အလူမီနီယမ်နိုက်ထရိုက်ကော်ပါပေါင်းထည့်ထားသော စီရမစ်ပြားအီး AIN စီရမစ်ပြား

ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

၁။ အလူမီနီယမ် နိုက်ထရိုက် (AlN) စီရမစ် ပါတ်ခေါင်းများအကြောင်း အကြမ်းဖျင်း

၁.၁ ယေဘုယျမိတ်ဆက်
အလူမီနီယမ် နိုက်ထရိုက် (AlN) စီရမစ် ပါတ်ခေါင်းသည် အထူးမြင့်မားသော အပူလွှင့်ပေးနိုင်မှုရှိသော အများကြီးသော စီရမစ်ပါတ်ခေါင်းဖြစ်သည် အလွန်မြင့်မားသော အပူလွှင့်ပေးနိုင်မှုနှင့် အထူးကောင်းမွန်သော အမြင့်ဆုံး ဗို့အား ကာကွယ်မှု ရှိသည့် စီရမစ်ဖြစ်ပါသည်။ ဤပါတ်ခေါင်းသည် ပါဝါချစ်ပ်များနှင့် ပါဝါမော်ဒျူးများအတွက် ထိရောက်သော အပူဖြန့်ဖြူးမှုကို ပေးစေပါသည်။ ဤပါတ်ခေါင်းများကို စက်မှုလုပ်ငန်းများတွင် အသုံးများပါသည်။ အထူးသဖြင့် စက်မှုလုပ်ငန်းများ၊ အာကာသလုပ်ငန်းများနှင့် အမြင့်မှုန်းမှု ပစ္စည်းများတွင် အသုံးများပါသည်။ အများအားဖြင့် သာမန် အလူမီနာ စီရမစ် ပါတ်ခေါင်းများကို အစားထိုးရန်အတွက် အသုံးပြုကြပါသည်။ အီလက်ထရွန်စ် စက်မှုလုပ်ငန်းများ၊ အာကာသလုပ်ငန်းများနှင့် အမြင့်မှုန်းမှု ပစ္စည်းများတွင် အသုံးများပါသည်။ အများအားဖြင့် သာမန် အလူမီနာ စီရမစ် ပါတ်ခေါင်းများကို အစားထိုးရန်အတွက် အသုံးပြုကြပါသည်။

၁.၂ ဓာတုဖွဲ့စည်းမှုနှင့် အသေးစားဖွဲ့စည်းမှု

• တစ်မျှင်သော သန့်စင်သော အလူမီနီယမ် နိုက်ထရိုက် (AlN) စီရမစ်ကို အနည်းငယ်သော အရောင်စပ်မှု အများကြီးသော အစွန်းအများကို ထည့်သွင်း၍ ပိုမိုကြိုးစားပါသည်။
  
• ရေစုပ်မှု မရှိခြင်း၊ အတွင်းပိုင်းတွင် အောက်စိုက်မှုမရှိသော ပိုမိုကြိုးစားသော ပါတ်ခေါင်းဖြစ်ပါသည်။
  
• သိပ်သည်းဆ ≥ 3.30ဂရမ်/စင်တီမီတာ³၊ အတွင်းပိုင်းတွင် မှုန်ညှင်းမှုမရှိသော အမျှတ်သော စီရမစ်ဖွဲ့စည်းပုံဖြစ်ပါသည်။
  

၂. ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်း

၂.၁ ကုန်ကြမ်းများ အစုလိုက်ထုတ်လုပ်ခြင်းနှင့် ရောစပ်ခြင်း

အမြှေးမြှင့် စင်တာရင်းအဖော်အထည့်များနှင့် ရောနှောထားသော AlN မှုန်များကို မှုန်များ စုပုံမှုကို ဖယ်ရှားရန် အညီအမျှ ဘောလ်မီလ်လင်းလုပ်ခဲ့သည်။
အဆင့် (က)။ အစိုဓာတ်မပါသော မှုန်များကို ချပ်ဖွဲ့ထားသော စီရီမစ်အစိမ်းပြားများအဖြစ် ခြေနှိပ်ခဲ့သည်။
အဆင့် (ခ)။ နိုက်ထရိုဂျင် ပတ်ဝန်းကျင်အောက်တွင် အပူချိန်မြင့်မြင့်ဖြင့် စင်တာရင်းလုပ်ခဲ့ခြင်းဖြင့် ရစ္စတယ် ကြီးထွားမှုကို ပြီးမြောက်စေခဲ့သည်။
အဆင့် (ဂ)။ ထိန်းချုပ်ထားသော အပူချိန်တူညီမှု ဖြင့် အတွင်းပိုင်း ကျန်ရှိနေသော ဖိအားများနှင့် အဏုမှုန်အ cracks များကို ရှောင်ရှားရန် အအေးခံခဲ့သည်။

၂.၂ တိက်မှုန်းသော ဖြတ်တောက်ခြင်းနှင့် ထိန်းချုပ်နိုင်သော စက်မှုလုပ်ငန်း

အဆင့် (က)။ စင်တာရင်းလုပ်ပြီးသော ကြီးမားသော စီရီမစ်ပြားများကို စံနှုန်းအတိုင်း ပုံစံဖော်ထားသော ပြားများအဖြစ် ဖြတ်တောက်ခဲ့သည်။
အဆင့် (ခ)။ နှစ်ဖက်စလုံးကို အသေးစိတ် မီးသွေးဖြင့် ကုန်းမှုန်းခဲ့ခြင်းဖြင့် မျက်နှာပုံကို တူညီစေခဲ့သည်။ မျက်နှာပြင်ခေါင်းချောမှုနှင့် အရွယ်အစားအမျှတမှု။
ဖော်မင်းခြင်းဖိအားကို လွှတ်ပေးရန်အတွက် ဒုတိယအကြိမ် အပူပေးခြင်းကုသမှု၊ သံမဏိပြားကို ကာကွယ်ခြင်း ကွဲအက်မှု တိကျသော လေဆာဖြတ်တောက်မှုအတွင်း။

၂.၃ ဘလန့်ခ်အဆုံးသတ်ခြင်းနှင့် အလုပ်လုပ်ရန်အတွက် အဆင့်အများအပြားထားသော ပစ္စည်းများ
အုတ်ခဲများ၏ အပေါ်နှင့် အောက်မျက်နှာပြင်များကို အရွယ်အစားတူညီသော စံနှုန်းများအတိုင်း မီးခိုးရောင်ဖြင့် ပေါ်လီရှုန်းလုပ်ခြင်း။ အတွင်းပိုင်းအကွက်များပါရှိသော ဘလန့်ခ်များကို စစ်ထုတ်ရန်အတွက် X-ray စစ်ဆေးမှုကို ပြုလုပ်ခြင်း။ အရည်အသွေးပေးသော AlN အုတ်ခဲများကို ဖောက်သည်များအတွက် နောက်ဆက်တွဲ ကြေးနီသောင်းခြင်းနှင့် စီးကွင်းဖွဲ့စည်းမှု .

၃။ အဓိက စွမ်းဆောင်ရည် အက်ကောင်း (သတ်မှတ်ထားသည့် အင်္ဂါရပ်)

၃.၁ အဓိက အပိုင်းအများဆုံး အပူလွှဲပေးနိုင်မှု

• အပူလွှဲပေးနိုင်မှု ≥ ၂၀°C တွင် ၁၇၀ W/m·k ၊ အဆိပ်အတောက်မရှိသော ပစ္စည်းဖြစ်ပြီး စွမ်းအင်မြင့်များသော လျှပ်စစ်ပစ္စည်းများအတွက် အပူကို အမြန်ဖြန့်ဖြေနိုင်သည်။
  
• အလျှော့လျှော့ ဖြာချက် ၄.၄×၁၀⁻⁶ (အခန်းအပူခါး-၄၀၀ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်) ၊ ကြေးနီပါးနှင့် ကောင်းစွာကိုက်ညီပြီး တိုက်ရိုက်ကြေးနီချောင်းချိတ်ဆက်မှုနှင့် သေးငယ်သော သံလွန်ပုံစံထုပ်ပိုးမှုတွင် တည်ငြိမ်မှုရှိသည်။
  
• အပူချိန်ပြောင်းလဲမှုကို ခံနိုင်ရည်ရှိမှုအလွန်ကောင်းမြင်ပြီး အပူချိန်နိမ့်သော အခြေအနေများတွင် ရှည်လျားစွာ တည်ငြိမ်စွာ အသုံးပေးနိုင်သည်။ 800℃အပူချိန်မြန်မြန်တက်ပါးသည့် သို့မဟုတ် အအေးခံမှုကို ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး ပုံပျက်ခြင်း (သို့မဟုတ်) ကြေ cracked မှုများ မဖြစ်ပါ။
  

၃.၂ လျှပ်စစ်ဓာတ်အားကို အလွန်ကောင်းမွန်စွာ အကာအကွယ်ပေးခြင်း

• အမှုန်အစားခံနိုင်မှု ≥10¹⁴ ω·cm၊ အပူချိန်နှင့် ကြိမ်နှန်းအားလုံးတွင် စုံလင်သော လျှပ်စစ်အကာအရံဖြစ်မှုကို ထိန်းသိမ်းပေးသည်။
  
• ဒိုင်အီလက်ထရစ် အချိန်ပေးမှု ၉.၀ (၁MHz)၊ စွမ်းအင်ဆုံးရှုံးမှုအချိန်ပေးမှု ၃×၁၀⁻⁴၊ ဒိုင်အီလက်ထရစ်အားသာခြင်း ≥15KV/mm။
  
• မြင့်မားသော ကြိမ်နှန်းနှင့် မြင့်မားသော ဗို့အားဖြင့် အဆက်မပုတ်ဘဲ လျှပ်စစ်အကာအရံဖြစ်မှုကို ထိန်းသိမ်းနိုင်ပြီး အပူချိန်မြင့်မှုအောက်တွင် မြန်မြန်ပျက်စီးသော ပေါ်လီမာပလပ်စတစ်များထက် ပိုမိုကောင်းမွန်သည်။
  

၃.၃ ဓာတုနှင့် ဗာကျူမ် သ совместим်

• အက်ဆစ်အများစု၊ အယ်ကလီလ်များနှင့် အောဂေးနစ်အရည်များအားလုံးကို ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။ ဟိုက်ဒရိုဖလွိုရစ်အက်ဆစ်နှင့် အလွန်ပူပြင်းသော အယ်ကလီလ်သံလွန်များသာလျှင် ထိခိုက်စေနိုင်သည်။
  
• အပူချိန်မြင့်မှုဖြင့် မှိုမှုန့်များကို လုံးဝမထွက်စေသည့် အခြေအနေ၊ အလွန်အများဆုံးအောက်ခေါင်းနှိပ်ခြင်း (UHV) နည်းပညာအတွက် လုံးဝကိုက်ညီသည် (UHV) ဆီမီကွန်ဒတ်တာ စက်မှုလုပ်ငန်းများအတွက် အခန်းများ .
  
• X-ray နှင့် gamma အမှုန်များဖြင့် အလွန်တိကျသည့် ဖွဲ့စည်းပုံအတွက် စိတ်ခေါင်းမှုန်မှုမရှိသည့် အခြေအနေတွင် တည်ငြိမ်သည်။ နျူကလီယာနှင့် အာကာသ လုပ်ငန်းများအတွက် သင့်လျော်သည်။
  

၃.၄ ယန္တရားနှင့် ဘေးကင်းရေး စွမ်းရည်

• ဖလက်ချိုင်းတာ၏အကြံညွှန်း ≥၃၃၀ MPa ချောမျောပြေပေါက်သည့် ပုံစံဖွဲ့စည်းမှုဖြင့် အားကောင်းသည့် ဖိအားခံနိုင်မှုရှိသည်။
  
• မူလမျက်နှာပုံအမျော့အမျော့ဖြစ်မှု Ra ၀.၃~၀.၅μm ; မှုန်မှုန်သည့် သံမဏိပြားများ၏ မျက်နှာပုံသည် Ra ≤၀.၁μm ကြေးနီပါးပါးများကို ကြီးမားစွာ ကပ်နေစေရန်အတွက် သင့်လျော်သည်။
  
• ကောင်းမွန်သည့် အကွာအဝေးသာ ၂၅.၄ မီလီမီတာလျှင် ၀.၀၃ မှ ၀.၀၅ အရှည်၊ DBC ကြေးနီအလွှင်းလုပ်ရန်အတွက် အလွန်ချောမျောပြေပေါက်သည့် ပုံစံဖွဲ့စည်းမှုဖြစ်သည်။
  
• အဆိပ်မရှိသည့် အမျော့အမျော့ဖြစ်သည့် အစိမ်းရောင်အရင်းအမြစ်များဖြင့် ပြုလုပ်ထားပြီး နှစ်စဥ်အပူချိန်ပေါ်တွင် အကြာကြာအသုံးပြုနိုင်ရန် နှစ်ဖက်စလုံးကို အသုံးပြုနိုင်သည်။

၄။ အရေးကြီးသော ကန့်သတ်ချက်များ

• အပူချိန်မြင့်မြင့်ရှိသည့်ပတ်ဝန်းကျင်များတွင် အဆက်မပုတ် ရှည်လျားစွာ အလုပ်လုပ်ရန် မသင့်လျော်ပါ 800℃.
  
• ဟိုက်ဒရောဖလူအော်ရစ်အက်ဆစ်နှင့်ထိတွေ့ပါက မျက်နှာပုံသဏ္ဍာန်ပေါ်တွင် အနာများဖြစ်ပြီး ပျက်စီးမည်
  
• အလူမီနာနှင့် စီလီကွန်ကာဘိုင်ဒ်ထက် အမာအားနိမ့်ပါသည်။ အလွန်ပြင်းထန်သည့် ပွန်းပဲမှုအတွက် ပထမဆုံးရွေးချယ်မှုမဟုတ်ပါ အလုပ်လုပ်သည့် အခြေအနေများ .
  

၅။ အဓိက စက်မှုလုပ်ငန်း အသုံးပြုမှုများ

၅.၁ ဗာကျူမ်နှင့် ဆီမီကွန်ဒတ်တာ
ဆမီကွန်ဒတ်တာချစ်ပ် ထုပ်ပေးရေး အခြေစိုက်မြေ ၊ အလွန်အများအပြား အပူချိန်နိမ့်သည့် စက်ကိုယ်ထည်များအတွက် အပူလွှင့်ပေးရေး အထိန်းချုပ်ပေးသည့် ပြားများ၊ ပါဝါမော်ဂျူယ်များအတွက် အအေးခံပေးရေး အခြေစိုက်မြေများ
၅.၂ လေကြောင်းနှင့် အာကာသယာဉ်
စက်တဗိုက် ပါဝါကိရိယာများအတွက် အပူခွဲခြားရေး အခြေစိုက်မြေများ၊ အကူးအပြောင်းအန္တရာယ်များကို ခံနိုင်ရည်ရှိသည့် ပါတ်ဝန်းကျင်များအတွက် ပုံသဏ္ဍာန်မှန်သည့် ဖောက်ထွင်းမှုများ
၅.၃ အမြင့်ဖိအားမှု ပါဝါအီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများ
IGBT မော်ဂျူယ် DBC ကြေးနီဖောက်ထွင်းမှုပါသည့် အခြေစိုက်မြေများ၊ အမြင့်မှန်ကန်သည့် ထရန်စ်ဖော်မာ အထိန်းချုပ်ပေးသည့် ပြားများ၊ လေဆာကိရိယာများ အပူပေးစွမ်းအောင် အောက်ခြေ လုံးဝါ.
၅.၄ အိုပ်တစ်ခ်နှင့် တိကျသော ကိရိယာများ
အလင်းရေးကိရိယာများအတွက် အပူလွှင့်ပေးရေး အထိန်းချုပ်ပေးသည့် ပြားများ၊ တိကျသည့် စမ်းသပ်မှုကိရိယာများအတွက် အထိန်းချုပ်ပေးသည့် အခြေစိုက်မြေများ
၅.၅ ဆေးဘက်နှင့် နျူကလီးယား စက်မှုလုပ်ငန်း
အကူးအပြောင်းအန္တရာယ် ကာကွယ်ရေး စမ်းသပ်မှုအတွက် ပုံသဏ္ဍာန်မှန်သည့် ဇီးဂ်များ အညစ်အကြေးကင်းစင်ခြင်း လက်တွေ့စမ်းသပ်ခန်း အမြင့်ဖိအား အထူးခြဲခြားထားသော အခြေခံပစ္စည်းများ။

၆။ ပစ္စည်းများ၏ နေရာချထားမှု
အလူမီနီယမ် နိုက်ထရိုက် (AlN) ဆီရမစ်ပါးစပ်သည် ပလပ်စတစ် အထူးခြဲခြားထားသော ပြားများနှင့် သာမန် အလူမီနာ ဆီရမစ်အခြေခံပစ္စည်းများကြား စွမ်းဆောင်ရည်အကွာအဝေးကို ဖြည့်ဆီပေးပါသည်။ ၎င်းသည် အလွန်မြင့်မားသော အပူလွှင်းပေးနိုင်မှုနှင့် စဥ်ဆက်မပြတ် အမြင့်မှုန်အော်ပါရှန် အထူးခြဲခြားထားသော စွမ်းဆောင်ရည်ကို ပေါင်းစပ်ပေးပါသည်။ ဂလပ်စ် ဆီရမစ်နှင့် အလူမီနာ အခြေခံပစ္စည်းများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ၎င်းသည် ပိုမိုကောင်းမွန်သော အပူပေးနိုင်မှု စွမ်းရည်နှင့် အကောင်းဆုံး ကြေးနီပါးစပ် ကပ်စွဲမှုကို ပေးစေပါသည်။ လုံလောက်မှု ထို့ကြောင့် အထူးပြုထားသော အမြင့်စွမ်းအား လျှပ်စစ်ပစ္စည်းများ၊ ဆီမီကွန်ဒတ်တာ အထုပ်ပို့မှုများနှင့် အာကာသ နည်းပညာ အတိကျမှုရှိသော စက်ကိရိယာများအတွက် ပုံပေါ်သော အခြေခံပစ္စည်းအဖြစ် ရွေးချယ်မှု အကောင်းဆုံးဖြစ်ပါသည်။

ပါရာမီတာ

ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုသမိုင်း

အများပိုင်စိတ်ကူးနှင့် လက်မှတ်များ

ထုပ်ပိုးမှု

ဝန်ဆောင်မှုများ                                                                         

မေးလေ့ရှိသောမေးခွန်းများ