9F,Bldg.A Dongshengmingdu Plaza,No.21 Chaoyang East Road,Lianyungang Jiangsu,Çin +86-13951255589 [email protected]
Berrak kuvars teknesi boyutu
Genellikle ürettiğimiz boyut 4 inç, 6 inç, 8 inç ve benzeri. Ayrıca müşterilerin gereksinimlerine göre tasarım yapabilir ve özelleştirme yapabiliriz.
Sertlik
Yaklaşık Mohs sertliği 7, camınkine benzer
SiO₂ Saflığı
Silikon dioksit saflığı, tipik olarak ≥99.99%yarı iletken sınıfı krozelere yönelik
Maksimum işletme sıcaklığı
Kuvars teknenin sürekli dayanabileceği en yüksek sıcaklık, en fazla 1100℃
Kısa süreli çalışma sıcaklığı 1200℃
Ürün Detayları
1. Kuartz Tekne Tanıtımı
Kuartz Tekne, yarı iletken endüstrisinde özel olarak Wafer Teknesi veya İşlem Teknesi olarak bilinir ve yüksek saflıkta eritilmiş kuartzdan üretilen yüksek hassasiyetli bir bileşendir. Tasarımı, silikon wafers'leri tutmak ve taşımak içindir çeşitli yüksek sıcaklıkta üretim süreçleri sırasında.
Ana işlevi, birden fazla wafer'in fırınlar ve reaksiyon odaları içinde işlem görürken güvenli bir şekilde tutulmasını ve tam olarak aralıklı, dikey pozisyonda taşınmasını sağlamaktır.
2. Temel Özellikler
2.1 Olağanüstü Yüksek Sıcaklık Direnci:
Ergimiş kuvars, 1100°C'yi aşan sıcaklıklara yumuşamadan veya şekil bozmadan dayanabilir; bu da difüzyon ve oksidasyon gibi süreçler için çok önemlidir.
2.2 Ultra Yüksek Saflık:
Neredeyse metal safsızlıklarından arınmış yüksek saflıkta sentetik kuvarştan üretilmiştir. Bu, hassas silikon waferlerin kirlenmesini önler ve yüksek ürün verimi ile performans elde etmek açısından kritik öneme sahiptir.
2.3 Üstün Termal Kararlılık:
Kuvarzın termal genleşme katsayısı çok düşüktür ve bu nedenle çatlamadan ani ısınma ve soğuma döngülerine (termal şoka) dayanabilir.
2.4 Mükemmel Kimyasal İnertlik:
Yarı iletken üretiminde kullanılan çoğu asit, halojen ve diğer agresif süreç gazlarına karşı yüksek direnç gösterir.
2.5 Yüksek Mekanik Dayanıklılık ve Kararlılık
Yüksek sıcaklıklarda ağır yük altında yapısal bütünlüğü ve boyutsal stabiliteyi korur ve waferlerin bükülmesini önler.
Kuvars tekne, yüksek sıcaklık direnci ve kontaminasyonu önlemek için ultra yüksek saflığı nedeniyle yarı iletken üretiminde çok önemlidir. Üstün termal şok direnci ve mükemmel kimyasal inertliği, sert süreç ortamlarında güvenilir bir şekilde çalışmasını sağlar. Ayrıca, hassas mühendisliği sayesinde wafer'ların hasar görmeden ve tekdüze bir şekilde işlenmesini garanti eder.
3. Kuvars teknesinin avantajları
3.1 Yüksek Sıcaklık Dayanımı:
Kuvars camının yumuşama noktası sıcaklığı yaklaşık 1730 ℃’dir ve uzun süre 1200 ℃’de kullanılabilir .kısa süreli kullanım sıcaklığı 1450 ℃’ye ulaşabilir.
3.2 İyi Termal Kararlılık:
Kuyt kristal cam termal genleşme katsayısı küçüktür , yapabilir ani sıcaklık değişimlerine dayanabilir kuvars camı yaklaşık 1200 ℃’ye kadar ısıtılır, odun sıcaklığındaki suya konulduğunda patlamaz.
3.3 Korozyon Direnci:
Hidroflorik aside hariç kuvars camı diğer asitlerle neredeyse kimyasal olarak tepkime vermez ve asit direnci seramikten 30 kat, paslanmaz çelikten 150 kat daha yüksektir.
3.4 Güçlü Yalıtım:
Kuvars camının direnç değeri sıradan camınkinden 10.000 kat daha yüksektir ve bu nedenle çok iyi bir elektrik yalıtım malzemesidir; oda sıcaklığında iyi yalıtım performansı gösterir.
3.5 İyi Işık Geçirgenliği:
Ultraviyole ile kızılötesi dalga boyları aralığının tamamında iyi ışık geçirgenliğine sahip , görünür ışık geçirgenlik oranı %93 veya daha fazla; ultraviyole spektrum bölgesinde geçirgenlik oranı 80 veya daha fazla.
4. Yaygın Uygulamalar
Yüksek Sıcaklık Süreçleri İçin Yarı İletken Taşıyıcı: Ana işlevi, silikon wafers’ları fırınlarda ve reaksiyon odalarında tutmak ve taşımaktır.
Katkılama ve Difüzyon İçin Kritik: Transistörler ve devreler oluşturmak amacıyla silikon waferlere safsızlıkların eklenmesini sağlar.
Termal Oksidasyon İçin Gerekli: Plakalar üzerine yalıtkan oksit katmanları oluşturmak için kullanılır.
İnce Film Kaplama (CVD) Destekçisi: Kaplanma süreçleri sırasında plakaları tutar.
Güneş Hücresi Üretiminde Temel: Fotovoltaik hücrelerde p-n eklem üretimi için kullanılır.
Esasen, silikon plakaların veya benzeri altlıkların ultra temiz ve yüksek sıcaklıkta işlenmesinin gerektiği her yerde kuvars tekne vazgeçilmez bir araçtır.
4.1 Yarı İletken Üretimi (Temel Uygulama)
Termal Oksidasyon: Plakaların yüzeyine ince, homojen bir silisyum dioksit (SiO₂) katmanı oluşturmak üzere yüksek sıcaklıklı fırınlara taşınmasında kullanılır.
Difüzyon: Silikonun elektriksel özelliklerini değiştirmek için plakaların yüksek sıcaklıklarda katkı gazlarına maruz bırakıldığı katkılanma süreçlerinde kullanılır.
Kimyasal Buhar Birikimi (CVD): Çeşitli malzemelerden ince filmlerin biriktirildiği süreçler sırasında plakaları tutmak amacıyla kullanılır.
Tavlama: Fırınlarda, kristal hasarını onarmak veya katkı maddelerini aktive etmek amacıyla wafer'ları ısıtmak ve yavaşça soğutmak için kullanılır.
4.2 Fotovoltaik (PV) Endüstrisi
Bir güneş hücresinin temel merkezi olan p-n eklemi oluşturmak için difüzyon sürecinde kullanılır.
Ayrıca diğerlerinde de kullanılır yüksek sıcaklık işlemleri silikon güneş enerjisi wafers’ları için adımlar.
4.3 LED ve MEMS Üretimi
Işık Yayan Diyotlar (LED'ler) ve Mikro-Elektro-Mekanik Sistemler (MEMS'ler) üretiminde yer alan yüksek sıcaklık işlemleri için gereklidir.
Kuartz deney tüpleri, genellikle %99,9 veya daha yüksek silika içeriğine sahip, yüksek saflıkta eritilmiş silika’dan üretilen, yüksek performanslı laboratuvar ve endüstriyel bileşenlerdir; üstün kalitede olanları ise %99,99 SiO₂ saflığına ulaşır . Üretim süreci, doğal kuvarz kristallerinin yaklaşık 2000°C gibi çok yüksek bir sıcaklıkta eritilmesini ve ardından duvar kalınlığının eşitlenmesi ile yapısal bütünlüğün sağlanması amacıyla germe ve şekillendirme gibi hassas işleme tekniklerinin uygulanmasını içerir. Bu tüpler, sıradan cam ve borosilikat cam alternatiflerinden, üstün termal, kimyasal, optik ve mekanik özelliklerin eşsiz kombinasyonu sayesinde ayrılır ve birçok yüksek talep gören uygulamada yerine geçilmezdir.
Teknik Parametreler
| Özellik İçeriği | BİRİM | Özellik Endeksi |
| Yoğunluk | g/cm³ | 1.9-2.0 |
| Çekme Dayanımı | Pa(N/m²) | 4.9×10⁷ |
| Basınç dayanımı | Pa | >1.0×10⁸ |
| Isıl genleşme katsayısı | cm/cm·℃ | 5.4×10⁻⁷ |
| Isıl İletkenlik | W/m·℃ | Düşük |
| Özgül Isı | J/kg·℃ | 650 |
| Yumuşama Noktası | ℃ | 1600 |
| Pasivation Noktası | ℃ | 1100 |
| Alüminyum | Demir | Potasyum | Lityum | Bakır | Sodyum | Bor | Kalsiyum | Magnesium |
| Al | Fe | K | - Hayır. | Cu | NA | B | Ca | Mg |
| 65 | 1.17 | 4.4 | 7.21 | 0.13 | 5 | 0.1 | 1.21 | 0.07 |
Gelişim tarihi

Patentler ve Sertifikalar

Paket

Hizmetler
SSS