါပါစကယ်အထိ ရောက်မှုရှိပါသည်။ ပုံစောင်မှုအတိအကျမှုကောင်းမှုနှင့် လုပ်ငန်းစဉ်စရိတ်များကို ထိန်းချုပ်နိုင်မှုရှိမှုကြောင့် ဤလုပ်ငန်းစဉ်ကို အလေးချန်သော ဆီလီကွန်နိုက်ထရိုက် စီရမစ်စက်ပစ္စည်းများနှင့် အရှည်ကြီးသော ဆီလီကွန်နိုက်ထရိုက် စီရမစ်စက်ပစ္စည်းများ ထုတ်လုပ်ရာတွင် အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။ သိပ်သည်းဆမြင့်မှုပြုလုပ်ပြီးနောက် ဤစက်ပစ္စည်းများ၏ ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့် ယန္တရားဆိုင်ရာ ဂုဏ်ရည်များသည် ဈေးကွက်တွင် ရနှိုင်သော အမြင့်အဆင်းမှုရှိသော ဆီလီကွန်နိုက်ထရိုက် စီရမစ်စက်ပစ္စည်းများ၏ စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် ကိုက်ညီမှုရှိပါသည်။

၆။ ဒိုင်စားခ်ပလာစမာ စင်တာရင်း (SPS)

ဒိုင်စားခ်ပလာစမာ စင်တာရင်းဖြစ်စဉ်သည် မှုန်မှုန်ထုပ်ပေါ်သို့ ပုလ်စ်လျှပ်စီးကြောင်း၏ တိုက်ရိုက်အကျော်သွေးမှုပေါ်တွင် အခြေခံပြီး ပုံသေလျှပ်ကုန်အပူဖောင်းမှုကို အသုံးပြု၍ ထုပ်၏ အပူခါးကို အမြန်မြင့်တက်စေသည်။ ထိုသို့သော အပူခါးမြင့်မှုဖြင့် အချိန်ကြာရှည်စွာ အပူခါးမြင့်မှုကို ထိန်းသိမ်းရန် မလိုအပ်ဘဲ သိပ်သော အမြဲတမ်းဖွဲ့စည်းမှုကို ရရှိနိုင်သည်။ ထိုသို့သော အချိန်တိုအပူခါးမြင့်မှုဖြစ်စဉ်သည် ရစ္စတယ်မှုန်မှုန်များ၏ ဆက်လက်ကြီးထွားမှုကို တားဆီးပေးပြီး ပုံမှန်မဟုတ်သော အဆင့်ပြောင်းလဲမှုများကို ရှောင်ရှားပေးကာ ပစ္စည်း၏ အလွန်သေးငယ်သော အဏုကြွင်းဖွဲ့စည်းမှုကို ထိန်းသိမ်းပေးနိုင်ပြီး အစိတ်အပိုင်းများသည် ပိုမိုကောင်းမွန်သော ယန္တရားဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများကို ရရှိစေသည်။ ထိုဖြစ်စဉ်သည် အလွန်ပေါ်လ်သော ဆီလီကွန်နိုက်ထရိုက် စီရမစ်ပါတ်များနှင့် သေးငယ်သော ဆီလီကွန်နိုက်ထရိုက် နေရာသတ်မှတ်မှု ပင်များကဲ့သို့သော တိကျသော သေးငယ်သော အစိတ်အပိုင်းများကို ဖြစ်စဉ်ဖော်ထုတ်ရန် သင့်တော်ပါသည်။ ပုံမှန်ဖြစ်စဉ်ဖော်ထုတ်မှုများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ထိုဖြစ်စဉ်သည် အချိန်နည်းပါးပြီး ဖြစ်စဉ်ဖော်ထုတ်မှုအမြန်နှုန်းသည် ပိုမြန်ပါသည်။ ထို့ကြောင့် ဆီလီကွန်နိုက်ထရိုက် အစိတ်အပိုင်းများ၏ စုစုပေါင်း ဖြစ်စဉ်ဖော်ထုတ်မှုကာလကို သိသိသာသာ တိုက်ရိုက်လျှော့ချနိုင်ပါသည်။