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Macorグレードの機械加工用ガラスセラミックは、主に合成雲母からなる微結晶ガラスの一種です。これは機械加工が可能なセラミック材料であり、優れた加工性、真空特性、電気絶縁特性に加え、耐高温性や耐化学薬品性など優れた特性を持っています。
Macorグレードの機械加工用ガラスセラミックは、独自の機械加工性と包括的に優れた物理的・化学的特性を持つことで、 高技術分野の設計者やエンジニアにとって、前例のない利便性と可能性を提供します。複雑な部品の製造プロセスを簡素化するとともに、製品が極限環境下でも安定して動作することを保証します。
従来の構造用セラミックス(アルミナや窒化ケイ素など)と比較して、加工可能なセラミックスの主な利点は、硬度や強度といった単一の性能指標の極限値を追求することではなく、「セラミックスの加工困難」という業界の課題を解決し、その上で優れた総合的性能を備えている点にあります。
マコル級加工可能ガラスセラミックスの主な利点:
加工および製造上の利点:従来のセラミックス製造プロセスを革新
1. 加工方法が簡単で柔軟:
加工済みセラミックスは、一般的な炭素鋼または超硬合金の切削工具を使用して加工可能です。旋盤、フライス盤、ドリル盤、マシニングセンタなどの従来の工作機械で旋削、フライス加工、穴あけ、ねじ立てなどの作業を直接行えるため、設備や工具に対する要求が大幅に低減されます。
2. 開発および生産サイクルの大幅な短縮:
機械加工を直接行えるため高価な専用金型を製造する必要がなく、生産準備期間を大幅に短縮できます。
3. 優れた耐高温性および熱衝撃抵抗性:
加工済みセラミックスは-200 °℃から800 °℃(さらにはそれ以上の温度)までの極端な温度に耐えられ、熱膨張係数が小さく、優れた熱安定性を有しています。
4. 優れた電気絶縁特性:
高温および高周波環境下でも安定した高い絶縁抵抗と低い誘電損失を維持できるため、高性能な電気真空装置、高圧絶縁体、回路支持体の製造における理想的な材料です。
5. 優れた耐腐食性および真空性能:
ほとんどの酸、アルカリ、有機溶剤および溶融金属に対して優れた耐腐食性を有しています。同時に、自身のガス放出率が極めて低く、真空環境を汚染しないため、質量分析装置、加速器、半導体装置などの高真空システム内部部品としての使用に非常に適しています。
6. 総コストの削減:
原材料費は高い場合でも、後続の加工コストが極めて低く、開発サイクルが非常に短く、歩留まり率が高いことを考慮すると、多くの複雑な部品においてそのライフサイクル全体のコストは非常に競争力があります。
応用分野
航空宇宙用途における高精度非磁性構造フレーム、センサ部品、および真空装置用絶縁部品の製造に使用されます。
半導体産業では、材料の純度、清浄度、電気絶縁性、真空特性に対して極めて厳しい要求があります。この分野ではセラミック加工はほぼ不可欠です。
半導体およびFPD(フラットパネルディスプレイ)の製造工程において、加工済みセラミックは検査用部品や微細加工絶縁部品の製造に使用されます。
極めて低い排気率と優れた電気絶縁特性を持つため、電子線露光装置、質量分析計、エネルギー分析計などの電気真空装置における絶縁部品として最適です。
モーターなどの分野における超高圧絶縁部品として使用できます。
一部の薄肉で複雑な形状をした高精度デバイスにおいて、セラミックスは任意の希望形状に加工でき、厳しい設計要件を満たすことができます。
技術仕様
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指標 特性内容 |
標準値 特性指標 |
説明 指示 |
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密度 密度 |
2.6g/cm³ 3 |
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見かけ気孔率 見かけの気孔率 |
0.069% |
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吸水率 水吸収 |
0 |
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硬度 硬度 |
4~5 |
モース モース硬度 |
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色 カラー |
白色 白 |
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熱膨張係数 熱膨張係数 |
72×10-7/°C |
-50°C から200 °C 平均値 -50°C to 200 °C average |
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熱伝導率 熱伝導性 |
1.71W/m.k |
25°C |
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長期使用温度 長期使用温度 |
800°C |
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曲げ強度 曲げ強度 |
>108MPa |
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圧縮強度 圧縮強度 |
>508 MPa |
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衝撃靭性 衝撃靭性 |
>2.56KJ/ m 2 |
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弾性率 弾性模数 |
65GPa |
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誘電損失 誘電損失 |
1~ 4×10 -3 |
室温 室温 |
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誘電率 誘電率 |
6~7 |
" |
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貫通強度 穿刺強度 |
>40KV/mm |
試料の厚さ 1mm サンプル厚さ1mm |
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体積抵抗 体積抵抗 |
1.08×1016オー.CM |
25°C |
1.5×1012オー.CM |
200°C |
|
1.1×109オー.CM |
500°C |
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常温でのガス放出率 常温ガス効率 |
8.8×10-9ml/s・cm 2 |
真空焼成 8時間 真空焼付け 8時間 |
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ヘリウム透過率 ヘリウム透過率 |
1×10-10ml/s |
経 500°C 灼熱後、室温まで冷却 500°C 焼結、冷却 |
5%HC1 |
0.26mg/ cm 2 |
95°C、24時間 95°C、24時間 |
5%HF |
83mg/ cm 2 |
" |
50%Na 2コー 3 |
0.012 mg/ cm 2 |
" |
5%NaOH |
0.85mg/ cm 2 |
" |
