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Notre procédé avancé de métallisation céramique crée une couche métallique robuste et conductrice sur des surfaces céramiques, permettant des joints solides entre céramique et métal pour l'électronique haute performance. Grâce à diverses techniques telles que Mo/Mn, le placage et la couche épaisse, nous proposons des solutions personnalisées pour des applications exigeantes. Demandez un devis pour l'emballage hermétique et l'intégration fiable de circuits avec une rétention de la résistance d'adhérence supérieure à 95 %.
Avantages Principaux du Produit
Nos services de métallisation céramique offrent des avantages essentiels pour les composants électroniques et les modules de puissance :
Résistance d'adhérence supérieure : la couche métallisée atteint une résistance en traction >80 MPa, assurant une intégration durable entre céramique et métal sous cyclage thermique et contraintes mécaniques.
Excellente étanchéité : assure un taux de fuite inférieur à 1×10⁻⁸ atm·cc/sec en hélium, idéal pour les tubes sous vide, les boîtiers laser et les composants aérospatiaux nécessitant une étanchéité absolue.
Haute conductivité électrique : des films métalliques à faible résistivité (<15 mΩ/□) permettent une capacité de conduction élevée et des performances stables du circuit.
Sélection personnalisée du procédé : choisissez entre Mo/Mn, plaquage Au/Ni/Cu ou métallisation céramique en couche épaisse pour répondre à vos exigences spécifiques en termes thermiques, électriques et budgétaires. Lorsque les céramiques sont utilisées dans des circuits, elles doivent d'abord subir une métallisation. Ce procédé consiste à appliquer un film métallique qui adhère fermement à la surface céramique et résiste à la fusion, rendant ainsi le matériau conducteur.
Domaines d'application
La métallisation précise de céramiques est essentielle dans les industries avancées :
Emballage de semi-conducteurs et de lasers : en-têtes TO, boîtiers de fibres optiques et emballages de diodes laser nécessitant une étanchéité hermétique et une fixation fiable des broches.
Électronique de puissance : substrats DBC/DPC pour IGBT, modules MOSFET et convertisseurs de puissance pour véhicules électriques, assurant une dissipation thermique efficace et une forte capacité de courant.
Aérospatiale et défense : systèmes radar (TWT), communications par satellite et interrupteurs sous vide où la stabilité des performances dans des conditions extrêmes est obligatoire.
Capteurs avancés et LED : capteurs automobiles, substrats COB à LED haute puissance et dispositifs d'imagerie médicale utilisant des pistes conductrices imprimées sur céramique.
Service et Support
Nous garantissons la fiabilité des composants grâce à un accompagnement technique et service complet :
Support technique : nos experts vous aident à choisir le procédé de métallisation céramique optimal (Mo/Mn, plaquage, couche épaisse, DBC, DPC) selon vos objectifs de conception et de performance.
Prototypage rapide : accélérez le développement avec des échantillons de métallisation céramique rapides et des retours sur la conception pour la fabricabilité (DFM) en 1 à 2 semaines.
Contrôle qualité rigoureux : chaque lot fait l'objet d'un contrôle complet selon les normes MIL-STD-883, garantissant une qualité constante de la métallisation céramique et des performances à long terme.
Capacité de production en volume : une fabrication évolutive avec des lignes automatisées de plaquage et d'impression permet de prendre en charge des commandes importantes sans compromettre les délais de livraison.
Contactez-nous dès aujourd'hui pour discuter des spécifications de votre projet. Notre équipe technique est prête à fournir une analyse de faisabilité et un échantillon de métallisation céramique afin de répondre à vos défis d'étanchéité hermétique et d'intégration de circuits.
Tendances futures et feuille de route technologique
L'industrie de la métallisation céramique évolue pour répondre aux exigences des nouvelles générations d'électronique. Les principales tendances visent à obtenir des motifs plus fins, des densités de puissance plus élevées et une fiabilité accrue, tout en réduisant l'impact environnemental. Le développement de procédés de métallisation céramique assistés par laser permet la création de pistes de circuit inférieures à 20 μm, soutenant la miniaturisation des modules RF 5G/Wi-Fi 6E et des composants capteurs avancés. Par ailleurs, les pâtes de frittage à base d'argent et de cuivre à l'échelle nanométrique transforment la performance thermique en métallisation céramique, offrant une conductivité thermique supérieure de 40 % par rapport aux matériaux traditionnels en couches épaisses, tout en étant traitées à des températures inférieures à 300 °C.
Les initiatives en matière de durabilité favorisent l'adoption de systèmes de métallisation céramique sans plomb ni chrome, sans compromettre la résistance à l'adhérence ou les performances d'étanchéité. L'intégration d'un contrôle de processus piloté par l'intelligence artificielle pour les lignes de métallisation céramique assure une cohérence inégalée de l'épaisseur et de la composition des couches, réduisant les variations de paramètres de plus de 60 % par rapport aux méthodes conventionnelles. Ces avancées positionnent la métallisation céramique comme la technologie clé pour les modules de puissance des véhicules électriques de demain, les boîtiers d'informatique quantique et les dispositifs médicaux implantables, où la fiabilité absolue est indispensable.
Guide de sélection du procédé
Le choix de la méthode optimale de métallisation céramique implique un équilibre entre les exigences techniques et les considérations économiques. Pour les applications aérospatiales et militaires à haute fiabilité où la défaillance n'est pas envisageable, le procédé de métallisation céramique au molybdène-manganèse (Mo/Mn) reste la référence, malgré ses températures élevées et son coût plus élevé. Pour l'électronique grand public et les capteurs automobiles à forte production, la métallisation céramique en couche épaisse offre le meilleur compromis entre performance et économie de fabrication. Lorsque la gestion thermique est la préoccupation principale — notamment dans les dispositifs de puissance au carbure de silicium et au nitrure de gallium — la métallisation céramique par cuivre directement brasé (DBC) assure des capacités de dissipation thermique inégalées.
Notre équipe technique fournit une analyse approfondie des applications afin de déterminer la solution idéale de métallisation céramique adaptée à vos besoins, en fonction de treize paramètres critiques, notamment la correspondance du CTE, les besoins en conductivité thermique, les exigences de résolution des motifs et le volume de production. Cette approche systématique garantit que votre stratégie de métallisation céramique allie excellence technique et rentabilité tout au long du cycle de vie de votre produit, depuis le prototype initial jusqu'à la fabrication en série et le déploiement sur le terrain.

Spécifications techniques
Le tableau ci-dessous compare nos principales techniques de métallisation céramique afin d'orienter un choix éclairé :
Paramètre |
Métallisation Mo/Mn |
Métallisation en couche épaisse |
DBC (Cuivre Directement Bondé) |
DPC (Cuivre Directement Plaqué) |
Température de processus |
1500-1600°C |
850-1000°C |
1065°C |
<300°C |
Épaisseur de couche typique |
10-30 µm |
10-20 µm |
100-600 µm |
10-50 µm |
Résistance à l'adhérence |
>100 MPa |
50-70 MPa |
>70 MPa |
>60 MPa |
Résolution de ligne |
>500 µm |
>200 µm |
>500 µm |
<50 µm |
Conductivité thermique |
Dépendant de la céramique |
Modéré |
Excellent (AlN : 180-200 W/mK) |
Bon |
Idéal pour |
Scellés hermétiques haute fiabilité, environnements extrêmes |
Circuits hybrides, capteurs, résistances |
Modules haute puissance, IGBT, automobile |
Emballage de LED haute densité, RF/micro-ondes |

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