9F, 빌딩.A 동성밍두 플라자, No.21 조양 이스트 로드, 리ány운강 장쑤, 중국 +86-13951255589 [email protected]
당사의 첨단 세라믹 금속화 공정은 세라믹 표면에 견고하고 도전성 있는 금속층을 형성하여 고효율 전자 장치에 적합한 강력한 세라믹-금속 봉합을 가능하게 합니다. 몰리브덴/망간(Mo/Mn), 도금, 두께막 등 다양한 기술을 활용하여 엄격한 요구 조건을 충족하는 맞춤형 솔루션을 제공합니다. 95% 이상의 접착 강도 유지율을 갖춘 기밀 패키징 및 신뢰성 있는 회로 통합을 위해 지금 바로 견적을 요청하십시오.
제품 핵심 장점
당사의 세라믹 금속화 서비스는 전자 부품 및 파워 모듈에 핵심적인 이점을 제공합니다:
탁월한 접착 강도: 금속화 층이 인장 강도 80MPa를 초과하여 열 순환 및 기계적 스트레스 하에서도 내구성 있는 세라믹-금속 결합을 보장합니다.
우수한 기밀성: 헬륨 누설률이 <1×10⁻⁸ atm·cc/sec 이하로, 진공관, 레이저 하우징 및 절대 밀봉이 요구되는 항공우주 부품에 이상적입니다.
높은 전기 전도성: 낮은 비저항 금속 필름(<15 mΩ/□)을 통해 효율적인 전류 전달 능력과 안정적인 회로 성능을 제공합니다.
맞춤형 공정 선택: 열적, 전기적 요구사항 및 예산에 맞춰 Mo/Mn, Au/Ni/Cu 도금 또는 두께 있는 세라믹 금속화 공법 중 선택 가능합니다. 회로에 세라믹을 사용할 경우, 먼저 금속화 처리를 거쳐야 합니다. 이 과정은 세라믹 표면에 단단히 결합하며 녹지 않는 금속 필름을 도포하여 전도성을 부여합니다.
응용 분야
정밀 세라믹 금속화는 첨단 산업 전반에서 핵심적인 역할을 합니다:
반도체 및 레이저 패키징: 기밀 밀봉과 신뢰성 있는 리드 연결이 요구되는 TO 헤더, 광섬유 하우징 및 레이저 다이오드 패키지.
파워 일렉트로닉스: IGBT, MOSFET 모듈 및 EV 파워 컨버터를 위한 DBC/DPC 기판으로, 효율적인 열 방출과 전류 용량을 가능하게 합니다.
항공우주 및 방산 분야: 극한 조건에서도 성능 안정성이 필수적인 레이더 시스템(TWT), 위성 통신 및 진공 차단기.
고급 센서 및 LED: 자동차 센서, 고출력 LED COB 기판, 세라믹 위의 패턴화된 도전성 배선을 활용하는 의료 영상 장치.
서비스 및 지원
당사는 포괄적인 기술 지원과 서비스를 통해 부품의 신뢰성을 보장합니다.
엔지니어링 지원: 당사 전문가들이 고객의 설계 및 성능 목표에 맞는 최적의 세라믹 금속화 공정(Mo/Mn, 도금, 두께막, DBC, DPC) 선정을 지원합니다.
신속한 프로토타이핑: 1~2주 이내에 신속한 세라믹 금속화 샘플 및 제조성 설계(DFM) 피드백을 제공하여 개발 속도를 가속화합니다.
엄격한 품질 관리: 모든 배치는 MIL-STD-883 표준에 따라 전수 검사를 실시하여 세라믹 금속화 품질의 일관성과 장기적인 성능을 보장합니다.
대량 생산 능력: 자동 도금 및 인쇄 라인을 갖춘 확장 가능한 제조 시스템으로 대규모 주문도 납기 일정을 지키며 지원 가능합니다.
지금 바로 문의하셔서 프로젝트 사양에 대해 상담하세요. 당사 기술 팀은 귀하의 기밀 봉지 및 회로 통합 과제 해결을 위해 타당성 분석과 세라믹 금속화 샘플을 제공할 준비가 되어 있습니다.
향후 동향 및 기술 로드맵
세라믹 금속화 산업은 차세대 전자기기에 대한 수요를 충족시키기 위해 진화하고 있습니다. 주요 동향은 미세한 패턴 구현, 높은 전력 밀도 달성, 신뢰성 향상과 동시에 환경 영향을 줄이는 데 중점을 두고 있습니다. 레이저 보조 세라믹 금속화 공정의 개발을 통해 20μm 이하의 회로 배선을 제작할 수 있게 되었으며, 이는 5G/Wi-Fi 6E RF 모듈과 고급 센서 패키지의 소형화를 지원합니다. 한편, 나노 규모의 은(Ag) 및 구리(Cu) 소결 페이스트는 세라믹 금속화 분야의 열 성능을 혁신하고 있으며, 기존 두께 필름 재료 대비 40% 더 높은 열전도율을 제공하면서도 300°C 이하의 온도에서 가공이 가능합니다.
지속 가능성 이니셔티브로 인해 접합 강도나 기밀 성능을 희생하지 않으면서 납과 크롬이 없는 세라믹 금속화 시스템의 채택이 가속화되고 있습니다. 세라믹 금속화 라인에 AI 기반 공정 제어를 통합함으로써 층 두께와 조성의 일관성을 이전에 없던 수준으로 확보할 수 있으며, 기존 방법 대비 공정 변수를 60% 이상 줄일 수 있습니다. 이러한 발전으로 세라믹 금속화 기술은 절대적인 신뢰성이 필수적인 차세대 전기차 파워 모듈, 양자 컴퓨팅 하우징 및 의료용 임플란트 장치 분야의 핵심 기술로 자리매김하고 있습니다.
공정 선택 가이드
최적의 세라믹 금속화 방식을 선택하려면 기술적 요구사항과 경제성을 균형 있게 고려해야 합니다. 고장이 허용되지 않는 항공우주 및 군사용 고신뢰성 응용 분야에서는 더 높은 온도와 비용이 소요되더라도 몰리브덴-망간(Mo/Mn) 세라믹 금속화 공정이 여전히 표준으로 자리 잡고 있습니다. 대량 생산되는 소비자 전자기기 및 자동차 센서의 경우 두께막(thick-film) 세라믹 금속화가 성능과 제조 경제성 사이에서 가장 적절한 균형을 제공합니다. 실리콘 카바이드(SiC) 및 갈륨 나이트라이드(GaN) 전력 소자와 같이 열 관리가 주요 고려사항인 경우에는 직접접합구리(DBC) 세라믹 금속화가 뛰어난 열 분산 능력을 제공합니다.
당사의 기술 팀은 CTE 적합성, 열전도도 요구사항, 특징 해상도 요구조건 및 생산량을 포함한 13가지 핵심 파라미터를 기반으로 고객에게 최적의 세라믹 금속화 솔루션을 결정하기 위한 포괄적인 응용 분석을 제공합니다. 이러한 체계적인 접근 방식을 통해 초기 프로토타입에서부터 양산 및 현장 적용에 이르는 제품 수명 주기 전반에 걸쳐 기술적 우수성과 비용 효율성을 모두 확보할 수 있도록 세라믹 금속화 전략을 수립합니다.

기술 사양
아래 표에서는 선택에 도움이 되도록 당사의 주요 세라믹 금속화 기술들을 비교하였습니다:
매개변수 |
Mo/Mn 금속화 |
두께 필름 금속화 |
DBC(직접 접합 구리) |
DPC(직접 도금 구리) |
공정 온도 |
1500-1600°C |
850-1000°C |
1065°C |
<300°C |
일반적인 층 두께 |
10-30 µm |
10-20 µm |
100-600 µm |
10-50 µm |
접착 강도 |
>100 MPa |
50-70 MPa |
>70 MPa |
>60 MPa |
선 해상도 |
>500 µm |
>200 µm |
>500 µm |
<50 µm |
열전도성 |
세라믹에 따라 다름 |
중간 |
우수함(AlN: 180-200 W/mK) |
좋음 |
가장 좋은 |
고신뢰성 기밀 봉합, 극한 환경 |
하이브리드 회로, 센서, 저항기 |
고출력 모듈, IGBT, 자동차 |
고밀도 LED 패키징, RF/마이크로파 |
