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Kupferbeschichtetes Keramik-Verbundmaterial ist ein Herstellungsverfahren für Verbundsubstrate, bei dem Kupferfolie bei hohen Temperaturen auf Aluminiumoxid- oder Aluminiumnitrid-Keramiksubstrate aufgebracht wird. Dieses Material weist eine hohe Wärmeleitfähigkeit, exzellente elektrische Isolationsfähigkeit sowie eine hohe Haftfestigkeit auf. Es unterstützt das Ätzen von Leiterbahnmustern und hat eine hohe Strombelastbarkeit. Es wird häufig in leistungsstarken Leistungshalbleitermodulen, Fahrzeugen der neuen Energietechnologie, IGBT-Leistungsmodulen und anderen Bereichen eingesetzt.
KURZ
Kupferbeschichtetes Keramik-Verbundmaterial ist ein Herstellungsverfahren für Verbundsubstrate, bei dem Kupferfolie bei hohen Temperaturen auf Aluminiumoxid- oder Aluminiumnitrid-Keramiksubstrate aufgebracht wird. Dieses Material weist eine hohe Wärmeleitfähigkeit, exzellente elektrische Isolationsfähigkeit sowie eine hohe Haftfestigkeit auf. Es unterstützt das Ätzen von Leiterbahnmustern und hat eine hohe Strombelastbarkeit. Es wird häufig in leistungsstarken Leistungshalbleitermodulen, Fahrzeugen der neuen Energietechnologie, IGBT-Leistungsmodulen und anderen Bereichen eingesetzt.



Details
Charakteristik:
Hohe Festigkeit, hohe Wärmeleitfähigkeit und hohe Isolationsfähigkeit;
Hohe mechanische Belastbarkeit, stabile Form, kann mit Mückenstiften verbunden werden;
Starke Haftung und Korrosionsbeständigkeit;
Hervorragende thermische Wechseleigenschaften mit bis zu 50.000 Zyklen und hoher Zuverlässigkeit;
Strukturen, die in verschiedene Muster geätzt werden können, ähnlich wie bei Leiterplatten (oder IMS-Substraten);
Der Temperaturbereich liegt zwischen -55 °C und 850 °C;
Der Wärmeausdehnungskoeffizient ist nahezu identisch mit dem von Silizium, was den Produktionsprozess von Leistungsmodulen vereinfacht.
Anwendungsbereich:
Wird häufig in leistungsstarken Leistungshalbleitermodulen eingesetzt; Halbleiterkühler, Elektroheizer; Leistungssteuerschaltung, Leistungshybridschaltung; Integrierte Leistungskomponenten; Hochfrequenz-Schaltnetzteil, Festkörperschaltelement; Automobilelektronik, Elektronikkomponenten für Luftfahrt, Raumfahrt und Militär; Solarmodul-Komponenten; Telekommunikationsspezial-Schalter, Empfangssysteme; Industrieelektronik wie Laser.
Parameter
| Kupferbeschichtete Keramikplatte | |
| Plattendicken-Spezifikation (mm) | 0,127 mm ~ 3,0 mm |
| Anzahl der Schichten | 2 |
| Dicke der Kupferfolienbasis (µm) |
1 µm ~ 1000 µm (0,0285 Unze ~ 28,5 unze) |
| Minimale Leiterbahnbreite/Leiterabstand (mm) | 0,05 mm |
| Minimale Bohrlochdurchmesser (mm) | 0,06 mm (leitfähiges Loch) ) |
| Fertige Apertur-Toleranz (mm) | 0,05 mm (Steckloch) |
| Äußere Toleranz (mm) | 0,05 mm |
|
Mindestabstand von der Leiterbahn zur Platine rand (mm) |
0,1mm |
| Bohrungstoleranz (mm) | ± 0,05 mm |
|
Fertige Produktdicken-Toleranz (mm) |
(0,25-0,38 mm) ± 0,03 mm |
| (0,38-0,635 mm) ± 0,04 mm | |
| (0,76-2,00 mm) ± 0,05 mm | |
| Oberflächenbehandlung |
Abscheidung Nickel Gold/Abscheidung Nickel palladium Gold/Abscheidung Silber |


