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Ceramica Metallizzata

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Substrato Ceramico in Nitruro di Alluminio Placcato Rame Isolatore Foglio Ceramico in AIN

Il laminato in rame su base ceramica è un processo di produzione di substrati compositi che prevede il legame della lamina di rame a substrati ceramici in ossido di alluminio o nitruro di alluminio ad alte temperature. Questo materiale presenta un'elevata conducibilità termica, un'ottima isolamento elettrico e una forte resistenza di adesione. Consente l'incisione di tracciati e ha un'elevata capacità di portata di corrente. È ampiamente utilizzato nei moduli di potenza a semiconduttore ad alta potenza, nei veicoli elettrici, nei moduli IGBT e in altri settori.

Introduzione

BREVE

 

Il laminato in rame su base ceramica è un processo di produzione di substrati compositi che prevede il legame della lamina di rame a substrati ceramici in ossido di alluminio o nitruro di alluminio ad alte temperature. Questo materiale presenta un'elevata conducibilità termica, un'ottima isolamento elettrico e una forte resistenza di adesione. Consente l'incisione di tracciati e ha un'elevata capacità di portata di corrente. È ampiamente utilizzato nei moduli di potenza a semiconduttore ad alta potenza, nei veicoli elettrici, nei moduli IGBT e in altri settori.

  

Aluminum nitride coated copper sheet01.jpgAluminum nitride coated copper sheet03.jpgAluminum nitride coated copper sheet02.jpg

  

Dettagli

 

Caratteristica:

Alta resistenza, elevata conducibilità termica e alto isolamento;

Elevata resistenza meccanica, forma stabile, può essere collegato con chiodi a rete;

Elevata adesione e resistenza alla corrosione;

Eccellente performance di cicli termici, fino a 50000 cicli ed elevata affidabilità;

Strutture che possono essere incise in svariati schemi, simili alle schede PCB (o substrati IMS);

Intervallo di temperatura operativa compreso tra -55 °C e 850 °C;

Il coefficiente di espansione termica è simile a quello del silicio, semplificando il processo produttivo dei moduli di potenza.

Applicazione:

Ampia utilizzo nei moduli semiconduttori di potenza ad alta potenza; Raffreddatore semiconduttore, riscaldatore elettronico; Circuito di controllo della potenza, circuito ibrido di potenza; Componenti di potenza intelligenti; Alimentatore ad alta frequenza, relè statico; Elettronica automobilistica, componenti elettronici per aeronautica e difesa; Componenti per pannelli solari; Interruttore dedicato alle telecomunicazioni, sistema ricevente; Elettronica industriale come laser.

 

Parametri

 

Piastra ceramica rivestita in rame
Spessore della piastra (mm) 0,127mm ~ 3,0mm
Numero di strati 2
Spessore del substrato in foglia di rame (µm) 1µm ~ 1000µm (0,0285 oncia ~28,5
oncia)
Larghezza/distanza minima della linea (mm) 0,05 mm
Diametro minimo del foro (mm) 0,06mm (Foro conduttivo)
Tolleranza dell'apertura finita (mm) 0,05 mm (foro di inserimento)
Tolleranza esterna (mm) 0,05 mm
Distanza minima dal circuito alla scheda
bordo (mm)
0,1mm
Tolleranza del foro (mm) ± 0,05mm
Tolleranza dello spessore del prodotto finito
(mm)
(0,25-0,38 mm) ± 0,03 mm
(0,38-0,635 mm) ± 0,04 mm
(0,76-2,00 mm) ± 0,05 mm
Trattamento superficiale Oro nichel sprofondante/Oro nichel sprofondante
oro palladio/Argento sprofondante

 

Aluminum nitride coated copper sheet04.jpgAluminum nitride coated copper sheet03.jpgAluminum nitride coated copper sheet05.jpg

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