એલ્યુમિનિયમ નાઇટ્રાઇડ કૉપર પ્લેટેડ સિરેમિક સબસ્ટ્રેટ ઇન્સ્યુલેટર AIN સિરેમિક શીટ

ઉત્પાદન વિગતો

1. એલ્યુમિનિયમ નાઇટ્રાઇડ (AlN) સેરામિક શીટનો સારાંશ

1.1 સામાન્ય પરિચય
એલ્યુમિનિયમ નાઇટ્રાઇડ (AlN) સેરામિક શીટ એક ઉચ્ચ-પ્રદર્શન સપાટ પ્લેટ છે જે અત્યંત ઉચ્ચ થર્મલ કન્ડક્ટિવિટી અને ઉત્કૃષ્ટ હાઇ-વોલ્ટેજ ઇન્સુલેશન ધરાવે છે. તે પાવર ચિપ્સ અને પાવર મોડ્યુલ્સ માટે કાર્યક્ષમ ઉષ્મા વિસરણ પ્રદાન કરે છે, જેનો ઉપયોગ સેમિકન્ડક્ટર પેકેજિંગ, એરોસ્પેસ અને હાઇ-ફ્રીક્વન્સી ઇલેક્ટ્રોનિક ઉપકરણોમાં સામાન્ય એલ્યુમિના સેરામિક સબસ્ટ્રેટ્સની સરખામણીમાં સુધારેલો વિકલ્પ તરીકે વ્યાપકપણે કરવામાં આવે છે.

1.2 રાસાયણિક સંરચના અને સૂક્ષ્મ સંરચના

• એકલ-તબક્કાનું શુદ્ધ AlN સેરામિક, જે સાંકડી સિન્ટરિંગ એડિટિવ્સ સાથે મિશ્રિત થઈને ઘન અને સૂક્ષ્મ ક્રિસ્ટલ માઇક્રોસ્ટ્રક્ચર બનાવે છે.
  
• શૂન્ય પાણી શોષણ, આંતરિક ખાલી જગ્યા અથવા પારદર્શી રંધ્રો વિનાની ઘન અને સપાટ સોલિડ પ્લેટ.
  
• ઘનતા ≥ 3.30g/cm³, સ્થિર અને સમાન ક્રિસ્ટલ સ્ટ્રક્ચર, જેમાં લપેટાયેલી સૂક્ષ્મ-ફિસ્સર્સ નથી.
  

2. ઉત્પાદન પ્રક્રિયા

2.1 કાચા માલનું બેચિંગ અને મિશ્રણ

ઉચ્ચ શુદ્ધતાવાળો સિન્ટરિંગ એડિટિવ્સ સાથે મિશ્રિત AlN પાઉડર, કણની એકત્રીકરણને દૂર કરવા માટે સમાન રીતે બોલ મિલિંગ કરવામાં આવે છે.
પગલું A: શુષ્ક-પ્રેસ કરેલો કાચો પાઉડર સપાટ સેરામિક ગ્રીન શીટ્સમાં.
પગલું B: નાઇટ્રોજન વાતાવરણ હેઠળ ઉચ્ચ તાપમાને સિન્ટરિંગ કરીને ક્રિસ્ટલ વૃદ્ધિ પૂર્ણ કરવી.
પગલું C: નિયંત્રિત અચળ તાપમાને ઠંડક આપવી જેથી આંતરિક અવશેષ તણાવ અને સૂક્ષ્મ ફાટને ટાળી શકાય.

2.2 ચોકસાઈભર્યો કાપવો અને નિયંત્રિત મશીનિંગ

પગલું A: સિન્ટર કરેલી મોટી સેરામિક સ્લેબ્સને માનક કદની શીટ્સમાં કાપવામાં આવે છે.
પગલું B: બંને બાજુઓનું સૂક્ષ્મ ગ્રાઇન્ડિંગ કરવામાં આવે છે સપાટીને એકસમાન બનાવવા માટે અસમતોળપણ અને પરિમાણિક સમતલતા.
ફોર્મિંગ તણાવને દૂર કરવા માટે બીજો એનીલિંગ સારવાર, શીટને ફાટવાથી સચોટ લેઝર કટિંગ દરમિયાન બચાવવી.

2.3 બ્લેન્ક સમાપ્તિ અને અર્ધ-સમાપ્ત સ્ટૉક
સ્લેબની ઉપરની અને નીચેની સપાટીઓને એકસાર પરિમાણિક માપદંડ પ્રમાણે ગ્રાઇન્ડ કરવી; આંતરિક ખામીઓ ધરાવતા બ્લેન્કને છાંટવા માટે એક્સ-રે નિરીક્ષણ કરવું. ગ્રાહકોની આગામી તાંબાની પ્લેટિંગ અને પરિપથ પ્રક્રિયા .

3. મુખ્ય કાર્યક્ષમતાનો પ્રોફાઇલ (નિર્ધારિત લક્ષણ)

3.1 પ્રભાવશાળી ઉષ્મીય કામગીરી

• ઉષ્મીય વાહકતા ≥ 20℃ પર 170 W/m·k , નિર્જીવ સામગ્રી જે ઉચ્ચ-શક્તિ ઇલેક્ટ્રોનિક ઘટકો માટે ઝડપી ઉષ્મા વિસરણ પ્રદાન કરે છે.
  
• સુરેખ પ્રસરણ ગુણાંક 4.4×10⁻⁶ (RT-400℃) , સ્થિર સીધા તાંબાના બોન્ડિંગ અને ધાતુની પેકેજિંગ માટે તાંબાના ફોઇલ સાથે સારી રીતે મેળ ખાય છે.
  
• ઉત્કૃષ્ટ ઉષ્મીય આઘાત પ્રતિરોધકતા, પૂર્ણ તાપમાન શ્રેણીમાં સ્થિર લાંબા ગાળાની સેવા હેઠળ 800℃ઝડપી ગરમી અને શીતલન ચક્રો હેઠળ વારંવાર વાંકા અથવા ફટાશ વિના.
  

૩.૨ ઉત્તમ વિદ્યુત ઇન્સ્યુલેશન

• બલ્ક અવરોધ ≥10¹⁴ ω·cm, પૂર્ણ તાપમાન અને આવૃત્તિ શ્રેણીમાં વિશ્વસનીય ઇન્સુલેશન પ્રદર્શન જાળવે છે.
  
• ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક 9.0 (1MHz), ડિસિપેશન ફેક્ટર 3×10⁻⁴, ડાયઇલેક્ટ્રિક શક્તિ ≥15KV/mm.
  
• લગાતાર ઉચ્ચ-આવૃત્તિ અને ઉચ્ચ-વોલ્ટેજ લોડ હેઠળ સ્થિર ઇન્સુલેશન, જે ઉચ્ચ તાપમાન હેઠળ ઝડપથી નષ્ટ થતા પોલિમર પ્લાસ્ટિક્સ કરતાં ઘણી વધારે સારી છે.
  

3.3 રાસાયણિક અને વેક્યુમ સંગતતા

• સૌથી વધુ એસિડ, ક્ષાર અને કાર્બનિક દ્રાવકો પ્રતિ પ્રતિરોધક; ફક્ત હાઇડ્રોફ્લોરિક એસિડ અને મજબૂત પિગલેલા ક્ષાર ધાતુઓ દ્વારા કોરોઝન પામવાની સંભાવના.
  
• ઉચ્ચ-તાપમાન બેકિંગ પછી શૂન્ય આઉટગેસિંગ, અલ્ટ્રા-હાઇ વેક્યુમ (UHV) સાથે સંપૂર્ણપણે સુસંગત. સેમિકન્ડક્ટર પ્રોસેસિંગ ચેમ્બર્સ .
  
• એક્સ-રે અને ગામા કણ વિકિરણ હેઠળ સ્થિર, ન્યુક્લિયર અને એરોસ્પેસ પ્રેસિઝન સ્ટ્રક્ચરલ સબસ્ટ્રેટ્સ માટે યોગ્ય.
  

3.4 યાંત્રિક અને સુરક્ષા કામગીરી

• વળાંક તાકાત ≥330 એમપીએ , કઠોર સમતલ પ્લેટ સંરચના જેમાં મજબૂત સંકોચન પ્રતિરોધકતા હોય.
  
• મૂળ સપાટીની રાખોડિયત Ra 0.3~0.5μm ; પોલિશ કરેલી શીટની સપાટી પહોંચે છે Ra ≤0.1μm ટાંકણને તંગ રીતે જોડવા માટેના તાંબાના ફોઇલ.
  
• કેમ્બર માત્ર 0.03~0.05 દર 25.4 મિમી લંબાઈ, ડીબીસી તાંબાની પ્લેટિંગ માટે આદર્શ અત્યંત સમતલ અને સમાન શીટની સપાટી.
  
• નોન-ટૉક્સિક અકાર્બનિક કાચા માલ, લાંબા સમય સુધીના થર્મલ સાઇકલિંગ હેઠળ સેવા જીવનને વધારવા માટે પહેરવાની પ્રતિરોધક બંને બાજુઓ.

4. મુખ્ય મર્યાદાઓ

• ઉચ્ચ તાપમાનના વાતાવરણમાં લાંબા સમય સુધીના ચાલુ સંચાલન માટે લાગુ પડતો નથી 800℃.
  
• હાઇડ્રોફ્લુઓરિક એસિડનો સંપર્ક થતાં સપાટી પર ખોરાક થશે અને નુકસાન થશે.
  
• એલ્યુમિના અને સિલિકોન કાર્બાઇડ કરતાં ઓછી કઠોરતા, ભારે ડ્યુટીની ગંભીર ઘસારણ માટે પ્રથમ પસંદગી નથી કાર્યના પરિસ્થિતિ .
  

5. મુખ્ય ઔદ્યોગિક એપ્લિકેશન્સ

5.1 વેક્યુમ અને સેમીકન્ડક્ટર
સેમીકન્ડક્ટર ચિપ પેકેજિંગ સબસ્ટ્રેટ્સ , યુ.એચ.વી. (UHV) સાધનોની ઉષ્મા-સંચાલન ઇન્સુલેશન પ્લેટ્સ, પાવર મોડ્યુલ કૂલિંગ સબસ્ટ્રેટ્સ.
5.2 એરોસ્પેસ અને અંતરિક્ષયાન
સેટેલાઇટ પાવર ડિવાઇસના થર્મલ ઇઝોલેશન સબસ્ટ્રેટ્સ, રેડિયેશન-રેઝિસ્ટન્ટ સમતલ સ્ટ્રક્ચરલ પ્લેટ્સ.
5.3 ઉચ્ચ વોલ્ટેજ પાવર ઇલેક્ટ્રોનિક્સ
IGBT મોડ્યુલ DBC કોપર-ક્લેડ સબસ્ટ્રેટ્સ, હાઇ-ફ્રીક્વન્સી ટ્રાન્સફોર્મર ઇન્સુલેશન પ્લેટ્સ, લેઝર ડિવાઇસ ઉષ્મા વિસર્જન બેઝ શીટ્સ.
5.4 ઑપ્ટિક્સ અને સચોટ ઉપકરણો
પ્રકાશીય સાધનોની ઉષ્મા-વહન અલગાવની પ્લેટો, ચોક્કસ પરીક્ષણ સાધનોના વિદ્યુતરોધક સબસ્ટ્રેટ્સ.
5.5 મેડિકલ અને ન્યુક્લિયર ઉદ્યોગ
વિકિરણ રક્ષણ પરીક્ષણ માટેના સમતલ જિગ્સ, પ્રદૂષણ-મુક્ત પ્રયોગશાળાના ઉચ્ચ વોલ્ટેજ વિદ્યુતરોધક સબસ્ટ્રેટ્સ.

6. સામગ્રીનું સ્થાન
એલ્યુમિનિયમ નાઇટ્રાઇડ (AlN) સેરામિક શીટ પ્લાસ્ટિક વિદ્યુતરોધક બોર્ડ્સ અને સામાન્ય એલ્યુમિના સેરામિક સબસ્ટ્રેટ્સ વચ્ચેનો કાર્યક્ષમતાનો અંતર ભરે છે. તે અત્યધિક ઉષ્મા વાહકતા અને સ્થિર ઉચ્ચ-આવૃત્તિ વિદ્યુતરોધક કાર્યક્ષમતાનું સંયોજન કરે છે. ગ્લાસ સેરામિક્સ અને એલ્યુમિના સબસ્ટ્રેટ્સની સરખામણીમાં, તે ઉષ્મા વિસર્જનની વધુ કાર્યક્ષમતા પ્રદાન કરે છે અને કોપર ફોઇલ સાથેનું આદર્શ બોન્ડિંગ પ્રદાન કરે છે સમાનતા જેથી તે કસ્ટમાઇઝ્ડ ઉચ્ચ-શક્તિ ઇલેક્ટ્રોનિક્સ, સેમીકન્ડક્ટર પેકેજિંગ અને એરોસ્પેસ ચોક્કસ સાધનો માટેનો પ્રાથમિક સમતલ સબસ્ટ્રેટ સામગ્રી બને છે.

પેરામીટર

વિકાસ ઇતિહાસ

પેટન્ટ અને પ્રમાણપત્ર

પેકેજ

સેવાઓ                                                                         

પ્રશ્નો અને જવાબો