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Il laminato in rame su base ceramica è un processo di produzione di substrati compositi che prevede il legame della lamina di rame a substrati ceramici in ossido di alluminio o nitruro di alluminio ad alte temperature. Questo materiale presenta un'elevata conducibilità termica, un'ottima isolamento elettrico e una forte resistenza di adesione. Consente l'incisione di tracciati e ha un'elevata capacità di portata di corrente. È ampiamente utilizzato nei moduli di potenza a semiconduttore ad alta potenza, nei veicoli elettrici, nei moduli IGBT e in altri settori.
BREVE
Il laminato in rame su base ceramica è un processo di produzione di substrati compositi che prevede il legame della lamina di rame a substrati ceramici in ossido di alluminio o nitruro di alluminio ad alte temperature. Questo materiale presenta un'elevata conducibilità termica, un'ottima isolamento elettrico e una forte resistenza di adesione. Consente l'incisione di tracciati e ha un'elevata capacità di portata di corrente. È ampiamente utilizzato nei moduli di potenza a semiconduttore ad alta potenza, nei veicoli elettrici, nei moduli IGBT e in altri settori.



Dettagli
Caratteristica:
Alta resistenza, elevata conducibilità termica e alto isolamento;
Elevata resistenza meccanica, forma stabile, può essere collegato con chiodi a rete;
Elevata adesione e resistenza alla corrosione;
Eccellente performance di cicli termici, fino a 50000 cicli ed elevata affidabilità;
Strutture che possono essere incise in svariati schemi, simili alle schede PCB (o substrati IMS);
Intervallo di temperatura operativa compreso tra -55 °C e 850 °C;
Il coefficiente di espansione termica è simile a quello del silicio, semplificando il processo produttivo dei moduli di potenza.
Applicazione:
Ampia utilizzo nei moduli semiconduttori di potenza ad alta potenza; Raffreddatore semiconduttore, riscaldatore elettronico; Circuito di controllo della potenza, circuito ibrido di potenza; Componenti di potenza intelligenti; Alimentatore ad alta frequenza, relè statico; Elettronica automobilistica, componenti elettronici per aeronautica e difesa; Componenti per pannelli solari; Interruttore dedicato alle telecomunicazioni, sistema ricevente; Elettronica industriale come laser.
Parametri
| Piastra ceramica rivestita in rame | |
| Spessore della piastra (mm) | 0,127mm ~ 3,0mm |
| Numero di strati | 2 |
| Spessore del substrato in foglia di rame (µm) |
1µm ~ 1000µm (0,0285 oncia ~28,5 oncia) |
| Larghezza/distanza minima della linea (mm) | 0,05 mm |
| Diametro minimo del foro (mm) | 0,06mm (Foro conduttivo) ) |
| Tolleranza dell'apertura finita (mm) | 0,05 mm (foro di inserimento) |
| Tolleranza esterna (mm) | 0,05 mm |
|
Distanza minima dal circuito alla scheda bordo (mm) |
0,1mm |
| Tolleranza del foro (mm) | ± 0,05mm |
|
Tolleranza dello spessore del prodotto finito (mm) |
(0,25-0,38 mm) ± 0,03 mm |
| (0,38-0,635 mm) ± 0,04 mm | |
| (0,76-2,00 mm) ± 0,05 mm | |
| Trattamento superficiale |
Oro nichel sprofondante/Oro nichel sprofondante oro palladio/Argento sprofondante |



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